特性
· 4156C提供4个内置的高分辨率的源/监控单元(HPSMUs),两个电压源单元(VSUs)和两个电压监控单元(VMUs)
· 1 fA 和0.2?UV的测试精度可满足开发新工技术和评价材料
· 全Kelvin,每个HRSMU有激励源、感应和接地端
· 完成准静态的电容对电压测试
· 自动提取处理参数而不需要人工操作屏幕光标
· 用极低泄漏的SMUs测量特有泄露特性
· 用集成的脉冲发生器和选择开关自动完成器件表征
· 用内置的应力模式完成晶片的可靠性测试
· 用图形用户界面完成“点击”测试
· 基于Windows环境的图形数据分析能力
· 旋钮扫描功能可以快速检验探针是否接触正常
· 待机模式不需要外部电源
· 触发模式可以同步AC/DC测试。
· IBASIC 用户功能可以绘图和分析数据。
Agilent4156C精密半导体参数测试仪
Agilent4156C精密半导体参数测试仪是Agilent下一代的精密半导体参数测试仪,4156C为高级器件表征提供了高精
顶 ji 参数分析的实验室平台。
较高的低电流、低电压分辨率和内置准静态CV测量能力,4156C还为以后和其他的测量仪器的扩展使用提供了坚实基础。
41501B扩展测量能力到1A/200V,并给Agilent4156C增加一个低的噪声接地单元和双脉冲发生器。





报价:¥9999
已咨询190次其他测试仪
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陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A,500A)控制极/栅极电压40V,栅极电流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA,精度可至0.1%
1、STD2000/半导体分立器件静态参数测试仪系统 2、一机多用:一台设备可以覆盖常见的很多元器件,如Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦等 3、分辨率高:Z高至1.5uV / 1.5pA, 4、精度有保证:0.1% / 16 位 ADC、1M/S 采样率 5、测试参数全面:静态参数+IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on))/6、高压源:标配1400V 选配2KV/7、高流源:标配100A 选配40A,200A,500A 8、栅极电压:40V 9、栅极电流:100mA
华科智源功率器件测试仪,测试二极管 、IGBT,MOS管,SIC器件静态参数,并生产器件传输曲线和转移曲线,测试1600A,5000V以下的各种功率器件,广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
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Agilent4156C/安捷伦4156C半导体参数分析仪 Agilent 4155C 半导体参数分析仪是用于高级器件表征的精确实验室台式解决方案。Agilent 41501B 扩展器将您的功能扩展到 1A/200V,并在 Agilent 4155C 上添加了一个低噪声接地单元和双脉冲发生器。
我们的优势: 品种齐全,货源充足,存库雄厚,服务快捷,维修能力强! 本公司二手仪器货源广阔,jue 大部分将继续直接从国外引进,成色新,价格 低,性价比极高,并且在售后服务方面尽 zui 大努力做到 zui 好!欢迎来电 垂询 或亲临选购,并欢迎预订。
Agilent/安捷伦4155C 半导体参数分析仪 描述 Keysight 4155C 半导体参数分析仪是一款经济gao效、精确、适用于先进器件表征的实验室用台式解决方案。41501B Expander 可将仪器的测量范围扩展至 1A/200V,并为 4155C 添加低噪声接地单元和双脉冲发生器。
Agilent/安捷伦4155C半导体参数分析仪 安捷伦4155C半导体参数分析仪是一款经济GX、适用于先进器件表征的实验室用台式解决方案。41501B Expander 可将仪器的测量范围扩展至 1A/200V,并为4155C添加低噪声接地单元和双脉冲发生器。