高性能硒化铅(PbSe)单通道红外探测器(非制冷与制冷型)
100Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ10um
10Gbps InGaAs PIN PD Chip φ50um
100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um
10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um












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已咨询1327次制冷型红外探测器
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报价:¥199999
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在1-5微米波段具有快速高灵敏度 为宽动态范围测量提供高信噪比性能 为中红外应用提供最快响应速度 高可靠性,使用寿命长 在1-5微米光谱范围内具备z佳综合性能
数据速率高达 200-800Gbps 底部发光平面结构 GSG 电极结构
φ50um 有效面积 高响应度 正面正极/负极焊盘
光谱范围:350nm—2400nm 波前畸变:典型值1/5 wave,更高精度可定制 波前均匀性:<1/40 wave RMS 空间频率:125 lp/mm —-3600lp/mm
玻璃或熔融石英材料的聚合物 与高效率激光系统相兼容 包装比接近100% AR涂层
高采样率 高分辨率 双通道同步采集
20pmMin. 光谱分辨率 600~1700nm光谱扫描范围 78dB大动态范围 -90dBmz高灵敏度 支持空间光输入 内置光源输出配置可选 强大的多应用光谱数据分析功能 12.1英寸触控显示、全中文操作