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薄膜介电常数介质损耗因数测试仪
- 品牌:北京北广精仪
- 型号: GDAT-A
- 产地:北京 海淀区
- 供应商报价:¥20000
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北京北广精仪仪器设备有限公司
更新时间:2025-05-07 08:08:33
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销售范围售全国
入驻年限第10年
营业执照已审核
- 同类产品高频介电常数测试仪(134件)
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产品特点
- 薄膜介电常数介质损耗因数测试仪平板电容极片 Φ50mm/Φ25.4mm 可选频率范围10KHz-70MHz
间距可调范围≥15mm 频率指示误差3×10-5±1个字
夹具插头间距25mm±0.01mm 主电容调节范围30-500/18-220pF 详细介绍
薄膜介电常数介质损耗因数测试仪JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M
功能介绍
1.自动停机:试样破坏后,移动横梁自动停止移动(或自动返回初始位置、
2.自动换档:根据试验力大小自动切换到适当的量程,以确保测量数据的准确性
3.条件模块:试验条件和试样原始数据可以建立自己的标准模块的形式存储;方便用户的调用和查看,节省试验时间
4.自动变速:试验过程的位移速度或加载速度可按预先编制、设定的程序自动完成也可手动改变
5.自动程制:根据试验要求,用户可方便的建立自己的试验模板(方法、,便于二次调用,可实现试验加载速度、应力、应变的闭环试验控制
6.自动保存:试验结束,试验数据和曲线计算机自动保存,杜绝因忘记存盘而引起的数据丢失
7.测试过程:试验过程及测量、显示、分析等均由微机完成
8.批量试验:对相同参数的试样,一次设定后可顺次完成一批试验
9.试验软件:中文Windows用户界面,操作简便
10.显示方式:数据与曲线随试验过程动态显示
11.曲线遍历:试验完成后,可对曲线进行放大再分析,用鼠标查到试验曲线上各点对应的数据
12.试验报告:可根据用户要求进行编辑打印
13.限位保护:具有程控和机械两级限位保护
14.过载保护:当负荷超过额定值3~5%时,自动停机
15.报告显示:自动和人工两种模式求取各种试验结果,自动形成报表,使数据分析过程变的简单,便于用户
16.添加试验方法:用户可跟据试验要求,添加试验方法
软件说明
a.软件系统:中英文Windows2000/XP/Win7平台下软件包
b.自动储存:试验条件、试验结果、计算参数、标距位置自动储存。
c.自动返回:试验结束后,试验机横梁会自动返回到试验初始位置。
d.连续试验:一批试验参数设定完成后,可连续进行测试。
e.多种曲线:同一图形上可显示多种不同的曲线:荷重--位移、荷重-时间、位移--时间、应力—应变、荷重—两点延伸等到多种曲线。
f.曲线对比:同组试样的曲线可在同一张图上叠加对比。
g.报告编辑:可按用户要求输出不同的报告形式。
h.动态显示:测试过程中,负荷、伸长、位移及选中的试验曲线随着测试的进行,实时动态显示在主控屏幕上。
i.自动变标:试验中负荷、伸长等曲线坐标,如果选择不当,可根据实测值的大小,自动变换座标。保证在任何情况下 曲线以大的形式显示在屏幕上。
j.峰值保持:在测试的整个过程中,测试项目的大值始终随着试验的进行,在屏幕窗口上显示。
k.执行标准:满足GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等多种试验方法和标准。
薄膜介电常数介质损耗因数测试仪
电离损耗(又称游离损耗)是由气体引起的,含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时,由于气体的电离吸收能量而造成指耗,这种损耗称为电离损耗。
结构损耗
在高频电场和低温下,有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大,耗功随频率升高而增大。
试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小,但是当某此原因(如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等)使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。
宏观结构不均勾性的介质损耗
工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和气相,各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同,有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀,造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看,整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。
表征:
电介质在恒定电场作用下,介质损耗的功率为
W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd
定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为
ω=σE2
在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。
D,E,J之间的相位关系图
D,E,J之间的相位关系图
如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为
J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ+iJe
式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度,导致能量损耗;Je,相比较E超前90°,称为无功电流密度。
定义
tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ
式中,δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。
损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ)-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。
工程材料:离子晶体的损耗,离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。
紧密结构的晶体离子都排列很有规则,键强度比较大,如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等,在外电场作用下很难发生离子松弛极化,只有电子式和离子式的位移极化,所以无极化损耗,仅有的一点损耗是由漏导引起的(包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导)。这类晶体的介质损耗功率与频率无关,损耗角正切随频率的升高而降低。因此,以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等
结构松散的离子晶体,如莫来石(3Al2O3·2SiO2)、董青石(2MgO·2Al2O3·5SiO2)等,其内部有较大的空隙或晶格畸变,含有缺陷和较多的杂质,离子的活动范围扩大。在外电场作用下,晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动,产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动,形成热离子松弛,出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大,由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频,只能应用于低频场合。
玻璃的损耗
