InGaAs单元探测器 (超低噪声模拟PIN探测器,铟镓砷单元探测器)

产品型号

PD-100M-A

PD-200M-A

PD-350M-A

PD-800M-A

PD-1.6G-A

单位

探测器类型

InGaAs

波长

800~1700

800~1700

800~1700

800~1700

800~1700

nm

带宽

DC-100M

DC-200M

DC-350M

AC-800M

AC-1.6G

HZ

探测器响应度

0.95@1550nm

0.95@1550nm

0.95@1550nm

0.95@1550nm

0.95@1550nm

A/W

跨阻增益

30k

30k

30k

30k/700

30k/700

V/A

饱和输入光功率

100

150

150

150/2000

150/2000

μW

NEP

5

5

5

9

9

pW/Sqrt(Hz)

输出阻抗

50

50

50

50

50

Ω

输出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

AC

AC

供电电压

5

5

5

12

12

V

供电电流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光学输入

FC/APC

FC/APC

FC/APC

FC/APC

FC/APC

射频输出

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

外形尺寸

65*50*20

75*55*25

75*55*25

75*55*25

75*55*25

mm