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武汉普赛斯仪表有限公司
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IGBT静态参数常见指标及测试解决方案
IGBT静态参数主要是指IGBT本身固有的,与其工作条件无关的参数,只有保证IGBT的静态参数没有问题,才进行动态参数
武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2025-04-25浏览次数:33 -
SMU数字源表搭建晶圆级微电子材料器件测试系统方案
用普赛斯这套国产化高精度数字源表+探针台的测试系统,可以为您完成任何晶圆、芯片、微小电子器件的测试。
武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2025-03-18浏览次数:48 -
如何用S系列数字源表搭建钙钛矿电池片IV测试系统?
作为新一代太阳能电池,钙钛矿太阳能电池在光伏领域展现出巨大的潜力。目前,钙钛矿电池正处在从实验室走向产业化的初期,由于其材料特性的影响,产业化I-V测试面临着巨大的挑战,传统的测试方案存在明显局限。数
武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2025-03-12浏览次数:84 -
如何用数字源表搭建霍尔效应测试系统测半导体材料
普赛斯仪表开发的霍尔效应测试系统可以实现几千到至几万点的多参数自动切换测量,系统由S系列国产源表,2700矩阵开关和S型测试软件等组成。可在不同的磁场、温度和电流下根据测试结果计算出电阻率、霍尔系数、
武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2025-03-05浏览次数:63 -
国产数字源表测试IC芯片电性能方案
传统的芯片电性能测试需要数台仪表完成,如电压源、电流源、万用表等,然而由数台仪表组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析,过程复杂又耗时,又占用过多测试台的空间,而且使用单一功能的仪表和激励
武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2024-09-29浏览次数:124 -
数字源表四探针法测电阻率
武汉普赛斯仪表自主研发的高精度源表(SMU),可以在输出电流时测试电压,也可以在输出电压时测试电流。输出电流范围从皮安级到安培级可控,测量电压分辨率高达微伏级。支持四线开尔文模式,适用于四探针测试,可
武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2024-09-11浏览次数:109 -
基于SMU源表的柔性材料形变测试方案武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2024-07-22浏览次数:190
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数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2024-05-29浏览次数:266
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功率半导体测试挑战及应对方案武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2024-05-09浏览次数:347
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如何用数字源表简化apd的暗电流测试武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2024-03-15浏览次数:354
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数字源表IV扫描测试纳米材料电性能方案武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2024-03-08浏览次数:388
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基于SMU国产源表的微电子和集成电路实训平台系统方案武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2023-12-21浏览次数:439
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霍尔电流传感器可靠性如何测试?武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2023-11-13浏览次数:555
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基于高性能数字源表SMU的氮化镓器件表征设备武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2023-07-04浏览次数:600
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数字源表如何扫描光电二极管PD的伏安特性曲线?武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2023-06-14浏览次数:642
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后摩尔时代,洞见第三代半导体功率器件静态参数测试的趋势和未来!武汉普赛斯仪表有限公司更新时间:2023-05-30浏览次数:645