MPPC阵列 S13361-3050NE-04产品样册

MPPC阵列 S13361-3050NE-04产品样册

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4x4通道组件，像素大小：50μm S13361系列是一个用于精密测量的MPPC（硅PM）产品，它继承其前代产品极好的低残留脉冲的性能，并且具有低串扰和低暗计数的优点。该MPPC组件使用了TSV（硅穿孔）技术，以此将敏感区的死区部分缩减至Z小。四边可拼接的结构，方便以狭小的拼接缝隙向两个维度拼组更多元素。产品特性● 降低了串扰和暗计数（相对于前代产品） ● 低残留脉冲 ● 出色的光子计数能力（对入射光的光子探测效率极高） ● COB封装，将死区Z小 ● 更大敏感区域 ● 出色的一致性 ● 低工作电压*如需了解产品详细信息，敬请联系我们。

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MPPC阵列 S13361-3050NE-04产品样册

4x4通道组件，像素大小：50μm S13361系列是一个用于精密测量的MPPC（硅PM）产品，它继承其前代产品极好的低残留脉冲的性能，并且具有低串扰和低暗计数的优点。该MPPC组件使用了TSV（硅穿孔）技术，以此将敏感区的死区部分缩减至Z小。四边可拼接的结构，方便以狭小的拼接缝隙向两个维度拼组更多元素。产品特性● 降低了串扰和暗计数（相对于前代产品） ● 低残留脉冲 ● 出色的光子计数能力（对入射光的光子探测效率极高） ● COB封装，将死区Z小 ● 更大敏感区域 ● 出色的一致性 ● 低工作电压*如需了解产品详细信息，敬请联系我们。 [详细]
2024-09-11 17:56
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MPPC阵列 S14161-6050HS-04产品样册

用于闪烁探测器的低击穿电压型MPPC与其它MPPC相比，S14161系列具有更高的PDE(光子检测效率)和更低的工作电压，适用于PET和辐射监测应用。它们利用HWB(孔线键合)技术(ZL申请中)在光敏区实现小的死区。光敏区边缘到封装边缘的距离仅为0.2 mm。该方案实现了四面对接布置。产品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低压(VBR=38 V typ.)运行● 光敏区死区小● 低串扰，低后脉冲● 高增益：106 order● 高时间分辨率● 不受磁场影响 [详细]
2020-03-10 12:37
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MPPC阵列 S14161-3050HS-06产品样册

用于闪烁探测器的低击穿电压型MPPC与其它MPPC相比，S14161系列具有更高的PDE(光子检测效率)和更低的工作电压，适用于PET和辐射监测应用。它们利用HWB(孔线键合)技术(ZL申请中)在光敏区实现小的死区。光敏区边缘到封装边缘的距离仅为0.2 mm。该方案实现了四面对接布置。产品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低压(VBR=38 V typ.)运行● 光敏区死区小● 低串扰，低后脉冲● 高增益：106 order● 高时间分辨率● 不受磁场影响 [详细]
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MPPC阵列 S14161-3050HS-08产品样册

用于闪烁探测器的低击穿电压型MPPC与其它MPPC相比，S14161系列具有更高的PDE(光子检测效率)和更低的工作电压，适用于PET和辐射监测应用。它们利用HWB(孔线键合)技术(ZL申请中)在光敏区实现小的死区。光敏区边缘到封装边缘的距离仅为0.2 mm。该方案实现了四面对接布置。产品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低压(VBR=38 V typ.)运行● 光敏区死区小● 低串扰，低后脉冲● 高增益：106 order● 高时间分辨率● 不受磁场影响 [详细]
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MPPC阵列 S14161-3050HS-04产品样册

用于闪烁探测器的低击穿电压型MPPC与其它MPPC相比，S14161系列具有更高的PDE(光子检测效率)和更低的工作电压，适用于PET和辐射监测应用。它们利用HWB(孔线键合)技术(ZL申请中)在光敏区实现小的死区。光敏区边缘到封装边缘的距离仅为0.2 mm。该方案实现了四面对接布置。产品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低压(VBR=38 V typ.)运行● 光敏区死区小● 低串扰，低后脉冲● 高增益：106 order● 高时间分辨率● 不受磁场影响 [详细]
2020-03-10 12:37
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MPPC 阵列 S13615-1025N-04产品样册

