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2024-10-02 05:25 304阅读次数
线阵（512像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器
G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率，以满足不同的应用需要。
产品特性● 低噪声，低暗电流● 两种转换率可选● 高速数据率：Zda1 MHz● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单（通过内置时序产生器）●高分辨率:25μm 间距相关产品
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铟镓砷线阵图像传感器 G11620-256DA产品样册线阵（512像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器
G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率，以满足不同的应用需要。
产品特性● 低噪声，低暗电流● 两种转换率可选● 高速数据率：Zda1 MHz● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单（通过内置时序产生器）●高分辨率:25μm 间距 [详细]2024-10-02 05:25
产品样册
铟镓砷线阵图像传感器 G11620-256SA产品样册线阵近红外（0.95~1.7 μm）图像传感器 制冷型，单视频线：256像素G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率（CE），以满足不同的应用需要。产品特性● 低噪声，低暗电流● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单（通过内置时序产生器）
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G11608-512DA产品样册宽光谱响应范围，近红外（0.5~1.7 μm）图像传感器G11608系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。G11608系列包括对短波长增强灵敏度的铟镓砷光电二极管阵列和内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器的CMOS芯片。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率（CE），以满足不同的应用需要。
产品特性● 宽光谱响应范围（0.5~1.7 μm）● 低噪声● 两种转换效率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置热敏电阻● 操作简单（内置时序产生器） [详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G11608-256DA产品样册宽光谱响应范围，近红外（0.5~1.7 μm）图像传感器G11608系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。G11608系列包括对短波长增强灵敏度的铟镓砷光电二极管阵列和内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器的CMOS芯片。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率（CE），以满足不同的应用需要。
产品特性● 宽光谱响应范围（0.5~1.7 μm）● 低噪声● 两种转换效率可选● 抗饱和电路● CDS电路-内置热敏电阻● 操作简单（内置时序产生器） [详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G12230-512WB产品样册搭载两个InGaAs芯片（截止波长：1.65μm, 2.15 μm)近红外图像传感器（0.95μm~2.15 μm)G12230-512WB是为近红外通道分光测光设计的InGaAs线阵图像传感器。并列配置2个高精度不同遮段波长的InGaAs芯片，实现在光灵敏度波长范围内的高S/N。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。电荷放大器是由铟镓砷二极管阵列的每个像素与CMOS晶体管连接而成。每个像素的信号是在电荷积分模式下读出，因此获得近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。采用气密封装的方式，故而具有的稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级转换效率，以满足不同用途的需求。选择通过使用外部电压2种变化功率（CE:(Conversion Efficiency),选择适合用途的值。
产品特性● 搭载两个铟镓砷芯片● 低噪声，低暗电流 ● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 操作简单（通过内置时序产生器）● 高分辨率:25μm 间距 [详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G9494-512D产品样册高速数据率近红外（0.9 to 1.7 um）图像传感器 滨松公司为在线异物检测设备提供高速度的近红外图像传感器。该传感器使用四方形像素，非常适合模式识别中的软件处理。其信号处理电路使用CTIA（电容转移阻抗放大器），以使所有像素同时进行电荷积分，所以像素输出信号没有延时。
产品特性● 高速数据率：典型值2 MHz● 转换增益可选（Cf=0.1 pF, 1 pF）● 集成CMOS读出电路● 低暗电流● 室温操作
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G9494-256D产品样册高速数据率近红外（0.9 to 1.7 um）图像传感器 滨松公司为在线异物检测设备提供高速度的近红外图像传感器。该传感器使用四方形像素，非常适合模式识别中的软件处理。其信号处理电路使用CTIA（电容转移阻抗放大器），以使所有像素同时进行电荷积分，所以像素输出信号没有延时。
产品特性
● 高速数据率：典型值2 MHz● 转换增益可选（Cf=0.1 pF, 1 pF）● 集成CMOS读出电路● 低暗电流● 室温操作
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G10768-1024D产品样册高线速率、1024像素近红外（0.9 to 1.7 um）图像传感器 G10768-1024D是一款为异物筛选和YL分析等高速线速率应用而设计的1024通道高速红外图像传感器。信号处理电路应用CTIA（容性互阻抗放大器），可以在通过采样保持电路进行全像素积分的同时进行信号读出。通过8个输出端口，确保了高速线速率。
产品特性● 高线速率：Zda39000 lines/s● 高数据率：典型值5 MHz，Zda值6.67 MHz● 4中转换效率可选● 集成时序产生器 ● 低暗电流● 室温工作
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G11620-512DA产品样册线阵（512像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器 G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率，以满足不同的应用需要。
产品特性● 低噪声，低暗电流● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单（通过内置时序产生器）● 高分辨率:25μm 间距
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G11135-512DE产品样册线阵（512像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器 G11135系列是为异物检测设备而设计的铟镓砷线阵图像传感器。该传感器由铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片组成，CMOS芯片内部包含电荷放大阵列、偏执补偿电路、移位寄存器和时序产生器。铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片由铟球连接。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率（CE），以满足不同的应用需要。
产品特性● 线阵(512像素）● 高速数据率：Zda5 MHz● 两种转换率可选● 像素尺寸：25×25μm● 内置温度传感器● 像素之间的线性度差异小● 低成本
[详细]2024-09-28 00:34
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G11620-256DF产品样册线阵（256像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器
G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率，以满足不同的应用需要。产品特性● 低噪声，低暗电流● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单（通过内置时序产生器）● 高分辨率:25μm 间距 [详细]2024-10-07 22:51
