国产半导体参数测试机iv曲线扫描仪
IGBT单管参数分析仪iv+cv一键测
国产半导体参数分析仪iv|cv特性曲线仪
国产半导体参选测试仪iv+cv曲线分析仪
半导体分立器件来料检测仪器iv+cv曲线分析仪
概述:
SPA-6100型1200V半导体分析仪替代4200是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。
基于模块化的体系结构设计,SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程,实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。

产品特点:
30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力;
测量精度高,全量程下可达0.03%精度;
内置标准器件测试程序,直接调用测试简便;
自动实时参数提取,数据绘图、分析函数;
在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线;
提供灵活的夹具定制方案,兼容性强;
免费提供上位机软件及SCPI指令集;
典型应用:
纳米、柔性等材料特性分析;
二极管;
MOSFET、BJT、晶体管、IGBT;
第三代半导体材料/器件;
有机OFET器件;
LED、OLED、光电器件;
半导体电阻式等传感器;
EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管;
电阻率系数和霍尔效应测量;
太阳能电池;
非易失性存储设备;
失效分析;
1200V半导体分析仪替代4200订货信息


报价:¥1000
已咨询179次半导体参数分析仪
报价:¥1000
已咨询248次半导体参数分析仪
报价:面议
已咨询397次Keithley数字源表
报价:面议
已咨询5049次半导体参数分析仪
报价:¥1000
已咨询307次半导体参数分析仪
报价:面议
已咨询556次系统集成测试仪器(租·售·修)
报价:¥55000
已咨询108次离线总有机碳(TOC)分析仪
报价:面议
已咨询398次半导体光学参数检测
不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能,还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求
武汉普赛斯P系列数字源表汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达30A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中
PMST系列igbt静态测试机igbt检测仪采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可生成I-V以及C-V特性曲线
用于光通行业的LD、TO-CAN、TOSA、EML以及碟形器件的TEC温度控制、LIV特性曲线、PV特性曲线和特性参数测试,以及光谱特性测试(需要外接光谱仪)。系统集温控器、电流源、电压源、电流表、电压表和光功率计等功能于一体,体积小、测试速度快、精度高,可以极大的提高器件测试的产量和质量
能够同时输出和测量电压电流,蕞大支持30V,500mA直流/脉冲输出,最小脉宽可达100μs。支持千兆以太网及RS422串口通信,支持源表标准SCPI指令集,支持多台源表同步触发,提高了系统测试效率并降低成本。
够同时输出和测量电压电流,蕞大支持±30V,±500mA直流/脉冲输出,最小脉宽可达100μs。支持千兆以太网及RS422串口通信,支持源表标准SCPI指令集,支持多台源表同步触发,提高了系统测试效率并降低成本
支持脉冲、直流PIV特性曲线扫描测试和特性参数计算,支持光谱特性测试(需要外接光谱仪)。仪表集脉冲电流源、电流表、电压表和光功率计等功能于一体,具有体积小、测试速度快、使用简单的特点
汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达30A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中