背景知识
水系锌离子电池(ZIBs)因高安全性、低成本等优势成为储能领域的研究热点,但钒基正极材料存在严重的容量衰减问题。传统观点认为Zn2?嵌入引发的结构坍塌或副反应是主因,然而近年研究发现,H?可能主导电荷存储过程,但其与容量衰减的关联机制尚不明确。近日上海交大杨晓伟/同济赵晓莉/江西科技师范大学刘聪聪团队以“Probing Capacity Decay in Vanadium Oxide Cathodes of Aqueous Zinc-Ion Batteries Using Operando EQCM-D”为题在《ACS Energy Letters》上发表相关研究进展。
研究方法
研究团队通过QSense耗散型电化学石英晶体微天平(EQCM-D)实时追踪钒氧化物(V?O?)电极在充放电过程中的质量变化与离子扩散行为,结合纳米化改性策略(V?O?@PEDOT,VOP)抑制材料溶解。
EQCM-D核心作用:
1.实时质量监测:精准量化H?嵌入/脱出引起的电极质量波动,揭示V?O?溶解与OH?积累的直接关联(图1d-e)。
2.电荷载体鉴别:通过理论质量变化与实际数据的对比,证实H?是主导电荷载体(图2c-d),Zn2?仅参与副反应生成Zn?(OH)?V?O?等产物。
3.pH动态解析:调控电解液pH(4.3→1.0),发现低pH加剧材料溶解,验证H?嵌入诱导的局部碱性环境是容量衰减根源。
实验结果与分析
1.容量衰减机制:
商用V?O?在2 M ZnSO?中循环后容量损失达71.7%,EQCM-D显示其质量持续下降(图1d),归因于H?嵌入后OH?积累引发的V?O?溶解(反应式:V?O? + 4OH? → 2VO?(OH)?? + H?O)。
2.纳米片改性效果:
VOP电极通过PEDOT插层抑制OH?聚集,循环2000次后容量保持率高达98.2%(图1l),质量变化可逆性显著提升(图2a-b)。
3.充电机制的理论计算:
理论计算显示H?嵌入能(0.13 eV)远低于Zn2?(0.48 eV),且EQCM-D数据证实H?贡献超90%电荷存储(图2c)。
结论与展望
本研究通过EQCM-D技术首次明确H?主导的嵌入机制是钒基正极容量衰减的核心因素,并提出纳米片改性策略有效抑制溶解问题。该成果为高性能水系锌离子电池设计提供了新思路,未来可拓展至其他质子敏感型电极材料的优化开发。
基金支持
国家自然科学基金(22225801、22178217、W2441009)。
原文链接
https://doi.org/10.1021/acsenergylett.5c00901
瑞典科技简介
瑞典科技有限公司是一家专注于表界面分析、薄膜制备与表征和分子间相互作用领域的先进科研仪器生产商,是该研究领域的开创者和领导者。应用领域涵盖表界面、材料科学、生物科学、药物开发与诊断等众多研究领域。我们为用户提供高科技、精准的科研设备,同时为用户提供全面的技术和应用支持,知识是我们最大的资源,也是我们所做一切的重要组成部分。我们的用户遍及全球权威科研单位和顶级实验室,是表界面科学领域的专家。通过为他们提供先进的表界面表征与分析仪器,我们与客户携手共进,旨在应对简化实验室日常工作的挑战。
24小时热线:4008336968。
产品目录:
QSense:
耗散型石英晶体微天平测量仪
追踪分子运动,实时表/界面表征
KSV NIMA:
LB(Langmuir-Blodgett)膜分析仪
气液/液液/气固界面有序单/多层结构组装表征
布鲁斯特角显微镜
无损实时监测空气/水界面处分子层的图像
界面剪切流变仪
高灵敏度测量液体界面处的流变性能
浸渍镀膜机
无振动,可程序控制的固体样品浸渍方案
Attension:
表面张力/接触角测量仪
测接触角/表面张力/表面自由能/临界胶束浓度
全部评论(0条)
独立式KSV NIMA布鲁斯特角显微镜
报价:面议 已咨询 3713次
石英晶体微天平
报价:面议 已咨询 5191次
Q-Sense扩展版单通道石英晶体微天平
报价:面议 已咨询 5155次
Q-Sensezhuo越版四通道石英晶体微天平
报价:面议 已咨询 5702次
Q-Sense全自动八通道石英晶体微天平
报价:面议 已咨询 5486次
Theta 光学接触角仪
报价:面议 已咨询 4464次
Theta Lite 光学接触角仪
报价:面议 已咨询 4756次
光学接触角形貌联用仪
报价:面议 已咨询 4457次
①本文由仪器网入驻的作者或注册的会员撰写并发布,观点仅代表作者本人,不代表仪器网立场。若内容侵犯到您的合法权益,请及时告诉,我们立即通知作者,并马上删除。
②凡本网注明"来源:仪器网"的所有作品,版权均属于仪器网,转载时须经本网同意,并请注明仪器网(www.yiqi.com)。
③本网转载并注明来源的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品来源,并自负版权等法律责任。
④若本站内容侵犯到您的合法权益,请及时告诉,我们马上修改或删除。邮箱:hezou_yiqi
参与评论
登录后参与评论