850nm 2.5Gbps GaAs PIN PD Chip φ75um
InGaAs 雪崩单元探测器 APD-2G-A-FS
900-2700nm 大光敏面InGaAs 铟镓砷光电二极管 φ2mm
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 非制冷型
雪崩式光电探测器(APD)








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高性能 高集成度 高灵活性 相干接受收
高精度 断电保持 双重控制
宽光谱响应 高量子效率 高动态范围 抗溢出与温度控制
结构紧凑 集成度高 性能优秀 精准可靠
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高灵敏度 结构紧凑 可集成
高饱和输出功率(800mW) 高稳定性和高可靠性 优良散热结构 可远程控制
低半波电压 低插入损耗 质子交换波导 优异的长期稳定性