进口GOI (Ge on insulator)

产品简介：

技术参数：

Devicelayer：直径:6"

类型：P型掺B

晶向：<100>+/10degreetoward<111>

厚度:50nm+/-3%

电阻率:correspondingto1E18/cc

边取:<111>

抛光:单抛

BuriedThermalOxide:厚度:100nm

Handlewafer:掺杂类型:P型掺B

晶向:<100>

电阻率:5-20ohm-cm

厚度:625+/-15um

抛光:As-received(notpolished)

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