芯片尺寸封装的MPPCs，通过采用TSV结构小型化,4×4 ch阵列,像素间距:25μmS13615系列是一种采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封装)技术，用于精密测量的微加工MPPC(多像素光计数器)阵列。采用TSV结构，可以消除光敏区侧布线，结构紧凑，死区少。相比之前的产品S13361系列，其光敏面积小(1×1毫米)，因此提供了一种高空间分辨率。四面支撑结构，可并排布置多个设备，制造大面积设备。它适用于医学和无损检测，环境分析，高能物理实验，以及其他需要光子计数测量的应用。产品特性● 减少串扰和暗计数(与以前的产品相比)● 优良的光子计数能力(zhuo越的检测效率与入射光子数)● 低串扰● 低剩余脉冲● 低压(VBR=53 V typ.)运行● 小感光面积:1×1毫米*详情请与我们联络。 [详细]
2020-03-10 12:37
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MPPC 阵列 S13615-1025N-16产品样册

芯片尺寸封装的MPPCs，通过采用TSV结构小型化,16×16 ch阵列,像素间距:25μmS13615系列是一种采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封装)技术，用于精密测量的微加工MPPC(多像素光计数器)阵列。采用TSV结构，可以消除光敏区侧布线，结构紧凑，死区少。相比之前的产品S13361系列，其光敏面积小(1×1毫米)，因此提供了一种高空间分辨率。四面支撑结构，可并排布置多个设备，制造大面积设备。它适用于医学和无损检测，环境分析，高能物理实验，以及其他需要光子计数测量的应用。产品特性● 减少串扰和暗计数(与以前的产品相比)● 优良的光子计数能力(zhuo越的检测效率与入射光子数)● 低串扰● 低剩余脉冲● 低压(VBR=53 V typ.)运行● 小感光面积:1×1毫米*详情请与我们联络。 [详细]
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MPPC 阵列 S13615-1050N-04产品样册

芯片尺寸封装的MPPCs，通过采用TSV结构小型化,4×4 ch阵列,像素间距:50μmS13615系列是一种采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封装)技术，用于精密测量的微加工MPPC(多像素光计数器)阵列。采用TSV结构，可以消除光敏区侧布线，结构紧凑，死区少。相比之前的产品S13361系列，其光敏面积小(1×1毫米)，因此提供了一种高空间分辨率。四面支撑结构，可并排布置多个设备，制造大面积设备。它适用于医学和无损检测，环境分析，高能物理实验，以及其他需要光子计数测量的应用。产品特性● 减少串扰和暗计数(与以前的产品相比)● 优良的光子计数能力(zhuo越的检测效率与入射光子数)● 低串扰● 低剩余脉冲● 低压(VBR=53 V typ.)运行● 小感光面积:1×1毫米*详情请与我们联络。 [详细]
2020-03-10 12:37
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MPPC 阵列 S13615-1050N-08产品样册

芯片尺寸封装的MPPCs，通过采用TSV结构小型化,8×8 ch阵列,像素间距:50μmS13615系列是一种采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封装)技术，用于精密测量的微加工MPPC(多像素光计数器)阵列。采用TSV结构，可以消除光敏区侧布线，结构紧凑，死区少。相比之前的产品S13361系列，其光敏面积小(1×1毫米)，因此提供了一种高空间分辨率。四面支撑结构，可并排布置多个设备，制造大面积设备。它适用于医学和无损检测，环境分析，高能物理实验，以及其他需要光子计数测量的应用。产品特性● 减少串扰和暗计数(与以前的产品相比)● 优良的光子计数能力(zhuo越的检测效率与入射光子数)● 低串扰● 低剩余脉冲● 低压(VBR=53 V typ.)运行● 小感光面积:1×1毫米*详情请与我们联络。 [详细]
2020-03-10 12:37
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MPPC 阵列 S13615-1050N-16产品样册

