精密铸造真空烧结真空镀膜CVD实验金属热处理电炉

MXGH1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统

产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

主要功能和特点：

1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；

2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；

3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；

4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。

滑轨管式炉技术参数

石英管尺寸L1400mm  Φ（60、80、100）

加热元件掺钼铁铬铝合金电阻丝

测温元件K型热电偶

加热区长度400mm  

恒温区长度200mm

工作温度≤1100℃

控温模式模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能

控温精度±1℃

升温速率≤20℃/min

电功率AC220V/50HZ/3KW

质量供气系统技术参数

外形尺寸600x600x600mm

标准量程50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； 

压力表测量范围-0.1Mpa～0.15Mpa

极限压力3MPa

针阀316不锈钢

截止阀Φ6mm 316不锈钢针阀

电功率AC220V/50HZ/20W

响应时间气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec

准确度±1.5%

线性±0.5～1.5%

重复精度±0.2%

接口Φ6,1/4'

真空系统技术参数