第三代半导体晶圆测试高电压大电流源

   静态参数主要是指本身固有的，与其工作条件无关的相关参数。静态参数测试又叫稳态或者DC（直流）状态测试，施加激励(电压/电流)到稳定状态后再进行的测试。主要包括：栅极开启电压、栅极击穿电压、源极漏级间耐压、源极漏级间漏电流、寄生电容(输入电容、转移电容、输出电容)，以及以上参数的相关特性曲线的测试。第三代半导体晶圆测试高电压大电流源认准普赛斯仪表

    围绕第三代宽禁带半导体静态参数测试中的常见问题，如扫描模式对SiC MOSFET 阈值电压漂移的影响、温度及脉宽对SiC    MOSFET 导通电阻的影响、等效电阻及等效电感对SiC MOSFET导通压降测试的影响、线路等效电容对SiC    MOSFET测试的影响等多个维度，针对测试中存在的测不准、测不全、可靠性以及效率低的问题，普赛斯仪表提供一种基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案，具备更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力。具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

P300高精度脉冲源表

-      脉冲直流，简单易用

-      范围广，高至300V低至1pA

-      最小脉冲宽度200μs

-      准确度为0.1%

E系列高电压源测单元

-      ms级上升沿和下降沿

-      单台Z大3500V电压输出(可扩展10kV)

-      测量电流低至1nA

-      准确度为0.1%

HCPL 100高电流脉冲电源

-      输出电流达1000A

-      多台并联可达6000A

-      50μs-500μs的脉冲宽度可调

-      脉冲边沿陡(典型时间15us)

-      两路同步测量电压(0.3mV-18V)

    而GaN    HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米电路中，其机理相对更为复杂，主要体现在器件陷阱效应和自热效应中。GaN    HEMT器件的陷阱效应会引起栅和漏滞后效应，不利于建模工作和器件射频应用；而自热效应主要体现在脉宽对GaN HEMT器件测试的影响。因此，针对氮化镓(GaN)包括砷化镓(GaAs)等材料构成的高速器件的I-V测试，普赛斯仪表全新推出的CP系列脉冲恒压源可以高效快速解决测试难题。

CP系列脉冲恒压源

-      直流/脉冲两种电压输出模式

-      大脉冲电流，Z高可至10A

-     超窄脉宽，低至100ns

-      插卡式设计，1CH/插卡，Z高支持10通道

    普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！