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氮化镓(GaN)薄膜
- 品牌：合肥科晶
- 型号： 氮化镓(GaN)薄膜
- 产地：合肥
- 供应商报价： 面议
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合肥科晶材料技术有限公司
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企业性质
入驻年限第9年
营业执照
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- 详细介绍
产品名称：
氮化镓(GaN)薄膜
产品简介： 氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。
技术参数：
常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型
注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
产品定位C轴<0001>±1°
传导类型N型；半绝缘型；P型
电阻率R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106Ohm-cm
位错密度<1x108Cm-2
表面处理(镓面)AS Grown
有效值<1nm
可用表面积>90%
标准包装：
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
