PZT薄膜-外延铁电薄膜
美国标准局NIST 半导体薄膜:AlxGa1-xAs外延层 SRM 2841
美国标准局NIST 半导体薄膜:AlxGa1-xAs外延层 SRM 2842
GGG上镀YIG外延薄膜
Si片外延AIN薄膜 （Si+AlN dia4"）
产品名称： | Ge晶体基片 |
产品简介： | 化学符号为Ge，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。 |
技术参数： | 晶体结构：立方：a=5.6754?；生长方法：提拉法；密度：5.765g/cm3熔点：937.4℃热传导性：640掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺Ga类型：/；N；P；电阻率W.cm：>35；0.05；0.05-0.1；EPD：<4x103/cm2； |
产品规格： | 晶体方向:<111>，<100>and<110>±0.5o 标准尺寸:dia1"x0.50mm；dia2"x0.5mm；dia4"x0.5mm （<110> Ra<5A，不化抛） 注：可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
标准包装： | 1000级超净室100级超净袋或单片盒装 |
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