带放大器的光电二极管阵列 S13886-128G产品样册

本文由 滨松光子学商贸（中国）有限公司 整理汇编

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• 带放大器的光电二极管阵列 S13886-128G产品样册

  带信号处理IC的光电二极管阵列，用于X射线检测

  S13886-128G是带有放大器的光电二极管阵列系列，放大器具有附着到光敏区域的荧光片以进行X射线检测。 与以前的产品S11865系列相比，信号处理IC芯片的改进大幅度地提高了产品的灵敏度。 信号处理IC芯片由CMOS工艺构成，内含定时发生器，移位寄存器，电荷放大器阵列，钳位电路和保持电路等复杂设置，所以当客户在连接外部电路时十分简单方便。 该产品还可以通过在一行中排列多个阵列来配置长而窄的图像传感器。

  产品特性● 数据速率：Zda1 MHz● 元件间距：0.8 mm pitch×128 ch● 3.3 V电源供电● 使用电荷放大器阵列的同时积分方法● 零偏置光电二极管操作，暗电流低● 集成钳位电路，噪声低，动态范围宽。● 集成定时发生器可以在两个不同的脉冲定时下工作。● 可检测的能量范围：30 k至100 keV

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  2020-03-10 12:37

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• 带放大器的光电二极管阵列 S13886-128G产品样册

  带信号处理IC的光电二极管阵列，用于X射线检测S13886-128G是带有放大器的光电二极管阵列系列，放大器具有附着到光敏区域的荧光片以进行X射线检测。 与以前的产品S11865系列相比，信号处理IC芯片的改进大幅度地提高了产品的灵敏度。 信号处理IC芯片由CMOS工艺构成，内含定时发生器，移位寄存器，电荷放大器阵列，钳位电路和保持电路等复杂设置，所以当客户在连接外部电路时十分简单方便。 该产品还可以通过在一行中排列多个阵列来配置长而窄的图像传感器。产品特性● 数据速率：Zda1 MHz● 元件间距：0.8 mm pitch×128 ch● 3.3 V电源供电● 使用电荷放大器阵列的同时积分方法● 零偏置光电二极管操作，暗电流低● 集成钳位电路，噪声低，动态范围宽。● 集成定时发生器可以在两个不同的脉冲定时下工作。● 可检测的能量范围：30 k至100 keV [详细]

  2020-03-10 12:38

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• 带放大器的光电二极管阵列 S13885-256G产品样册

  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC） S13885系列光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。通过改善信号处理IC，相较于公司之前的产品（S11865系列）有更高的灵敏度。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。产品特性● 数据率：1MHz max ● 象元间距大：0.2 mm pitch × 256 ch ● 3.3V电源供电 ● 用电荷积分阵列同步积分 ● 零偏置光电二极管，因此暗电流低 ● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽 ● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作 ● 可探测能量范围：30 k to 100 keV

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• 带放大器的光电二极管阵列 S13885-128G产品样册

  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC） S13885系列光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。通过改善信号处理IC，相较于公司之前的产品（S11865系列）有更高的灵敏度。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。产品特性● 数据率：1MHz max ● 象元间距大：0.4mm间距×128通道 ● 3.3 V电源供电  ● 用电荷积分阵列同步积分 ● 零偏置光电二极管，因此暗电流低 ● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽 ● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作 ● 可探测能量范围：30 k to 100 keV

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11866-64G-02产品样册

  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC）这种光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。与之前的产品（S8865/S8866系列）相比，X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，通过将多个阵列排列起来，可配置出外部电路配置。还提供专用驱动电路C9118系列（单独出售）。产品特性● 数据率：1MHz max● 象元间距大：1.6 mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 可探测能量范围：30 k to 100 keV

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11866-64-02产品样册

  结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。产品特性● 数据率：Zda1 MHz● 象元间距大：0.4mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。产品特性● 数据率：Zda1 MHz● 象元间距大：0.4mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02）

