HPGe高纯锗晶体

产地

德国

物理性质

颜色

银灰色

属性

半导体材料

密度

5.32g/cm3

熔点

937.2℃

沸点

2830℃

技术指标

材料均匀度

特级

光洁度

特优

纯度

99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)

制备方式

用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。

产品规格

P、N型按客户要求定制

产品用途

超高纯度，红外器件、γ辐射探测器

P型N型高纯锗

在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；

在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。

交货期

90天

产地

德国

物理性质

颜色

银灰色

属性

半导体材料

密度

5.32g/cm3

熔点

937.2℃

沸点

2830℃

技术指标

材料均匀度

特级

光洁度

特优

纯度

99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)

制备方式

锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。

产品规格

P、N型按客户要求定制

产品用途

超高纯度，红外器件、γ辐射探测器

P型N型高纯锗

在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；

在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。

交货期

90天