Nanowin氮化镓晶片4英寸2英寸

4英寸氮化镓厚膜晶片

尺寸： φ100±0.1mm

厚度： 4μm、20μm

电阻率（300K）: N型（非掺杂）＜0.5Ω·cm

4 "gallium nitride thick film wafer  

Size: 100 + / - 0.1 mm  

Thickness: 4μm, 20μm  

Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.5 ω ·cm  

2英寸氮化镓厚膜晶片

尺寸： φ50.8±0.1mm

厚度： 4μm、20μm

电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.5Ω·cm

2 "gallium nitride thick film wafer  

Size: phi 50.8 + / - 0.1 mm  

Thickness: 4μm, 20μm  

Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.5 ω ·cm  

2英寸氮化铝厚膜晶片

尺寸： φ50.8±0.1mm

厚度： 4±1.5μm

导电类型：Semi-Insulating

2 "aluminum nitride thick film wafer  

Size: phi 50.8 + / - 0.1 mm  

Thickness: 4 + / - 1.5 microns  

Conduction type: semi-insulating  

Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.5 ω ·cm  

2英寸氮化镓自支撑晶片

尺寸： φ50.8±1mm

厚度： 350±25μm

电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ω·cm

2-inch gallium nitride self-supporting chip  

Size: phi 50.8 + / - 1 mm  

Thickness: 350 + 25 microns  

Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.1 ω ·cm  

10×10.5mm²氮化镓自支撑晶片

尺寸： 10.0×10.5mm²

厚度： 350±25μm

电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ω·cm

10×10.5mm² gallium nitride self-supporting wafer

Size: 10.0 x 10.5 mm squared

Thickness: 350 + 25 microns

Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.1 ω ·cm

非性/半性氮化镓自支撑晶片

尺寸： （5.0~10.0）×10.0/20.0mm²

厚度： 350±25μm

电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ω·cm

Non-polar/semi-polar gallium nitride self-supported wafers

Size: (5.0~10.0) ×10.0/20.0mm²

Thickness: 350 + 25 microns

Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.1 ω ·cm