设备概览
基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪,具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析,空间分辨率< 800nm (典型值),也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件,可对数据进行拟合计算,直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定,重复性好,可用于实验室检验或者产线监测。

① 光路接口盒:
内置常用激光器及激光片组,拓展激光器包含自由光及单模光纤输入;
② 光路转向控制:
光路转向控制可向下或向左,与原子力、低温、探针台等设备连用,可升级振镜选项
③ 明视场相机:
明视场相机代替目镜
④ 显微镜:
正置科研级金相显微镜,标配落射式明暗场照明,其它照明方式可升级
⑤ 电动位移台:
75mm*50mm 行程高精度电动载物台,1μm 定位精度
⑥ 光纤共聚焦耦合:
光纤共聚焦耦合为可选项,提高空间分辨率
⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合:
标配CCD- 狭缝耦合方式,可使用光谱仪成像模式,高光通量
⑧ 光谱CCD:
背照式深耗尽型光谱CCD相机, 200-1100nm 工作波段,峰值QE > 90%
⑨ 320mm 光谱仪:
F/4.2高光通量影像校正光谱仪, 1*10-5 杂散光YZ比
SPM300 半导体参数测试仪主要应用

选型表
| 型号 | 描述 |
| SPM300-mini | 基础款半导体参数分析仪,只含一路532nm 激光器,常规正置显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台 |
| SPM300-SMS532 | 多功能型半导体参数分析仪,含532nm 激光器,常规正置显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台, 可升级耦合最多4 路激光器 |
| SPM300-OM532 | 开放式半导体参数测试仪,含532nm 激光器,定制开放式显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台, 可升级耦合最多4 路激光器 |
系统参数
| 项目 | 详细技术规格 |
| 光源 | 标配532nm,100mW 激光器,其他激光可选,最多耦合4 路激光,可电动切换,功率可调节 |
| 光谱仪 | 320mm 焦距影像校正光谱仪,光谱范围90-9000cm-1, |
| 光谱分辨率 | 2cm-1 |
| 空间分辨率 | <1μm |
| 样品扫描范围 | 标配75mm*50mm,ZD300mm*300mm |
| 显微镜 | 正置显微镜,明场或者暗场观察,带10X,50X,100X 三颗物镜;开放式显微镜可选 |
| 载流子浓度分析 | 测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3,重复性误差<5% |
| 应力测试 | 可直观给出应力属性(拉力/ 张力),针对特种样品,可直接计算应力大小,应力均匀性分析 (需额外配置电动位移台), 应力解析精度0.002cm-1 |
| 晶化率测试 | 可自动分峰,自动拟合,自动计算出晶化率,并且自动计算晶粒大小和应力大小 |
测试案例举例

报价:面议
已咨询427次半导体光学参数检测
报价:面议
已咨询382次光栅光谱仪
报价:面议
已咨询194次半导体光学参数检测
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已咨询474次半导体光学参数检测
报价:面议
已咨询420次高光谱
报价:¥1000
已咨询144次半导体参数分析仪
报价:面议
已咨询3051次导体粉末电阻率测试仪
报价:¥1000
已咨询469次CV测试系统
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A,500A)控制极/栅极电压40V,栅极电流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA,精度可至0.1%
1、STD2000/半导体分立器件静态参数测试仪系统 2、一机多用:一台设备可以覆盖常见的很多元器件,如Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦等 3、分辨率高:Z高至1.5uV / 1.5pA, 4、精度有保证:0.1% / 16 位 ADC、1M/S 采样率 5、测试参数全面:静态参数+IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on))/6、高压源:标配1400V 选配2KV/7、高流源:标配100A 选配40A,200A,500A 8、栅极电压:40V 9、栅极电流:100mA
华科智源功率器件测试仪,测试二极管 、IGBT,MOS管,SIC器件静态参数,并生产器件传输曲线和转移曲线,测试1600A,5000V以下的各种功率器件,广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
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Agilent4156C/安捷伦4156C半导体参数分析仪 Agilent 4155C 半导体参数分析仪是用于高级器件表征的精确实验室台式解决方案。Agilent 41501B 扩展器将您的功能扩展到 1A/200V,并在 Agilent 4155C 上添加了一个低噪声接地单元和双脉冲发生器。
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Agilent/安捷伦4155C半导体参数分析仪 安捷伦4155C半导体参数分析仪是一款经济GX、适用于先进器件表征的实验室用台式解决方案。41501B Expander 可将仪器的测量范围扩展至 1A/200V,并为4155C添加低噪声接地单元和双脉冲发生器。