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2024-09-12 18:27 423阅读次数
对10 k至100 keV的X射线有高敏感度的图像传感器
NMOS线性图像传感器是自扫描光电二极管阵列，专门为多通道光谱检测器设计。扫描电路由N沟道MOS晶体管组成，功耗低，易于操作。每个光电二极管都有一个大的有效区域，高紫外线灵敏度和非常低的噪声，即使在低光照水平下也能保证高S / N比。电流输出型NMOS线性图像传感器还具有出色的输出线性性和宽动态范围。 S3901-256FX图像传感器是S3901-F系列NMOS图像传感器的变种。 S3901-256FX采用荧光涂层光纤板（FOP）作为光输入窗口，用于检测X射线和电子。 S3901-256FX对10 k至100 keV的X射线具有特别高的灵敏度。该传感器使用的磷光体材料是硫化钆（Gd2O2S：Tb），其组成成分经过精心选择，以提供**的灵敏度和分辨率，并且能在550nm波长处峰值发射。 S3901-256FX有源区由光电二极管阵列组成，像素阵列的间距为50微米，高度为2.5毫米。 Hamamatsu S3904系列NMOS线性图像传感器也可以使用涂有与S3901-256FX相同的荧光材料的FOP窗口。使用没有磷光体和FOP窗口的光电二极管还能够在低于10keV的能量水平下直接检测X射线。
产品特性
● 宽活动区域
● 低暗电流和高饱和电荷保证了在室温下实现长积分时间和宽动态范围
● 出色的输出线性性和灵敏度空间均匀性
● 更低的功耗：Zda1 mW。
● 启动脉冲和时钟脉冲与CMOS逻辑兼容
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NMOS线性图像传感器 S3901-256FX产品样册2020-03-10 12:38
产品样册
NMOS线性图像传感器 S3901-256FX产品样册对10 k至100 keV的X射线有高敏感度的图像传感器
NMOS线性图像传感器是自扫描光电二极管阵列，专门为多通道光谱检测器设计。扫描电路由N沟道MOS晶体管组成，功耗低，易于操作。每个光电二极管都有一个大的有效区域，高紫外线灵敏度和非常低的噪声，即使在低光照水平下也能保证高S / N比。电流输出型NMOS线性图像传感器还具有出色的输出线性性和宽动态范围。 S3901-256FX图像传感器是S3901-F系列NMOS图像传感器的变种。 S3901-256FX采用荧光涂层光纤板（FOP）作为光输入窗口，用于检测X射线和电子。 S3901-256FX对10 k至100 keV的X射线具有特别高的灵敏度。该传感器使用的磷光体材料是硫化钆（Gd2O2S：Tb），其组成成分经过精心选择，以提供**的灵敏度和分辨率，并且能在550nm波长处峰值发射。 S3901-256FX有源区由光电二极管阵列组成，像素阵列的间距为50微米，高度为2.5毫米。 Hamamatsu S3904系列NMOS线性图像传感器也可以使用涂有与S3901-256FX相同的荧光材料的FOP窗口。使用没有磷光体和FOP窗口的光电二极管还能够在低于10keV的能量水平下直接检测X射线。
产品特性
● 宽活动区域
● 低暗电流和高饱和电荷保证了在室温下实现长积分时间和宽动态范围
● 出色的输出线性性和灵敏度空间均匀性
● 更低的功耗：Zda1 mW。
● 启动脉冲和时钟脉冲与CMOS逻辑兼容
[详细]2024-09-12 18:27
产品样册NMOS线性图像传感器 S3901-512FX产品样册2020-03-10 12:38
产品样册CMOS线性图像传感器 S12198-512Q-01产品样册在UV区域中平滑改变光谱响应特性
S12198系列是使用垂直长像素（25×500μm）的CMOS线性图像传感器。 它们在UV区域具有平滑变化的光谱响应特性，并采用增益切换功能。
产品特性
● 像素大小：25×500μm
● 512像素
● 有效光敏区长度：12.8毫米
● 增益切换功能
● 在UV区域中平滑地改变光谱响应特性
（光谱响应范围：200至1000 nm）
● 对所有像素同时电荷积分
● 多种积分时间功能
（电子快门功能）
● 5V单电源供电
● 内置时序产生电路、操作只需要按下开始和输入时钟脉冲信号。
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册CMOS线性图像传感器 S10226-10产品样册小型树脂密封CMOS图像传感器
产品特性
● 结构紧凑，性价比高
● 像素间距:7.8 um像素高度:125 um
● 1024像素
● 3.3 V单次供电运行
● 高灵敏度，低暗电流，低噪音
● 片上电荷放大器，具有优良的输入输出特性
● 内置定时发生器，只允许启动和时钟脉冲输入操作
● 视频数据速率:200khz max
● 光谱响应范围:400 ~ 1000 nm
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册CMOS线性图像传感器 S14416-02产品样册400 dpi宽动态范围传感器
S14416系列是低电流消耗线阵CMOS图像传感器，具有10 MHz视频数据速率。 像素尺寸为63.5×63.5μm。
产品特性
● 像素尺寸：63.5×63.5μm
● 256像素
● 高速数据速率：Zda10 MHz
● 单电源3 V或5 V电压
● 内置时间发生器、使用只需输入开始脉冲和时钟脉冲
● 低电流消耗
● 可以同时集成
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册CMOS线性图像传感器 S13774产品样册高速读取（100 klines / s）
S13774是一款为需要高速扫描的工业相机而开发的线阵CMOS图像传感器， 列-行读出系统具有每个像素的读取放大器和A / D转换器，允许高速读出。 A / D转换器分辨率， 10位（高速模式：Zda速度 100 klines / s ）或12位（低速模式：Zda速度 25 klines / s ）可选。 图像数据以180MHz LVDS格式串行输出。