芯片尺寸封装的MPPCs，通过采用TSV结构小型化,16×16 ch阵列,像素间距:50μmS13615系列是一种采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封装)技术，用于精密测量的微加工MPPC(多像素光计数器)阵列。采用TSV结构，可以消除光敏区侧布线，结构紧凑，死区少。相比之前的产品S13361系列，其光敏面积小(1×1毫米)，因此提供了一种高空间分辨率。四面支撑结构，可并排布置多个设备，制造大面积设备。它适用于医学和无损检测，环境分析，高能物理实验，以及其他需要光子计数测量的应用。产品特性● 减少串扰和暗计数(与以前的产品相比)● 优良的光子计数能力(zhuo越的检测效率与入射光子数)● 低串扰● 低剩余脉冲● 低压(VBR=53 V typ.)运行● 小感光面积:1×1毫米*详情请与我们联络。 [详细]
2020-03-10 12:37
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MPPC阵列 S13361-6050NE-04产品样册

4 x4 ch通道组件，像素间距：50 μm S13361系列是一个用于精密测量的MPPC阵列产品，它继承其前代产品的低后脉冲的性能，并且具有低串扰和低暗计数的优点。该MPPC组件使用了硅穿孔（TSV：Through Silicon Via）技术，以此将敏感区的死区部分缩减至Z小。四边可拼接的结构，方便以狭小的拼接缝隙向两个维度拼组更多元素。产品特性● 减少了干扰和暗计数（较以前产品） ● 低后脉冲 ● 的光子计数能力（对入射光的光子探测效率极高） ● 采用COB(chip on board)类型封装，减少死区● 更大的感光面积 ● 的均一性 ● 低工作电压*想要了解更多的详细信息，请联系我们 [详细]
2020-03-10 12:37
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MPPC阵列 S13361-3050AE-08产品样册

8x8通道组件，像素大小：50μm，带连接器 S13361系列是一个用于精密测量的MPPC（硅PM）产品，它继承其前代产品极好的低残留脉冲的性能，并且具有低串扰和低暗计数的优点。该MPPC组件使用了TSV（硅穿孔）技术，以此将敏感区的死区部分缩减至Z小。四边可拼接的结构，方便以狭小的拼接缝隙向两个维度拼组更多元素。产品特性● 降低了串扰和暗计数（相对于前代产品） ● 低残留脉冲 ● 出色的光子计数能力（对入射光的光子探测效率极高） ● COB封装，将死区Z小 ● 更大敏感区域 ● 出色的一致性 ● 低工作电压*如需了解产品详细信息，敬请联系我们。 [详细]
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8x8通道阵列，像素间距：50 μm S13360系列是一个用于精密测量用的MPPC（SiPM）产品，继承了以往产品的低残留脉冲的特性外，同时还实现了低串扰、低暗计数的性能。该MPPC组件使用了TSV（硅穿孔）技术，以此将敏感区的死区部分缩减至Z小。四边可拼接的结构，方便以狭小的拼接缝隙向两个维度拼组更多元素。产品特性● 减少了干扰和暗计数（较以前产品） ● 低后脉冲 ● 的光子计数能力（对入射光的光子探测效率极高） ● 采用COB(chip on board)类型封装，减少死区● 更大的感光面积 ● 的均一性 ● 低工作电压*想要了解更多的详细信息，请联系我们 [详细]
2020-03-10 12:37
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MPPC阵列 S13361-3050AE-04产品样册

4x4通道组件，像素大小：50μm，带连接器 S13361系列是一个用于精密测量的MPPC（硅PM）产品，它继承其前代产品极好的低残留脉冲的性能，并且具有低串扰和低暗计数的优点。该MPPC组件使用了TSV（硅穿孔）技术，以此将敏感区的死区部分缩减至Z小。四边可拼接的结构，方便以狭小的拼接缝隙向两个维度拼组更多元素。产品特性● 降低了串扰和暗计数（相对于前代产品） ● 低残留脉冲 ● 出色的光子计数能力（对入射光的光子探测效率极高） ● COB封装，将死区Z小 ● 更大敏感区域 ● 出色的一致性 ● 低工作电压*如需了解产品详细信息，敬请联系我们。 [详细]
2020-03-10 12:37
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MPPC 阵列 S13615-1025N-08产品样册

