罗德与施瓦茨 RS NRX 功率计主机
罗德与施瓦茨RS NRT2 反射功率计主机
罗德与施瓦茨RS NRP Z211 ~ 8GHz 二极管功率传感器
罗德与施瓦茨RS NRP Z221 ~ 18GHz 二极管功率传感器
罗德与施瓦茨RS NRP18P ~ 18GHz 脉冲功率传感器
罗德与施瓦茨 RS热功率探头NRP18T:DC ~ 18 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP18TN:DC ~ 18 GHz LAN 接口
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP33T:DC ~ 33 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP33TN:DC ~ 33 GHz LAN 接口
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP40T:DC ~ 40 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP40TN:DC ~ 40 GHz LAN 接口
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP50T:DC ~ 50 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP50TN:DC ~ 50 GHz LAN 接口
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP67T:DC ~ 67 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP67TN:DC ~ 67 GHz LAN 接口
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP90T:DC ~ 90 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP90TN:DC ~ 90 GHz LAN 接口
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP110T:DC ~ 110 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP75TWG:50 GHz ~ 75 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP75TWGN:50 GHz ~ 75 GHz LAN 接口
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP90TWG:60 GHz ~ 90 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP90TWGN:60 GHz ~ 90 GHz LAN 接口
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP110TWG:75 GHz ~ 110 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP110TWGN:75 GHz ~ 110 GHz LAN 接口
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP170TWG:110 GHz ~ 170 GHz
罗德与施瓦茨 RS热功率探头 NRP170TWGN:110 GHz ~ 170 GHz LAN 接口
主要特点
▶探头型号:NRP18T / 18TN33T / 33TN / 40T / 40TN / 50T / 50TN / 67T / 67TN / 90T / 90TN / NRP110T
/ 75TWG / 75TWGN / 90TWG / 90TWGN/110TWG/110TWGN/170TWG/170TWGN
▶频率范围:DC 至 170 GHz
▶动态范围:–35 dBm 至 +20 dBm
▶通过 USB 和 LAN 控制和监测(仅限 R&S®NRPxxTN)
▶适合生产、研发和校准实验室以及安装和维护任务
▶具有卓越性能,适用于参考应用
▶内部校准测试确保测量可靠且稳定
▶出色的阻抗匹配
▶用于参考应用和校准实验室的精确功率测量
R&S®NRP 功率计探头因其卓越的精度和速度一直广受认可。R&S®NRPxxT、R&S®NRPxxTN 和 R&S®NRPxxTWG
热功率探头非常适合准确度要求高的复杂测量任务。这些探头将一流的阻抗匹配与精密的连接器概念相结合。内部校准
测试确保测量可靠且稳定。R&S®NRP 功率计探头可用作 USB 探头,还可通过 LAN 进行控制。R&S®NRP 功率计产
品系列非常适合生产、研发和校准实验室以及安装和维护任务。








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特性:1、电极内缩,可减小装配短路风险2、微波性能优良,适用频率 100kHz~40GHz3、表面金电极,适合于金丝键合应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF 旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、在 IC 封装中可减少引线长度并提高性能3、降低组装的复杂性和成本应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、适合于电路设计和调整应用:主要应用于匹配网络、并联谐振回路、介质谐振的调谐或耦合。
特性:1、体积小、容量大(容量为10nF~100nF)2、容量温度系数好(TCC为X7R、X7S)3、工作电压高(可达100V)应用 :主要应用于高电压的滤波、旁路等。
特性:在氧化铝、氮化铝、氧化铍、铁氧体、微晶玻璃、石英等电路基片上沉积功能薄膜,将薄膜电感、薄膜电阻和分布参数电路元件集成在同一电路板,构成薄膜电路。所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好,工作可达40GHz,并且集成度高、尺寸小。产品包括薄膜电路、陶瓷支撑片短路片及热沉片、薄膜微带线、金锡预成型焊盘等。
特性:1、电阻、电容集成在一起,降低元件数量2、可金丝键合应用:主要应用于微波集成(MIC)中 ,可缩小电路空间,降低元件成本。
特性:1、可焊性及键合性能良好2、四面金属的产品具有良好的导电性3、热沉片热导性能好4、与芯片的热膨胀匹配度高5、电极耐温特性 400℃ 10min6、可根据客户要求定制外形尺寸,使用方便应用:在微波集成电路及光通讯电路中使用,起支撑、缩短金丝长度、散热等作用。
特性:1.高品质因素,高介电常数 20~1302.接近于零值的谐振频率温度系数,具有优良的温度稳定性3.基片平整,可到 2 英寸4.可用于制备单层电容器、薄膜电路、微波介质天线等应用:主要用于制造微波单层片式电容器、微波薄膜电路等。