产品特性
● 像素尺寸：7×7μm
● 像素数：4096
● 高速读取速度：100 klines / s
● 同时集成所有像素
● 3.3 V电源供电
● SPI通讯功能
● 内置10位/ 12位A / D转换器
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册CMOS线性图像传感器 S14739-20产品样册高灵敏度、拥有垂直长像素光敏区域
S14739-20是一款具有垂直方向长像素（14×200μm）光敏面结构的高灵敏度线性CMOS图像传感器。 该款图像传感器特性还包括UV区域的高灵敏度和高电阻。
S14739-20采用5 V单电源供电，适用于低成本光谱仪。 表面贴装型封装可以有效减少印刷电路板上的安装面积。
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册InGaAs线性图像传感器 G11477-256WB产品样册近红外传感器(0.9到2.15μm)
G11475 - G11478系列是一种用于近红外多通道分光光度法的InGaAs线性图像传感器。这些线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和CMOS芯片上形成的定时发生器组成。电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是在电荷集成模式下读取的，因此在近红外区域具有较高的灵敏度和稳定性。这些传感器具有更高的数据速率和更好的线性特性在高增益比以往的产品。该包装是密封的，提供了优良的可靠性。CMOS芯片上的信号处理电路可以使用外部电压从两种类型中选择转换效率(CE)。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对策电路
● 内置cd电路
● 操作简单(内置定时发生器)
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册InGaAs线性图像传感器 G9204-512DA产品样册用于DWDM波长监视器的图像传感器 G9204-512DA是一款InGaAs线性图像传感器，专为光通信中的WDM监控探测器而设计。该线性图像传感器包含CMOS电荷放大器阵列，CDS电路，偏移补偿电路，移位寄存器和定时发生器，以及InGaAs光电二极管阵列，并在近红外范围内提供高灵敏度和稳定操作。封装采用气密密封，可靠性高，光输入窗口采用抗反射涂层，提高了光检测效率。 CMOS芯片上的信号处理电路允许通过外部电压选择两个转换效率（CE）。当图像传感器在CE = 16nV / e-下操作时，可以获得宽动态范围，而在CE = 320nV / e-时可以获得高增益。
产品特征
● 宽动态范围
● 低噪音和低暗电流
● 两种可选的转换效率
● 抗饱和电路
● CDS电路
● 偏移补偿电路
● 操作简单（内置定时发生器）
● 高分辨率：25微米间距（512 ch）
● 低串扰
● 512 ch：2 video lines
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册InGaAs线性图像传感器 G11508-256SA产品样册近红外传感器（0.9至2.05μm）
G11508 系列是一款InGaAs线性图像传感器，专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比，这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封，可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率（CE）成为可能。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
●可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 操作简便（内置定时发生器）
● 高分辨率：25μm间距
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册InGaAs线性图像传感器 G11478-512WB产品样册近红外传感器（0.9至2.05μm）
G11475至G11478系列是一款InGaAs线性图像传感器，专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比，这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封，可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率（CE）成为可能。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 两种可选的转换效率
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 操作简便（内置定时发生器）
● 高分辨率：25μm间距
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册InGaAs线性图像传感器 G11478-256WB产品样册近红外传感器（0.9至2.05μm）
G11475至G11478系列是一款InGaAs线性图像传感器，专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比，这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封，可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率（CE）成为可能。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 操作简便（内置定时发生器）
