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硅(Si) 硅基光电探测器，带放大，固定增益 400-1100nm (DC-5MHz)

品牌：筱晓光子
型号/货号： PDA25A6B4G-VIS/E80040188
产地：上海黄浦区
供应商报价：面议

筱晓（上海）光子技术有限公司更新时间：2025-05-14 09:42:58

销售范围售全国

入驻年限第10年

营业执照已审核

同类产品Si硅光电探测器(20件)

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产品特点

感光面2.5mm*2.5 mm,
波长400 - 1100 nm,
带宽DC - 5MHz,
RMS噪声:700µV .typ,
电源:包含（±9V,
工作温度:10-50℃

详细介绍

总览

硅(Si) 硅基光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。

光谱响应

400-1100nm

带宽(Hz)

5 MHz

通用参数

产品特点：

低噪声，小于±lmV

过冲小，过冲电压小于2.5%

增益稳定：增益误差小于1%

暗偏置电压输出噪声：小于ImV (rms)

应用领域：

•显示面板检测

•LED照明频闪分析

•玩具灯闪烁频率及功率测量

•气体分析

搜狗截图20220217135438.png

参数

PN#	PDAM005B-Si	PDAM36A5B6G-SI	PDAM20A6B4G-InGaAs
电器特性
输入电压	±9VDC, 60mA	±9VDG 100mA	±9VDC. 100mA
探头	Silicon PIN	Silicon PIN	InGaAs PIN
感光面	2.65mm * 2.65mm	3.6mm * 3.6mm	Diameters@2 mm
波长	400 nm - 1100 nm	320 nm - 1100 nm	800 nm - 1700 nm (Optional Extended (可选扩展) 2600nm)
峰值响应	0.62A/W @850nm	0.6 A/W @960nm	0.9 A/W@1550nm
	43.6mV/uW @850nm	1 mV/nW @960nm	9mV/uW@1550nm
饱和光功率	113pW@ 850nm (Hi-Z)	6uW @960nm (Hi-Z)	660 uW@1550nm (Hi-Z)
带宽	DC •-5MHz	DC - 200kHz	DC - 5MHz
NEP	7.2 pW/4HZ^1/2	2.2 pW/HZ^1/2	64.5 pW/HZ^1/2
输出噪声（RMS）	700 uV	1 mV ・typ	1.3 mV .typ
暗电流偏置（MAX）	±5 mV	±1 mV	±5 mV
上升沿/下降沿（10%—90%）	65 ns	1.7 us	68ns
输出电压
Hi-Z	0- SV (Hi-Z)	0-6V (Hi-Z)	0-6V (Hi-Z)
500	0 • 2.5V (50ohm)	0 • 25V (50ohm)	0 • 25V (50ohm)
增益倍数
Hi-Z	67.5 kV/A	1.68 MV/A	10 kV/A
50Q	33.8 kV/A	0.84 MV/A	5kV/A
增益精度（typ）	±1%	±1%	±1%
其他参数
	拨动开关	拨动开关	拨动开关
输出接口	BNC	BNC	BNC
尺寸	535050mm	535050mm	535050mm
重量	150g	150g	150g
操作温度	10-50deg	10-50deg	10-50deg
存储温度	・25°C - 70°C	-25°C - 70°C	-25°C - 70°C

硅基光电探测器，带放大，固定增益,型号参考
硅基光电探测器，带放大，固定增益,型号参考
目录	波长	带宽	上升时间	增益		RMS噪声	NEP	感应面积	工作温度	电源
目录	波长	带宽	上升时间	Hi-Z 负载	50Ω 负载	RMS噪声	NEP	感应面积	工作温度	电源
PDA12A8B4G-VIS	400 - 1100 nm	DC - 140MHz	2.5 nS	1*10⁴V/A	5*10³ kV/A	850µV .typ	2*10^-11W/√HZ	1.2mm*1.2 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA12A7B4G-VIS	400 - 1100 nm	DC - 50MHz	7 nS	5*10⁴V/A	2.5*10⁴ kV/A	800µV .typ	6.3*10^-12W/√HZ	1.2mm*1.2 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA25A6B4G-VIS	400 - 1100 nm	DC - 5MHz	68 nS	1*10⁵V/A	5*10⁴ V/A	700µV .typ	5.3*10^-12W/√HZ	2.5mm*2.5 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA36A5B6G-VIS	320 - 1100 nm	DC - 200KHZ	1.7 µS	1.68*10⁶ V/A	8.4*10⁵ V/A	1mV .typ	2.2*10^-12W/√HZ	3.6mm*3.6mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA25A4B8G-VIS	400 - 1100 nm	DC - 20KHZ	18 µS	1*10⁸V/A	—	1.5mV .typ	1.8*10^-13W/√HZ	2.5mm*2.5 mm	10-50℃	包含（±9V）