功率器件测试系统

不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN...

不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN...

采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且蕞大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handle...

采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且最大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handle...

不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN...

PMST系列igbt静态测试机igbt检测仪采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测...

武汉普赛斯PMST系列igbt性能测试仪器失效分析等覆盖IV,CV,跨导等丰富测试功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒压限流,恒流限压模式,可定制化夹具,用于晶圆,芯片,器件,模块及I...

PMST系列功率器件静态测试系统覆盖IV,CV,跨导等丰富测试功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒压限流,恒流限压模式,可定制化夹具,用于晶圆,芯片,器件,模块及IPM全面测试

集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级漏电...

测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，蕞大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA级漏电流；集电极-发射极，蕞大支持6000A高速...

不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN...

可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级漏电流测量能力等特点

主要由双脉冲信号发生器，高分辨率示波器，高压电流探头，高压电源、母线电容、低杂感母排、自动化测试软件以及配套测试工装组成。系统配备多种测试驱动板，可覆盖开关参数测试、栅极电荷测试、短路测试、雪崩测试等...

是一款专用于MOSFET、IGBT、SiCMOS等器件的动态参数测试，能够安全便捷的测试功率器件的开关延时和损耗，评估器件的安全工作区，对器件和驱动电路的短路保护特性进行验证，测量功率组件的杂散电感。

专用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的动态参数测试，能够安全便捷的测试功率器件的开关延时和损耗，评估器件的安全工作区，对器件和驱动电路的短路保护特性进行验证，测量功率组件的杂散电感。设备...

测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，蕞大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA级漏电流；集电极-发射极，蕞大支持6000A高速...