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金刚石薄膜(高电阻DOI)

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详细介绍

产品名称:

DOI(金刚石薄膜Diamond?on?Oxide

技术参数:

基底尺寸:dia4"x0.5mm

Si晶向:<100>±0.5°

绝缘层:SiO2

薄膜厚度:2um

氧化层:1um

电阻率:10E3~10E4ohm-cm

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒

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