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OSI常规硅光电二极管

品牌：美国OSI
货号： DLED-660/880-LLS-2
产地：美国
供应商报价：面议

北京先锋泰坦科技有限公司更新时间：2024-03-27 16:48:25

企业性质生产商

入驻年限第3年

营业执照已审核

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详细介绍

常规硅光电二极管

硅光电二极管是光电探测领域广泛使用的半导体探测元件，其应用领域涵盖生物化学分析、医疗设备、工业自动化、高速光通信、高能 X 射线探测等诸多领域。

美国 OSI Optoelectronics 公司是业内知名的光电二极管供应商，拥有几十年的光电探测器生产历史，能够提供高标准的光电探测解决方案。同时依托其在美国和海外的多处生产工厂， OSI 可在较短时间内向用户大批量供应产品。

光导 / 光伏型光电探测器

● 波长范围： 350-1100nm

● 高速响应：光导加偏压10ns

● 低暗电流： 0.01nA

● 高灵敏度： 0.65A/W

应用：光脉冲探测、光通信、条码阅读、医疗设备、高速光度测量

紫外增强型探测器

● 波长范围： 200-1100nm

● 高灵敏度： 0.14A/W@254nm

● 反转通道型： 100%内量子效率

● 平面扩散性：红外截止，高稳定度

应用：污染检测、紫外荧光、紫外线测试、水质净化、紫外线验钞

单点软 X 射线探测器

● 探测范围： 6eV-17600eV

● 直接探测，无需闪烁晶体，不需要加偏压

● 高量子效率，低噪声

● 真空低温可适应

应用： X 光医疗设备、放射量测定、 X 光光谱仪、带电粒子探测

位置灵敏探测器

● 四象限和线性位置探测

● 高精度、高分辨率、高速响应

● 在长时间和温度变化下仍可以保持高稳定性

应用：光路准直、位置测量、测绘、导航系统、表面分析

背照式硅光电二极管

背照式PD可以有效减少探测器边缘的无效区域，在提高性能的同时，其封装尺寸更接近芯片，因此阵列拼接和闪烁体安装非常容易。

应用：X 射线检测、计算机断层扫描和其他一般工业测量。

SPO2 专用发射管和接收管

OSI 公司的双波长 LED 发射管和接收管在 SPO2 领域有着极高的产品认可度，是高端产品的代名词。在中高端血氧监测领域占据着绝大多数市场。双波长发射管 DLED 包含一个 660nm 的红光 LED 和一个近红外LED，近红外波长 880nm、 895nm、905nm、 940nm 可选。

DLED 基本参数

型号	LED发射波长nm		封装形式	引脚	工作温度℃	存储温度℃
DLED-660/880-LLS-2	660	880	陶瓷贴片型	2引脚，背靠背	-25℃—+85℃	-40℃—+80℃
DLED-660/895-LLS-2		895
DLED-660/905-LLS-2		905
DLED-660/905-LLS-3		905		3引脚，共阳极
DLED-660/940-LLS-3		940		3引脚，共阳极
DLED-660/880-CSL-2		880	塑料直插型	2引脚，背靠背
DLED-660/895-CSL-2		895
DLED-660/905-CSL-2		905
DLED-660/905-CSL-3		905		3引脚，共阳极
DLED-660/940-CSL-3		940		3引脚，共阳极

OSI 针对 DLED 产品提供了WM的配套接收管，其在 660nm 和 IR 波段有着极高的灵敏度。配套接收管拥有较低的电容和暗电流，并提供三种有效感光尺寸可选。

接收管基本参数如下

型号	有效面积		光谱	灵敏度		电容	暗电流nA	ZD反	工作温度	存储温度	封装形式
	有效面积		范围	灵敏度		电容	暗电流nA	向电压	工作温度	存储温度
	面积	尺寸	nm	A/W		pF	-10V	V	℃	℃
	mm²	mm	nm	660nm	900nm	-10V	典型值	10μA	℃	℃
PIN-0.81-LLS	0.81	直径	350—	0.33	0.55	2	2	20	-25℃—	-40℃—	陶瓷贴片
PIN-0.81-CSL		1.02	1100			2	2		+85℃	+100℃	塑料直插
PIN-4.0-LLS	3.9	2.31x				10	5				陶瓷贴片
PIN-4.0-CSL		1.68				10	5				塑料直插
PIN-8.0-LLS	8.4	2.9x				25	10				陶瓷贴片
PIN-8.0-CSL		2.9				25	10				塑料直插

主要用途

技术资料

常规硅光电二极管

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