Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx

Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx

昊量光电全新推出的Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx.Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx是一种 cmos 磁场传感器，可在同一时间和同一地点采集所有三个磁场分量（Bx、By 和 Bz）。该传感器集成了三组相互正交的霍尔效应元件（一组水平元件和两组垂直元件），每组元件都配有偏置电路和放大器。集成霍尔元件非常紧凑，占地面积小，约为 100 x 100 μm2。因此，传感器的空间分辨率非常高。

所采用的 CMOS 技术实现了垂直和水平霍尔元件的高精度制造，从而使三个测量轴具有较高的角度精度（正交性）。在霍尔元件偏压中应用旋转电流技术，可显著抑制偏移、低频噪声和平面霍尔效应。 传感器提供从直流到 300kHz 的高模拟带宽。内置的温度传感器可以测量场敏感区域的当前芯片温度。

Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx参数规格：

• 可选择主动灵敏度轴 1D、2D 或 3D

• 高磁分辨率：1uT

• 高空间分辨率：100um x 100um for 3轴

• 六种可选范围：从 40mT 到 4T

• 高频带宽，DC 至 300kHz

• 内置高分辨率温度传感器

• 灵敏度、失调、噪声和漂移的片内校正

• 片上参数化

• 模拟、PWM 和 SPI 数字输出

• 可编程阈值比较器

Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx应用领域：

• 3D定位传感器（线性和角度）

• 1D、2D 和 3D 接近传感器

• 磁力计测量探头

• 多探头阵列

• 具有可选量程的电流传感器

选件

SENIS 3轴霍尔磁传感器芯片评估套

SENIS 3轴霍尔磁传感器芯片评估套设计用于评估真正的三轴磁场传感器，该传感器是 CMOS 集成器件，可在 100 x 100 x 10 µm3 的场敏感体积 (FSV) 中矢量测量三个磁通分量 Bx、By 和 Bz（图 1）。FSV 低于芯片封装表面约 0.75 mm。