氧化铪薄膜膜厚标准物质

Thin film thickness CRM of HfO2

    氧化铪薄膜膜厚标准物质用于校准表面分析设备如俄歇电子光谱仪、X 射线光电能谱仪及二次离子质谱仪的溅射速率，薄膜厚度测量设备如椭偏仪，确保这些设备在 1nm~10nm 范围测量时量值准确性、可比性，满足纳米材料及器件设计、制造等单位的需求。

一、样品制备

    采用ALD 生长方法，在 Si 基底上生长膜厚名义量值为 10 nm 的 Al2O3 作为界面缓冲层，在界面缓冲层上面沉积了名义值厚度为 10 nm 的 HfO2 薄膜，切割为 20 mm ´ 20 mm 的正方形，校准合格后采用铝箔包装袋真空包装。

二、溯源性及定值方法

    采用纳米薄膜厚度校准装置（[2014]国量标计证第 273 号）对标准物质定值。该校准装置基于布拉格方程，通过波长、角度测量的计量溯源，建立标准物质特性量值的计量溯源性，其中：角度测量量值通过激光干涉仪和自准直仪溯源至国家角度基准；X 射线波长测量量值通过单晶硅晶格参数溯源至长度的 SI 单位-米（m）。

三、特性量值及不确定度

    注：HfO2 层厚度为标准值，其余括号内的特性值为指示值（信息值）。

    标准值不确定度包括测量过程、测量设备、均匀性及稳定性等不确定度分量。

四、均匀性及稳定性评估

    参照 JJF1343 国家计量技术规范（等效 ISO 指南 35），采用掠入射 X 射线反射技术，通过方差分析法进行均匀性评估，评估结果表明，样品均匀性良好；采用掠入射 X 射线反射技术，对样品进行稳定性评估，评估结果表明，样品稳定性良好。

    本标准物质自定值日期起有效期 12 个月，研制单位将继续跟踪监测该标准物质的稳定性，有效期内如发现量值变化，将及时通知用户。

五、包装、贮存及使用

    包装：本标准物质内包装为半导体封装盒，外包装为铝箔真空袋，每包装为一片，20 mm ´ 20 mm；贮存：真空包装，阴凉、干燥处存放；

    使用注意事项：样品开封使用应保证取样工具等洁净避免沾污。建议本标准物质开封后用于一次检定/校准活动，在确保使用后无变形、无污染时可多次使用，但其量值仅可作为期间核查。

声明

1．本标准物质仅供实验室研究与分析测试工作使用。因用户使用或储存不当所引起的投诉，不予承担责任。

2．收到后请立即核对品种、数量和包装，相关赔偿只限于标准物质本身，不涉及其他任何损失。

3．仅对加盖“ZG计量科学研究院标准物质专用章”的完整证书负责。请妥善保管此证书。

4．如需获得更多与应用有关的信息，请与技术咨询部门联系。