产品介绍:
pco.edge 4.2 bi XU 相机采用带有非常特殊涂层的背照式sCMOS传感器,该芯片可应用在可见光下到极紫外线(EUV)和软X射线辐射等场合。 相机可以适用于超高真空操作和在软x射线能量30ev到1000ev范围内使用。 图像传感器具有2048 X 2048像素,像素尺寸为6.5 μm X 6.5 μm,全分辨率下帧率可达48帧/秒, 低噪音水平1.9 e-,88dB 动态范围。 相机设计紧凑,并提供各种软件集成方案。
关键特性
· 高空间分辨率:2048 x 2048像素
· 像素大小:6.5µm × 6.5µm
· 低读出噪音:1.9 e-
· 非常适合EUV和软x射线应用
· 在30到1000ev的能量范围内的高QE
· 可用真空到1 × 10^7毫巴
pco.edge 4.2 bi XU
optimized for EUV & soft X-ray applications
The pco.edge 4.2 bi XU is based on a back illuminated sCMOS sensor with a very specific coating which allows applications in the visible light down to extreme UV (EUV) and soft X-ray radiation. The camera is adapted for ultra-high vacuum operations and has been characterized using soft X-ray in the energy range from 30 eV to 1000 eV. The image sensor features 2048 x 2048 pixel with a pixel size of 6.5 µm x 6.5 µm and allows full frame acquisitions at 40 Hz with a dynamic range of 88 dB at a noise level of 1.9 e- med . The camera is compact and offers various software integration options.
产品参数:
参数 | pco.edge 4.2 bi XU参数 |
传感器型号 | sCMOS PulSar |
分辨率(横 × 竖) | 2048×2048 有效像素,400万像素 |
像元大小(横×高) | 6.5 µm×6.5 µm |
传感器尺寸/对角线 | 13.3 mm × 13.3 mm / 18.8 mm |
快门模式 | 滚动快门、全局重置 |
调制传递函数值 | 76.9 lp/mm (理论值) |
读出噪声(典型值) | 1.9 med e- |
动态范围(典型值) | 26667:1 , 高达88.5 dB |
量子效率 | >95% @2.28 nm |
光谱范围 | 1 nm至1100 nm(1.2 keV至1.1 eV) |
暗电流(典型值) | 0.2 e-/pixel/s 在 -25°C 芯片温度 |
全分辨率下的帧率 | 40 fps |
曝光/快门时间 | 10 µs .. 20s |
动态范围 (AD转换) | 16bit |
Sensor cooling | 温度可调: 从 -25 °C 到 +20 °C peltier with forced air (fan) 和水冷。校准设置点: -10 °C |
最 大像素率 | 184 (16位) MPixel/s |
尺寸3(高 x 宽 长) | 152×152×99 m m |
光学-机械接口 | CF100法兰 |
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