分子束外延系统定义

分子束外延系统为一种在物理学、化学、材料科学领域应用的分析仪器。

近十几年来在半导体工艺中发展起来的一项新技术包括分子束外延技术，其在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，通过一定的热运动速度，根据一定的比例由喷射炉中往基片上喷射去进行晶体外延生长而对单晶膜进行制备的一种方法。简称为MBE法。

分子束外延系统定义

分子束外延为一种新的晶体生长技术，简单称为MBE。该方法为在超高真空腔体中放置半导体衬底，以及根据元素的差异在喷射炉中（也在腔体内）分别放入需要生长的单晶物质，十分薄的（能够薄到单原子层水平）单晶体和几种物质交替的超晶格结构通过分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流可以在上述衬底上生长出来。不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长为分子束外延的主要研究对象。这种方法有着较低的生长温度，可以对外延层的层厚组分和掺杂浓度进行严格的控制。然而由于有着复杂的系统，生长速度比较慢，在一定程度上限制了生长的面积。

50年代，通过对真空蒸发技术制备半导体薄膜材料的应用使得分子束外延发展了起来。伴随着超高真空技术渐渐完善的发展，因为一系列崭新的超晶格器件通过分子束外延技术的发展被开拓了，使半导体科学的新领域得到了扩展，使得半导体物理和半导体器件受到的半导体材料的影响得到了进一步的说明。可以对超薄层的半导体材料进行制备为分子束外延的优点。外延材料有着较好的表面形貌，并且有着较大的面积以及较好的均匀性，能够使得不同掺杂剂或不同成份的多层结构制成。外延生长有着比较低的温度，对于外延层的纯度和完整性的提高相当的有帮助。化学配比较好的化合物半导体薄膜通过对各种元素的粘附系数的差别的利用能够制成。