功率半导体参数测试仪
HUSTEC华科智源
HUSTEC-1600A-MT
功率半导体参数测试仪
一：功率半导体参数测试仪主要特点
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；
功率半导体参数测试仪测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。
二：华科智源功率半导体参数测试仪应用范围
A：IGBT单管及模块，
B：大功率场效应管（Mosfet）
C：大功率二极管
D：标准低阻值电阻
E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测
三、华科智源功率半导体参数测试仪特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；
序号 | 测试项目 | 描述 | 测量范围 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二极管正向导通压降 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二极管正向导通电流 | 0~1200A | ≤200A时,0.1A | ≤200A时,±1%±0.1A |
3 | ＞200A时,1A | ＞200A时,±1% | |||
4 | Vces | 集电极-发射极电压 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通态集电极电流 | 0~1200A | ≤200A时,0.1A | ≤200A时,±1%±0.1A |
6 | ＞200A时,1A | ＞200A时,±1% | |||
7 | Ices | 集电极-发射极漏电流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 栅极-发射极阈值电压 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集电极-发射极饱和电压 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向栅极漏电流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向栅极漏电流 | |||
12 | Vges | 栅极发射极电压 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
IGBT静态参数测试仪整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用
1) 物理规格
设备尺寸：500（宽）x 450（深）x 250（高）mm；
质量：30kg
2) 环境要求
海拔高度：海拔不超过 1000m；
储存环境：-20℃～50℃；
工作环境：15℃～40℃。
相对湿度：20%RH ~ 85%RH ；
大气压力：86Kpa～ 106Kpa。
防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
3) 水电气 用电要求：AC220V，±10%；
电网频率：50Hz±1Hz
报价：￥1
已咨询62次静态参数测试仪
报价：￥1
已咨询75次静态参数测试仪
报价：￥1000
已咨询347次功率器件测试系统
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已咨询160次功率器件测试系统
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报价：面议
已咨询330次半导体光学参数检测
报价：面议
已咨询301次光栅光谱仪
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）控制极/栅极电压40V，栅极电流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%
1、STD2000/半导体分立器件静态参数测试仪系统 2、一机多用：一台设备可以覆盖常见的很多元器件，如Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦等 3、分辨率高：Z高至1.5uV / 1.5pA， 4、精度有保证：0.1% / 16 位 ADC、1M/S 采样率 5、测试参数全面：静态参数+IV曲线（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on)）/6、高压源：标配1400V 选配2KV/7、高流源：标配100A 选配40A,200A,500A 8、栅极电压：40V 9、栅极电流：100mA
华科智源功率器件测试仪，测试二极管 、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
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Agilent4156C/安捷伦4156C半导体参数分析仪 Agilent 4155C 半导体参数分析仪是用于高级器件表征的精确实验室台式解决方案。Agilent 41501B 扩展器将您的功能扩展到 1A/200V，并在 Agilent 4155C 上添加了一个低噪声接地单元和双脉冲发生器。
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Agilent/安捷伦4155C 半导体参数分析仪 描述 Keysight 4155C 半导体参数分析仪是一款经济gao效、精确、适用于先进器件表征的实验室用台式解决方案。41501B Expander 可将仪器的测量范围扩展至 1A/200V，并为 4155C 添加低噪声接地单元和双脉冲发生器。
Agilent/安捷伦4155C半导体参数分析仪 安捷伦4155C半导体参数分析仪是一款经济GX、适用于先进器件表征的实验室用台式解决方案。41501B Expander 可将仪器的测量范围扩展至 1A/200V，并为4155C添加低噪声接地单元和双脉冲发生器。
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