分子束外延系统

●样品尺寸：４英寸基片向下兼容 ●10个源炉接口，其他数量可定制 ●具有快速进样及传样的特点；多达暂存5片样品，其他数量可定制 ●兼容SPM、RHEED、QCM、BFM等多种原位生长表征和监测手段 ●全自动化生长系统，可对各腔体真空泵实施操作、可控制各互联腔体插板阀、可进行工艺编程及实时监控系统状态；19寸触控式总控屏幕 ●集成化水电气模块，便于后期维护

全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等。

激光分子束外延(Laser MBE)是上个世纪90年代发展起来的一种新型高精密制膜技术，它集PLD的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了PLD方法制备的膜系宽，还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子等。

单独的MAPLE PLD系统。 有机和聚合物薄膜的沉积。 在同一室的附加沉积源(可选):脉冲电子沉积(PED)、射频/直流溅射和直流离子源。 负载锁定基底阶段。 与XPS分析系统集成，晶片就地从PLD系统转移到分析系统

OCTOPLUS 400 是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。

OCTOPLUS 500 MBE系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发专业分子束外延系统。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。标准的OCTOPLUS 500有11个呈放射状分布的源孔，可以根据需要增选3个源孔。

荷兰TSST脉冲激光沉积/激光分子束外延系统，脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。激光分子束外延系统（LMBE），是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。