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高真空 8”Wafer Cluster 多腔体自动传输蒸镀/溅镀系统

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高真空 8”Wafer Cluster 多腔体自动传输蒸镀/溅镀系统

高真空 8”Wafer Cluster 多腔体自动传输蒸镀溅镀系统.PNG



高真空 8”Wafer Cluster 多腔体自动传输蒸镀溅镀系统第12页-41.PNG高真空 8”Wafer Cluster 多腔体自动传输蒸镀溅镀系统第12页-42.PNG                  高真空 8”Wafer Cluster 多腔体自动传输蒸镀溅镀系统第12页-43.PNG


高真空 8”Wafer Cluster 多腔体自动传输蒸镀溅镀系统第12页-44.PNG

Description:

●Cluster 多腔体:Plasma Cleaning, Thermal/E-Beam Evaporator , Sputter ... etc.,

●基板:多片/单片6-12 Inch,5 x5 cm,10 x10cm或其他尺寸

●单片,多片承载装置Cassettes,可程式自动选择及传输

●载台:加热Max.600℃ 及RF 偏压装置

●自动传输,自动制程设定...etc.,

●4 x 6-8 Inch Sputter Cathodes,RF/DC/Bias Plasma Generators.


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