复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分:电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势,取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下,电导损耗占优势:在高频下,主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗:在高频和低温下,主要是结构损耗,其损耗机理目前还不清楚,可能与结构的紧密程度有关。般来说,简单玻璃的损耗是很小的,这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列,结构紧密,没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加,并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后,使离子所在处点阵受到破坏,结构变得松散,离子活动性增大,造成电导损耗和松弛损耗增加。
陶瓷材料的损耗
陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。
在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大,主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体、多品型转变等。
高分子材料的损耗
高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地,偶极矩在0~0.5D(德拜)范围内的是非极性高聚物;偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗,其介电常数约为2,介质损耗小于10-4;极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗,并且极性愈大,这两个值愈高。
高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向,因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子,虽然这种高聚物的极性很强,但只要固化比较完全,它的介质损耗就不高。相反,支化使分子链间作用力减弱,分子链活动能力增强,介电常数和介质损耗均增大。
高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能链段上偶极矩的取向极化,因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时,链段上的偶极的极化有时完全被,介电性能可降至低值,同样的道理,非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外,高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。
1.频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz):
固有误差:≤5%±满度值的2% 固有误差:≤6%±满度值的2%
工作误差:≤7%±满度值的2% 工作误差:≤8%±满度值的2%
2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH
3.电容测量:1~205
主电容调节范围:18~220pF
准确度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明
4. 信号源频率覆盖范围
频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
5.Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。
6.B-测试仪正常工作条件
a. 环境温度:0℃~+40℃;
b.相对湿度:<80%;
c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:约25W;
b.净重:约7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。1 测量范围及误差
本电桥的环境温度为20±5℃,相对湿度为30%-80%条件下,应满足下列表中的技术指示要求。
在Cn=100pF R4=3183.2(W)(即10K/π)时
测量项目 测量范围 测量误差
电容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介质损耗tgd 0~1 ±1.5%tgdx±0.0001
在Cn=100pF R4=318.3(W)(即1K/π)时
测量项目 测量范围 测量误差
电容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介质损耗tgd 0~0.1 ±1.5%tgdx±0.0001
2 电桥测量灵敏度
电桥在使用过程中,灵敏度直接影响电桥平衡的分辨程度,为保证测量准确度,希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压,标准电容量成正比。在下面的计算公式中,用户可根据实际使用情况估算出电桥灵敏度水平,在这个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中:U为测量电压 伏特(V)
ω为角频率 2pf=314(50Hz)
Cn标准电容器容量 皮法(pF)
Ig通用指另仪的电流5X10-10 安培(A)
Rg平衡指另仪内阻约1500 欧姆(W)
R4桥臂R4电阻值3183 欧姆(W)
Cx被测试品电容值 皮法(pF)
3 电容量及介损显示精度:
电容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 损: ±0.5%tgdx±1×10-4
4 辅桥的技术特性:
工作电压±12V,50Hz
输入阻抗>1012 W
输出阻抗>0.6 W
放大倍数>0.99
不失真跟踪电压 0~12V(有效值)
5 指另装置的技术特性:
工作电压±12V
在50Hz时电压灵敏度不低于1X10-6V/格, 电流灵敏度不低于2X10-9A/格
二次谐波 减不小于25db
三次谐波 减不小于50db
特点:优化的测试电路设计使残值更小◆ 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术◆ LED 数字读出品质因数,手动/自动量程切换◆ 自动扫描被测件谐振点,标频单键设置和锁定,大大提高测试速度
作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器,测试频率上限达到目前国内高的160MHz。1 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3 双数码化调谐 - 数码化频率调谐,数码化电容调谐。4 自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5 全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6 DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真,频率的高精确、幅度的高稳定。7 计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至低,彻底 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。
标准配置:高配Q表 一只 试验电极 一只 (c类)电感 一套(9只)电源线 一条说明书 一份合格证 一份保修卡 一份
为什么介电常数越大,绝缘能力越强?因为物质的介电常数和频率相关,通常称为介电系数。
介电常数又叫介质常数,介电系数或电容率,它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说,介电常数越大,绝缘性能就越好。
注:这个性质不是成立的。
对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下,也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较,这个结论是成立的。
但对于两个绝缘体就不一定了。
介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性,导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。
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