微纳/MEMS代工/光刻/镀膜/刻蚀/注入/键合加工/MEMS器件定制

微纳加工外协|光电器件|MEMS|干法刻蚀|离子束|紫外光刻|电镀

纳米加工分为三个不同的领域：薄膜、光刻和蚀刻。

关于薄膜，采用蒸镀等物理气相沉积方法；溅射；和脉冲激光和化学气相沉积对低压 CVD、等离子体增强 CVD 和原子层沉积等 (CVD) 进行了综述。

关于光刻，首先讨论接触掩模光刻的原理，然后是紫外 (UV) 投影光刻，最.后是用于集成电路制造的更先进的系统，如深紫外 193 纳米和浸没式光刻系统。简要回顾了诸如双图案和自对准图案等分辨率增强技术。还讨论了非光学光刻，例如电子束光刻、聚焦离子束光刻和纳米压印光刻。

关于蚀刻的。主题包括湿法化学蚀刻、等离子蚀刻和深硅蚀刻中使用的技术。

　　Cleanroom洁净实验室

　　·洁净室面积约1000平方米（870平千级，130平百级）分布式和ballroom相结合的洁净室布局

　　（定位研发到量产）

　　·设备总投资1.2亿，3—8寸微纳加工研发线

　　·主要工艺能力：光刻、镀膜（PVD、CVD）、刻蚀（ICP、IBE，湿法）、键合、CMP

　　·表征测试，封装，器件测试等

　　·材料制备＋器件工艺＋器件加工＋材料测试／器件测试

　　特色实验室

　　·洁净室面积约800平方米

　　·先进的开放互动式实验平台布局

　　·主要工艺能力：超滑器件加工测试，超疏水实验

　　·特色微机械加工，多种微纳器件测试系统等

　　·工艺布局：干湿分离，动静按需求切换

　　实验室平台拥有设备等共计200余台，其中主要设备（40余台）包括：

　　·图形化设备

　　电子束曝光、激光直写、台式接触式光刻机、桌面式光刻机等

　　·薄膜沉积设备

　　ICP-PECVD、LPCVD、磁控溅射、电子束蒸发镀膜、PE-ALD、DLC薄膜沉积等、电镀 （Au、Ag、Cu、Ni、Sn等）

　　·刻蚀设备

　　ICP—RIE、RIE、IBE、DRIE深硅刻蚀、XeF2表硅刻蚀机、HF气相刻蚀等干法刻蚀设备和满足体硅、介质膜、金属氧化物、金属等的湿法刻蚀设备以及相配套的二氧化碳超临界释放设备

　　·表征和测试设备

　　AFM、台阶仪、Raman光谱、SEM、FIB、共聚焦显微镜、白光干涉仪、红外热成像仪、FEMTO—TOOLS微纳力学测试仪、超高速相机、3D多普勒激光测振仪、DC／RF探针台（60GHZ）、网络分析仪（60GHz）、半导体分析仪、阻抗分析仪以及高精度电学原表等

　　·器件后道封装设备

　　晶圆减薄、CMP抛光、晶圆键合、贴片机、划片机、打线机、固晶机、激光焊接机等团队自主研发的加工设备，封测设备。

　　平台技术能力

　　·工艺整合及平台能力

　　—导电DLC膜层（超滑副，导电超硬膜层等）

　　—AIN／PZT薄膜工艺（压电驱动材料）

　　—大尺寸高定向碳材料生长和器件加工工艺

　　—键合：阳极键合、玻璃焊料键合、共晶键合（AIGe）、扩散键合工艺

　　—气氛或真空封装、Reseal

　　—研磨减薄和原子级抛光工艺

　　—硅基全湿法微纳加工工艺—柔性衬底微纳器件加工

　　·制造与封测能力

　　—硅通孔（TSV）玻璃通孔（TGV）

　　—压力／气体／红外／湿度传感器

　　—微流控芯片加工和相关测试

　　一超滑射频／惯性器件加工能力

　　—Die的全封装能力