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功率器件分析仪-高电压大电流价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-8000V
- 产地:武汉
武汉普赛斯PMST8000V功率器件分析仪-高电压大电流可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点
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功率半导体测试设备龙头价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-8000V
- 产地:武汉
普赛斯功率半导体测试设备龙头,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J...
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SiC功率器件测试机价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-8000V
- 产地:武汉
武汉普赛斯仪表推出的SiC功率器件测试机集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率...
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半导体结电容分析系统价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-8000V
- 产地:武汉
半导体结电容分析系统集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、n...
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8000V/6000A功率器件测试设备价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-8000V
- 产地:武汉
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供...
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半导体分立器件静态测试设备价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
半导体分立器件静态测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测...
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GaNGaAs高速器件I-V扫描静态参数测试系统价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供...
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高电压/大电流IGBT静态参数测试设备价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表推出的高电压/大电流IGBT静态参数测试设备主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至p...
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光耦特性曲线测试设备价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表光耦特性曲线测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J...
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二极管反向漏电流测试设备价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
二极管反向漏电流测试设备认准普赛斯仪表,普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静...
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led反向漏电流测试设备价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯led反向漏电流测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电...
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硅基|SiC特性曲线测试设备价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯硅基|SiC特性曲线测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件...
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二极管反向击穿电压测试设备价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯二极管反向击穿电压测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、n安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结...
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功率器件测试设备静态参数测试仪价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯功率器件测试设备静态参数测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率...
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功率半导体行业测试设备价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表功率半导体行业测试设备,采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流;集电极-发射极,最大支持6000A高速脉冲电...
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高电压and大电流igbt测试机价格:¥ 1000
- 品牌: 普赛斯仪表
- 型号:PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,高电压and大电流i...
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功率器件测试系统产品文章
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普赛斯从晶圆到器件的精准静态特性测试解决方案
新兴应用下SiC MOSFET静态测试面临的新挑战 随着科技的不断进步和新材料的性能提升,功率半导体器件的结构正逐渐复杂化,而功率半导体的衬底材料也...
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普赛斯从晶圆到器件的精准静态特性测试解决方案
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仪企号武汉普赛斯仪表有限公司
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