芯片尺寸封装的MPPCs，通过采用TSV结构小型化,8×8 ch阵列,像素间距:25μmS13615系列是一种采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封装)技术，用于精密测量的微加工MPPC(多像素光计数器)阵列。采用TSV结构，可以消除光敏区侧布线，结构紧凑，死区少。相比之前的产品S13361系列，其光敏面积小(1×1毫米)，因此提供了一种高空间分辨率。四面支撑结构，可并排布置多个设备，制造大面积设备。它适用于医学和无损检测，环境分析，高能物理实验，以及其他需要光子计数测量的应用。产品特性● 减少串扰和暗计数(与以前的产品相比)● 优良的光子计数能力(zhuo越的检测效率与入射光子数)● 低串扰● 低剩余脉冲● 低压(VBR=53 V typ.)运行● 小感光面积:1×1毫米*详情请与我们联络。 [详细]
2024-09-28 15:53
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MPPC阵列 S13361-6050AE-04产品样册

4 x4 ch通道组件，像素间距：50 μm，带连接器 S13361系列是一个用于精密测量的MPPC阵列产品，它继承其前代产品的低后脉冲的性能，并且具有低串扰和低暗计数的优点。该MPPC组件使用了硅穿孔（TSV：Through Silicon Via）技术，以此将敏感区的死区部分缩减至Z小。四边可拼接的结构，方便以狭小的拼接缝隙向两个维度拼组更多元素。产品特性● 减少了干扰和暗计数（较以前产品） ● 低后脉冲 ● 的光子计数能力（对入射光的光子探测效率极高） ● 采用COB(chip on board)类型封装，减少死区● 更大的感光面积 ● 的均一性 ● 低工作电压*想要了解更多的详细信息，请联系我们 [详细]
2024-10-01 08:09
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MPPC阵列 S13361-2050NE-04产品样册

4 x4 ch通道组件，像素间距： 50 μm S13361系列是用于精密测量的MPPC阵列产品，它继承其前代产品的低后脉冲的性能，并且具有低串扰和低暗计数的优点。该MPPC组件使用了硅穿孔（TSV：Through Silicon Via）技术，以此将敏感区的死区部分缩减至Z小。四边可拼接的结构，方便以狭小的拼接缝隙向两个维度拼组更多元素。产品特性● 减少了干扰和暗计数（较以前产品） ● 低后脉冲 ● 的光子计数能力（对入射光的光子探测效率极高） ● 采用COB(chip on board)类型封装，减少死区● 更大的感光面积 ● 的均一性 ● 低工作电压*想要了解更多的详细信息，请联系我们 [详细]
2024-09-11 18:00
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MPPC阵列 S13361-2050AE-04产品样册

4 x4 通道阵列，像素间距：75 μm，带连接器 S13361系列是用于精密测量的MPPC阵列产品，它继承其前代产品的低后脉冲的性能，并且具有低串扰和低暗计数的优点。该MPPC组件使用了硅穿孔（TSV：Through Silicon Via）技术，以此将敏感区的死区部分缩减至Z小。四边可拼接的结构，方便以狭小的拼接缝隙向两个维度拼组更多元素。产品特性● 减少了干扰和暗计数（较以前产品） ● 低后脉冲 ● 的光子计数能力（对入射光的光子探测效率极高） ● 采用COB(chip on board)类型封装，减少死区 ● 更大的感光面积 ● 的均一性 ● 低工作电压*想要了解更多的详细信息，请联系我们。 [详细]
2024-09-11 17:47
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MPPC S14160-6050HS产品样册

用于闪烁探测器的低击穿电压型MPPC与其它MPPC相比，S14160系列具有更高的PDE(光子检测效率)和更低的工作电压，适用于PET和辐射监测应用。它们利用HWB(孔线键合)技术(ZL申请中)在光敏区实现小的死区。光敏区边缘到封装边缘的距离仅为0.2 mm。该方案实现了四面对接布置。产品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低压(VBR=38 V typ.)运行● 光敏区死区小● 低串扰，低后脉冲● 高增益：106 order● 高时间分辨率● 不受磁场影响 [详细]
2020-03-10 12:37
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用于闪烁探测器的低击穿电压型MPPC与其它MPPC相比，S14160系列具有更高的PDE(光子检测效率)和更低的工作电压，适用于PET和辐射监测应用。它们利用HWB(孔线键合)技术(ZL申请中)在光敏区实现小的死区。光敏区边缘到封装边缘的距离仅为0.2 mm。该方案实现了四面对接布置。产品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低压(VBR=38 V typ.)运行● 光敏区死区小● 低串扰，低后脉冲● 高增益：106 order● 高时间分辨率● 不受磁场影响 [详细]
2020-03-10 12:37
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