测试系统特点
IV曲线显示/局部放大,程序保护电流/电压,以防损坏,品种繁多的曲线,可编程的数据点对应,增加线性或对数,可编程延迟时间可减少器件发热,保存和重新导入入口程序,保存和导入之前捕获图象,曲线数据直接导入到EXCEL,曲线程序和数据自动存入EXCEL,程序保护电流/电压,以防损坏,测试范围广(19总大类,27分类)
系统规格及技术指标
主极电压: 1mV-2000V
电压分辨率: 1mV
主极电流: 0.1nA-50A
扩展电流: 100A
电流分辨率: 0.1nA
测试精度: 0.2%+2LSB
测试速度: 0.5mS/参数
工作温度: 25℃--40℃
工作湿度: 45%--80%
贮存湿度: 10%--90%
工作电压: 200v--240v
电源频率: 47HZ--63HZ
通信接口: RS232 USB
系统功耗: <150w
设备尺寸: 450mm×570mm×280mm
质 量: 35KG
报价:面议
已咨询5049次半导体参数分析仪
报价:面议
已咨询556次系统集成测试仪器(租·售·修)
报价:面议
已咨询398次半导体光学参数检测
报价:面议
已咨询330次高光谱
报价:面议
已咨询1859次泰克半导体参数分析仪
报价:¥1000
已咨询276次数字源表
报价:¥188
已咨询1791次分立器件测试仪
报价:面议
已咨询2174次泰克半导体参数分析仪
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A,500A)控制极/栅极电压40V,栅极电流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA,精度可至0.1%
1、STD2000/半导体分立器件静态参数测试仪系统 2、一机多用:一台设备可以覆盖常见的很多元器件,如Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦等 3、分辨率高:Z高至1.5uV / 1.5pA, 4、精度有保证:0.1% / 16 位 ADC、1M/S 采样率 5、测试参数全面:静态参数+IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on))/6、高压源:标配1400V 选配2KV/7、高流源:标配100A 选配40A,200A,500A 8、栅极电压:40V 9、栅极电流:100mA
华科智源功率器件测试仪,测试二极管 、IGBT,MOS管,SIC器件静态参数,并生产器件传输曲线和转移曲线,测试1600A,5000V以下的各种功率器件,广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
华科智源功率半导体参数测试仪,测试二极管 、IGBT,MOS管,SIC器件静态参数,并生产器件传输曲线和转移曲线,测试1600A,5000V以下的各种功率器件,广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
Agilent4156C/安捷伦4156C半导体参数分析仪 Agilent 4155C 半导体参数分析仪是用于高级器件表征的精确实验室台式解决方案。Agilent 41501B 扩展器将您的功能扩展到 1A/200V,并在 Agilent 4155C 上添加了一个低噪声接地单元和双脉冲发生器。
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Agilent/安捷伦4155C 半导体参数分析仪 描述 Keysight 4155C 半导体参数分析仪是一款经济gao效、精确、适用于先进器件表征的实验室用台式解决方案。41501B Expander 可将仪器的测量范围扩展至 1A/200V,并为 4155C 添加低噪声接地单元和双脉冲发生器。
Agilent/安捷伦4155C半导体参数分析仪 安捷伦4155C半导体参数分析仪是一款经济GX、适用于先进器件表征的实验室用台式解决方案。41501B Expander 可将仪器的测量范围扩展至 1A/200V,并为4155C添加低噪声接地单元和双脉冲发生器。