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G11620-128DA产品样册线阵（512像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器
G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率，以满足不同的应用需要。
产品特性● 低噪声，低暗电流● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单（通过内置时序产生器）● 高分辨率:25μm 间距 [详细]2024-10-07 22:51
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G13393-0808W产品样册320 × 256像素二维红外图像传感器G13393-0808W具有由CMOS读出电路（ROIC：读出集成电路）和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合结构。每个像素由通过铟凸块电连接的铟镓砷光电二极管和ROIC组成。系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。ROIC中的定时发生器提供模拟视频输出和AD-TRIG输出，它们是仅通过数字输入获得的。G13393-0808W传感器具有以20μm间距排列的320×256像素，且信号从视频线读出。入射在铟镓砷光电二极管上的光转换成电信号，然后通过铟凸块将其输入到ROIC。ROIC中的电信号转换为电压信号，通过移位寄存器从视频线顺序输出。G13393-0808W和两级热电冷却器气密密封在金属封装中，以稳定工作。产品特性● 光谱响应范围：0.95~1.7 μm● 高灵敏度：1 uV/e-● 帧速率：228 fps max.● 全快门模式● 操作简单（内置时序产生器）● 两级TE制冷
[详细]2024-10-02 21:13
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G11135-256DD产品样册线阵（256像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器G11135系列是为异物检测设备而设计的铟镓砷线阵图像传感器。该传感器由铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片组成，CMOS芯片内部包含电荷放大阵列、偏执补偿电路、移位寄存器和时序产生器。铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片由铟球连接。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率（CE），以满足不同的应用需要。产品特性● 线阵（256像素）● 高速数据率：Zda5 MHz● 两种转换率可选● 像素尺寸：50 × 50 μm● 内置温度传感器● 像素之间的线性度差异小● 低成本
[详细]2024-10-02 23:19
产品样册铟镓砷线阵图像传感器 G10768-1024DB产品样册高线速率、1024像素近红外（0.9 to 1.7 um）图像传感器 G10768-1024DB 是一款为异物筛选和YL分析等高速线速率应用而设计的1024通道高速红外图像传感器。信号处理电路应用CTIA（容性互阻抗放大器），可以在通过采样保持电路进行全像素积分的同时进行信号读出。通过8个输出端口，确保了高速线速率。
产品特性● 高线速率：Zda39000 lines/s● 高数据率：典型值5 MHz，Zda值6.67 MHz● 4中转换效率可选● 集成时序产生器 ● 低暗电流● 室温工作
[详细]2024-10-01 11:43
产品样册铟镓砷面阵图像传感器 G13393-0909W产品样册640 × 512像素二维红外图像传感器G13393-0909W具有由CMOS读出电路（ROIC：读出集成电路）和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合结构。每个像素由通过铟凸块电连接的铟镓砷光电二极管和ROIC组成。系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。ROIC中的定时发生器提供模拟视频输出和AD-TRIG输出，它们是仅通过数字输入获得的。G13393-0909W传感器具有以20μm间距排列的640×512像素，且信号从视频线读出。入射在铟镓砷光电二极管上的光转换成电信号，然后通过铟凸块将其输入到ROIC。ROIC中的电信号转换为电压信号，通过移位寄存器从视频线顺序输出。G13393-0909W和两级热电冷却器气密密封在金属封装中，以稳定工作。产品特性● 光谱响应范围：0.95~1.7 μm● 高灵敏度：1 uV/e-● 帧速率：62 fps max.● 全快门模式● 操作简单（内置时序产生器）● 两级TE制冷
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷面阵图像传感器 G12460-0606S产品样册适用于二维红外成像的64 × 64像素图像传感器 G12460-0606S具有由一个CMOS读出电路（ROIC，读出集成电路）和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟突起电气连接组成的。ROIC内部的时序产生器使得仅仅通过外部数字输入主时钟和主开始信号，就可以获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有64×64个像素，间距为50um，信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号，再通过铟突起输入ROIC。 ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号，然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为TO-8密封封装，内含一级TE制冷，成本低，稳定性高。
产品特性● 通过偏置补偿，获得出色线性度● 光谱响应范围：1.12~1.9μm● 灵敏度：1600 nV/e-● 全像素同步积分（全局快门模式）● 操作简单（内置时序产生器）● 一级TE制冷● 低成本
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷面阵图像传感器 G12242-0707W产品样册适用于二维红外成像的128 ×128像素图像传感器 G12242-0707W具有由一个CMOS读出电路（ROIC，读出集成电路）和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟突起电气连接组成的。ROIC内部的时序产生器使得仅仅通过外部数字输入主时钟和主开始信号，就可以获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有128×128个像素，间距为20μm，信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号，再通过铟突起输入ROIC。 ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号，然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为TO-8密封封装，内含二级TE制冷，成本低，稳定性高。
产品特性● 光谱响应范围：0.95~1.7μm● 灵敏度：1μV/e-● 帧率：Zda258 fps，可选全局快门和卷帘快门模式● 操作简单（内置时序产生器）● 二级TE制冷● 低成本
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷面阵图像传感器 G11097-0606S产品样册适用于二维红外成像的64 × 64像素图像传感器 G11097-0606S具有由一个CMOS读出电路（ROIC，读出集成电路）和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟突起电气连接组成的。ROIC内部的时序产生器使得仅仅通过外部数字输入主时钟和主开始信号，就可以获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有64×64个像素，间距为50um，信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号，再通过铟突起输入ROIC。 ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号，然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为TO-8密封封装，内含一级TE制冷，成本低，稳定性高。
产品特性● 通过偏置补偿，获得出色线性度● 灵敏度：1600 nV/e-● 全像素同步积分（全局快门模式）● 操作简单（内置时序产生器）● 一级TE制冷● 低成本
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册铟镓砷探测器产品样册2016-10-19 17:25
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