SMB100B- B140 ( 8 KHZ~40 GHZ ) FR信号发生器
SGS100A- B106 ( 1 MHZ~6 GHZ ) FR信号发生器
SMB100B- B106 ( 8 KHZ~6 GHZ ) FR信号发生器
SGS100A- B112 ( 1 MHZ~12.75 GHZ ) FR信号发生器
SMB100B- B112 ( 8 KHZ~12.75 GHZ ) FR信号发生器
主要规格
▶ 频率范围 :1 MHz ~ 3 / 6 GHz(CW 信号、内部基带)
▶ 功率范围(PEP):-120 dBm ~ +17 dBm(PEP、1 MHz < f < 6 GHz)
▶ SSB 相位噪声(f=1 GHz)20 kHz 频偏 :< -133 dBc/Hz(典型值)
▶ RF 调制带宽 :最大 240 MHz(内置基带)、最大 1 GHz(外部基带)
▶ 外形尺寸(W×H×D):246 ㎜ × 52.5 ㎜ × 401 ㎜
▶ 重量 :4 kg
主要特点
▶ 快速切换频率和电平
▶ I/Q 调制带宽高达 240 MHz
▶ 出色的射频特性,实现优越的 EVM 和 ACLR 性能
▶ 轻松根据 5G 或 WLAN 等数字标准生成信号
▶ 适用于在 MIMO 应用中增强 R&S®SMW200A 的功能
▶ 适用于包络跟踪和数字预失真
硬件更新后,可以输出对应于包络跟踪和数字预失真的信号。面向生产线上的
放大器测量,可以提供紧凑、低价格的产品,并且实现高精度。
▶ 调制宽带可以扩展至 240 MHz
在输出 160 MHz 带宽以实现 IEE802.11ac 理论上的最大速度时,通过使用可在
240 MHz 带宽输出信号的 R&S®SGT100A,提高 EVM。
▶ R&S®SGT100A 是一款带集成式基带发生器的射频矢量信号发生器
该产品经过优化,适用于生产及自动化应用。R&S®SGT100A 明确以自动化环境为中心,运行速度快且设计紧凑。
射频链经过优化,能够快速地切换频率和电平。在基带中,多段波形模式有助于用户快速切换测试信号。尽管尺寸
紧凑,但 R&S®SGT100A 仍具有出色的射频特性,可提供优异的信号质量和电平准确性。大额输出电平、电平可
重复性以及出色的 EVM 性能是生产环境中的主要特点。R&S®SGT100A 带有 LAN 和 USB 接口,能够在自动化应
用中远程控制测试设备。
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特点: -50kHz - 6GHz频率范围 -低漂移: 内置温度补偿最小化漂移 -高线性度 -改进的测量重复性: < 0.1dB typ -高动态范围: 110dB在5.8GHz (VNA6000-B) -高动态范围: 95dB在5.8GHz (VNA6000-A) -可调IFBW: 实现测量速度和噪声之间的最佳权衡 可以测量窄带设备 -可以连接到PC (NanoVNA-QT软件): S参数导出
特点: -50kHz - 6GHz频率范围 -低漂移: 内置温度补偿最小化漂移 -高线性度 -改进的测量重复性: < 0.1dB typ -高动态范围: 110dB在5.8GHz (VNA6000-B) -高动态范围: 95dB在5.8GHz (VNA6000-A) -可调IFBW: 实现测量速度和噪声之间的最佳权衡 可以测量窄带设备 -可以连接到PC (NanoVNA-QT软件): S参数导出
规格 频率范围:40 MHz至40 GHz 测量参数:S11,S21,S12,S22,TDR等 动态范围:132dB 测量速度:80ms (201个点) 阻抗:50Ω 控制接口:USB 支持操作系统:Windows Linux
特性:1、电极内缩,可减小装配短路风险2、微波性能优良,适用频率 100kHz~40GHz3、表面金电极,适合于金丝键合应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF 旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、在 IC 封装中可减少引线长度并提高性能3、降低组装的复杂性和成本应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、适合于电路设计和调整应用:主要应用于匹配网络、并联谐振回路、介质谐振的调谐或耦合。
特性:1、体积小、容量大(容量为10nF~100nF)2、容量温度系数好(TCC为X7R、X7S)3、工作电压高(可达100V)应用 :主要应用于高电压的滤波、旁路等。
特性:在氧化铝、氮化铝、氧化铍、铁氧体、微晶玻璃、石英等电路基片上沉积功能薄膜,将薄膜电感、薄膜电阻和分布参数电路元件集成在同一电路板,构成薄膜电路。所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好,工作可达40GHz,并且集成度高、尺寸小。产品包括薄膜电路、陶瓷支撑片短路片及热沉片、薄膜微带线、金锡预成型焊盘等。