「2000V/2000A双脉冲测试功率器件动态系统」价格、参数、图片

核心参数

栅极正向电压：0~30V
栅极负向电压：-20~0V（正负压差不超过30V）
栅极最大电流：10A
漏极/集电极最大电压：2000V
漏极/集电极最大电流：2000A（DPT），短路电流12kA

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产品特点：

是一款专用于MOSFET、IGBT、SiCMOS等器件的动态参数测试，能够安全便捷的测试功率器件的开关延时和损耗，评估器件的安全工作区，对器件和驱动电路的短路保护特性进行验证，测量功率组件的杂散电感。

产品详情：

系统特点

高电压达2000V（蕞大扩展至8kV）

大电流达2000A（可扩展至6000A）

低寄生电感设计：＜20nH寄生电感

安全防护机制：集成防爆、过流/过压保护

全功能测试覆盖：支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等参数

自动化与智能化，负载电感自动切换

温度范围广：可选高温模块(常温-200℃)或热流仪(-40℃-200℃)

兼容多种封装，可根据测试需求定制夹具

测试参数

开通特性：开通延时时间td(on)、开通上升时间tr、开通时间ton、开通能量损耗E(on)、开通电压斜率dv/dt、开通电流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t

关断特性：关断延时时间td(off)、关断上升时间tf、关断时间toff、关断能量损耗E(off)、关断电压斜率dv/dt、关断电流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t

反向恢复特性：反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr、反向恢复能量Err、蕞大反向恢复电流Irrm、反向恢复电压斜率dv/dt、反向恢复电流斜率di/dt、反向恢复电流特性Id vs.t

短路特性：短路时间Tsc、短路饱和电流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc

栅极电荷：总栅极电荷Qg、阈值栅极电荷Qgs(th)、栅源电荷Qgs、栅漏电荷Qgd、栅极申荷曲线Vgs vs.t

反偏安全工作区：关断电压尖峰VCE—peak、关断电流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

测试夹具

针对市面上不同封装类型的功率半导体，如IGBT、SiC、MOS等产品，普赛斯提供整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试

订货信息.png

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