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册InGaAs线性图像传感器 G11475-512WB产品样册近红外传感器（0.9至2.05μm）
G11475至G11478系列是一款InGaAs线性图像传感器，专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比，这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封，可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率（CE）成为可能。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 补偿电路
● 操作简便（内置定时发生器）
● 高分辨率：25μm间距
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册InGaAs线性图像传感器 G11475-256WB产品样册近红外传感器（0.9至2.05μm） G11475至G11478系列是一款InGaAs线性图像传感器，专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比，这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封，可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率（CE）成为可能。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 补偿电路
● 操作简便（内置定时发生器）
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册InGaAs线性图像传感器 G11476-256WB产品样册近红外传感器（0.9至2.05μm）
G11475至G11478系列是一款InGaAs线性图像传感器，专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比，这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封，可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率（CE）成为可能。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 操作简便（内置定时发生器）
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册InGaAs线性图像传感器 G11508-512SA产品样册近红外传感器（0.9至1.67μm）
G11508系列是一款InGaAs线性图像传感器，专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比，这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封，可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率（CE）成为可能。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 操作简便（内置定时发生器）
● 高分辨率：25μm间距
[详细]2020-03-10 12:37
产品样册CMOS线性图像传感器 S14416-06产品样册宽动态范围以及400 dpi
S14416系列是低电流消耗线阵CMOS图像传感器系列，具有10 MHz视频数据速率。 像素尺寸为63.5×63.5μm。
产品特性
● 像素尺寸：63.5×63.5μm
● 768像素
● 高速数据速率：Zda10 MHz
● 单电源3 V或5 V电压
● 内置时间发生器、使用只需开始脉冲和时钟脉冲
● 低电流消耗
● 同时积分能力
[详细]2024-09-18 18:09
产品样册CMOS线性图像传感器 S12198-1024Q-01产品样册在UV区域中平滑改变光谱响应特性
S12198系列是使用垂直长像素（25×500μm）的CMOS线性图像传感器。 它们在UV区域具有平滑变化的光谱响应特性，并采用增益切换功能。
产品特性
● 像素大小：25×500μm
● 1024像素
● 有效光敏区长度：25.6毫米
● 增益切换功能
● 在UV区域中平滑地改变光谱响应特性
（光谱响应范围：200至1000 nm）
● 对所有像素同时进行电荷积分
● 多种积分时间功能
（电子快门功能）
● 5V单电源供电
● 内置时序产生电路、操作只需要按下开始和输入时钟脉冲信号
[详细]2024-09-28 01:15
产品样册InGaAs线性图像传感器 G11477-512WB产品样册近红外传感器(0.9到2.15μm)
G11475 - G11478系列是一种用于近红外多通道分光光度法的InGaAs线性图像传感器。这些线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和CMOS芯片上形成的定时发生器组成。电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是在电荷集成模式下读取的，因此在近红外区域具有较高的灵敏度和稳定性。这些传感器具有更高的数据速率和更好的线性特性在高增益比以往的产品。该包装是密封的，提供了优良的可靠性。CMOS芯片上的信号处理电路可以使用外部电压从两种类型中选择转换效率(CE)。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对策电路
● 内置cd电路
● 操作简单(内置定时发生器)
● 高分辨率:25μm音高
[详细]2024-09-29 13:15
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