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Lumick公司c-Trap 单分子荧光光镊系统
- 品牌:上海屹持光电
- 型号: c-Trap
- 产地:上海 闵行区
- 供应商报价:¥100000
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屹持科学仪器香港有限公司
更新时间:2025-02-19 15:52:39
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销售范围售全国
入驻年限第7年
营业执照已审核
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产品特点
- C-Trap是世界上第一个动态单分子显微镜,允许同时进行分子操作并观察实时单分子相互作用的可视化。C-Trap系统将高分辨率光学镊子,荧光或无荧光标记显微镜与先进的微流体技术结合在一个真正集成的系统中。
详细介绍
Lumick公司c-Trap 单分子荧光光镊系统
产品介绍:
C-Trap是世界上di一个动态单分子显微镜,允许同时进行分子操作并观察实时单分子相互作用的可视化。C-Trap系统将高分辨率光学镊子,荧光或无荧光标记显微镜与先进的微流体技术结合在一个真正集成的系统中。
c-Trap旗下有两款主要产品
C-Trap®Dymo – 适用于DNA和蛋白质动力学和相互作用
C-Trap®Edge – 适用于细胞和细胞骨架表面操作
产品特点:
1.单个蛋白质直接实时动态可视化。
2.超高性能,高实时分辨率
3.分子可视化之间的无缝关联,并提供并行的多个数据流
4.使用方便
产品应用:
1.DNA结构分析
2.蛋白质折叠
3.分子机器和细胞骨架
4.表面成像
C-Trap为您提供三个关键功能:稳定和精确的样品操作和测量,各种各样的可视化功能,以及溶液和表面分析的高通量实验工作流程。下面探索C-Trap的不同光镊配置,并了解其操作和可视化功能。
单光阱: 双光阱: 四光阱:
用于测定稳定的表面高度 用于在溶液中进行试验 适合于研究复杂的相互作用
共聚焦荧光,可升级到STED超分辨率共聚焦:
共聚焦荧光:
凭借其快速的1D扫描能力,共聚焦针对1D结构(如DNA或细丝)进行了优化。多达3色共聚焦荧光,可同时显示多种蛋白质。
受激发射损耗显微技术:
可升级到C-Trap SR,配备了受激发射损耗(STED)纳米显微镜,以区分近距离的单个蛋白质,进行高分辨率(< 35 nm)实验。
全内反射荧光显微镜,广域荧光显微镜,干涉反射显微镜:
全内反射荧光显微镜: 适用于表面可视化,可以消除了焦平面外的背景荧光。
干涉反射显微镜(IRM): 允许在不需要荧光标记的情况下进行细胞微管可视化。
广域荧光显微镜: 在溶液中进行生物分子过程高采集率成像。
C-Trap®Dymo:
C-Trap Dymo是专门为在溶液测量而设计和优化的,可配备共聚焦显微镜或广域荧光显微镜以及可选的受激发射损耗显微镜,配备有两个或四个陷阱,提供了专门深入研究特定应用程序或提供给用户进行各种不同溶液测量的设备。
适用案例:
DNA结合蛋白质,研究中涉及到的DNA修复、修复、复制、编辑、转录和染色体组织的分子机制。
蛋白质折叠,研究蛋白质如何正确折叠并经历构象变化以完成其生物学功能。
相分离,实时测量蛋白滴的组装、融合和特性。
C-Trap Edge:
专为单分子水平的超稳定表面分析而开发的新一代工具。从自下而上设计,这种解决方案使科学家能够从一个新的动态角度研究细胞骨架。通过表面成像(smTIRF, IRM)和支持表面分析的工作流工具,它将表面成像和光学镊子的zui佳功能整合到一个完全集成的平台中。
适用案例:
细胞骨架结构和运输,研究细胞骨架纤维及其马达蛋白活性和机械特性。
生物力学,实时操作和研究细胞力学和功能。
Specifications of the C-Trap Dymo
型号
C-Trap Dymo
光镊
力分辨率(x,y)
< 0.1 pN @100 Hz
力稳定性(x,y)
< 0.3 pN 超过2min
力采样频率
78 kHz
双陷阱模式下zui大逃逸力(x,y)
> 1000 pN (4.5 μm 聚苯乙烯小球)
位移分辨率(力信号)
< 0.3 @100 Hz
位移分辨率(实时亮场)
< 3 nm @100 Hz
最小增量步长
0.5nm
运动范围
50 μm x 50 μm x 9 μm
独立陷阱数量为
1-2 or 1-4
宽视野/ 全反射荧光显微镜
宽视野和全反射荧光显微镜分辨率
衍射限制
像素尺寸
72nm
全视场相机帧率
> 125 Hz
视场大小
45 μm x 45 μm
全反射荧光显微镜色彩数
1-3
宽视野显微镜色彩数
1-3
干涉反射显微镜(IRM)
IRM分辨率
衍射限制
像素尺寸
~77
全视场相机帧率
>25Hz
视场大小
25μm x 25μm
样品处理
微流控技术(Microfluidics)
先进的微流体与自动阀门
jue对温度精度
0.2°C
温度控制稳定性
0.05°C
温度控制范围
房间温度zui高45°C
表面分析套件
纳米级测量,近表面力校准,高度测定
表面稳定性(z)
< 0.3 pN 超过2min
短链分析套件
陷阱深度(x,y)
< 0.1 nm drift over 10 minutes
短链分析
主动校准,短链压电跟踪,基线校正