2.5G-PON InGaAs PIN PD Chip φ45um

2.5G-PON InGaAs PIN PD Chip φ45um

数据速率高达 2.5Gbps φ45um 有效面积 采用 Super-TIA，灵敏度高 正面设有阳极/阴极焊盘

1.25-2.5 Gbps InGaAs PIN PD Chip φ70um

数据速率高达2.5Gbps φ70um有效面积 高响应度 顶照式平面结构

InGaAs Tap-PD Chip For EDFA φ80um

高线性度 φ80um有效面积 高响应度 顶照式平面结构

双通道低噪声激光二极管线性驱动模块

763nm 单模VCSEL激光器 （不带TEC,适用于氧气传感）

100 MHz 光谱带宽 波长可调谐性 带增透膜的 TO-46 窗口 专为氧气传感优化

InGaAs 雪崩单元探测器 APD-2G-A-FS

噪声低 高增益 内置高压电源 APD温度补偿 结构紧凑 内置低噪隔离电源

DUV深紫外皮秒混合激光器 266nm (大于8W 15ps 200-1000kHz)

高光束质量 非常适合可处理几瓦输出的加工，并且受控输出可使用有史以来z高等级的激光器进行高质量加工，光束质量为 M² < 1.3。 紧凑型 这一革命性的设计成功地消除了大量组件，使轻型设备的重量比传统振荡器轻约 20 公斤。组件数量的减少也有助于降低成本。 高脉冲能量 在结构中采用双固态放大器提高了输出，从而能够以稳定的高脉冲能量实现高效、高速钻孔和切割。 脉冲分割模式 脉冲分割模式可以控制低重复频率，从而实现一次性处理。

2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um

数据速率高达 2.5Gbps φ50um 有效面积 高响应度 顶照式平面结构