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11866-128G-02产品样册

  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC）这种光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。与之前的产品（S8865/S8866系列）相比，X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，通过将多个阵列排列起来，可配置出外部电路配置。还提供专用驱动电路C9118系列（单独出售）。产品特性● 数据率：1MHz max● 象元间距大：0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 可探测能量范围：30 k to 100 keV

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11866-128-02产品样册

  结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。产品特性● 数据率：Zda1 MHz● 象元间距大：0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02）

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11865-256G产品样册

  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC）这种光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。与之前的产品（S8865/S8866系列）相比，X射线耐受性有所提高。X信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出外部电路配置。

  产品特性● 数据率：1MHz max● 象元间距大：0.2mm间距×256通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管，因此暗电流低 ● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽 ● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作 ● 可探测能量范围：30 k to 100 keV

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11865-256产品样册

  结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。产品特性● 数据率：Zda1 MHz● 象元间距大：0.2mm间距×256通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型（S11865-265G）

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11865-128产品样册

  带信号处理IC的光电二极管阵列S11865/S11866系列是带信号处理IC芯片的硅光电二极管阵列。与之前的产品（S8865/S8866系列）相比，X射线耐受性有所提高。此芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，通过将多个阵列排列起来，可配置出外部电路。滨松还为X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118系列（单独出售）是其专用驱动电路。产品特性● 据率：Zda1 MHz● 象元间距大：0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02）

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  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC） S13885系列光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。通过改善信号处理IC，相较于公司之前的产品（S11865系列）有更高的灵敏度。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。产品特性● 数据率：1MHz max ● 象元间距大：0.2 mm pitch × 256 ch ● 3.3V电源供电 ● 用电荷积分阵列同步积分 ● 零偏置光电二极管，因此暗电流低 ● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽 ● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作 ● 可探测能量范围：30 k to 100 keV [详细]

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  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC） S13885系列光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。通过改善信号处理IC，相较于公司之前的产品（S11865系列）有更高的灵敏度。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。产品特性● 数据率：1MHz max ● 象元间距大：0.4mm间距×128通道 ● 3.3 V电源供电  ● 用电荷积分阵列同步积分 ● 零偏置光电二极管，因此暗电流低 ● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽 ● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作 ● 可探测能量范围：30 k to 100 keV [详细]

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11866-64G-02产品样册

  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC）这种光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。与之前的产品（S8865/S8866系列）相比，X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，通过将多个阵列排列起来，可配置出外部电路配置。还提供专用驱动电路C9118系列（单独出售）。产品特性● 数据率：1MHz max● 象元间距大：1.6 mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 可探测能量范围：30 k to 100 keV [详细]

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11866-64-02产品样册

  结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。产品特性● 数据率：Zda1 MHz● 象元间距大：0.4mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02） [详细]

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11866-128G-02产品样册

  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC）这种光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。与之前的产品（S8865/S8866系列）相比，X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，通过将多个阵列排列起来，可配置出外部电路配置。还提供专用驱动电路C9118系列（单独出售）。产品特性● 数据率：1MHz max● 象元间距大：0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC）这种光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。与之前的产品（S8865/S8866系列）相比，X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，通过将多个阵列排列起来，可配置出外部电路配置。还提供专用驱动电路C9118系列（单独出售）。产品特性● 数据率：1MHz max● 象元间距大：0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 可探测能量范围：30 k to 100 keV [详细]

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11866-128-02产品样册

  结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。产品特性● 数据率：Zda1 MHz● 象元间距大：0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02） [详细]

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  X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC）这种光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。与之前的产品（S8865/S8866系列）相比，X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，通过将多个阵列排列起来，可配置出外部电路配置。还提供专用驱动电路C9118（单独出售）系列。产品特性● 数据率：1MHz max● 象元间距大：0.4mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 可探测能量范围：30 k to 100 keV [详细]

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• 带放大器的光电二极管阵列 S11865-64产品样册

  结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。产品特性● 数据率：Zda1 MHz● 象元间距大：0.4mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管，因此暗电流低● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02） [详细]

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