850nm 2.5Gbps GaAs PIN PD Chip φ75um
InGaAs 雪崩单元探测器 APD-2G-A-FS
900-2700nm 大光敏面InGaAs 铟镓砷光电二极管 φ2mm
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 非制冷型
雪崩式光电探测器(APD)








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高透过率 复消色差设计 像平面一致性 长工作距离
平场设计 复消色差校正 高分辨率 紫外波段
尺寸紧凑 紫外 - 近红外(200 nm - 1050 nm) 最短积分时间 1 ms 光谱分辨率>0.5 nm 16 位数字化仪 读取速度>2.0 MHz 即插即用 USB 2.0 接口
尺寸紧凑 紫外杂散光低 具备紫外及紫外 / 近红外标准配置 光谱分辨率>0.4 nm 16 位数字化仪 最短积分时间 1 ms 读取速度>2.0 MHz 即插即用 USB 2.0 接口
易于集成 统一的可比数据 多感兴趣区域 可升级固件
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