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GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀

品牌：沈阳科晶
型号：
产地：沈阳
供应商报价：面议

沈阳科晶自动化设备有限公司更新时间：2024-04-24 08:15:54

企业性质生产商

入驻年限第10年

营业执照已审核

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详细介绍

用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作及清理方便的优点,还具有蒸镀速率快，电子束定位准确能量密度高，可以避免坩埚材料的污染等特点。1、由于电子束定位准确能量很高，可蒸发难熔金属或化合物，蒸发速率快；
2、体积小，操作简便可以非常容易的放置材料和清理；
3、蒸发材料放置在水冷铜坩埚中，可避免坩埚材料的污染，制备高纯薄膜；
4、由于蒸发物面积小，因而热辐射损失小，热效率高；

产品名称	GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀
产品型号	GSL-ZDDZS-500
安装条件	本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：设备配有自循环冷却水机，水温小于25℃，水压0.25-0.4Mpa，流量高于12 l/min（加注纯净水或者去离子水）； 2、电：AC380V 50Hz，功率大于10KW，波动范围：小于±6％，必须有良好接地（对地电阻小于2Ω）； 3、气：设备腔室内需充注氮/氩气（纯度99.99%以上），需自备氮/氩气气瓶（自带Ø10mm双卡套接头）及减压阀 4、场地面积：设备尺寸2000mm×2000mm，承重1000kg以上 5、通风装置：需要（外排废气管道）；
主要参数	1、极限真空度：≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后)； 2、系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； 3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，45分钟可达到6.6x10-4 Pa；
基片参数	1、基片尺寸：可放置φ4″基片（带手动挡板）； 2、基片加热ZG温度 800℃±1℃，由热电偶闭环反馈控制； 3、基片可连续回转，转速5～60转/分； 4、基片与蒸发源之间距离300～350mm可调；
电子束蒸发源参数	1、E型电子枪，阳极电压6KV、8KV； 2、电子枪坩埚：水冷铜坩埚，四穴设计，每个熔炼11ml ； 3、电子束功率0-6KW可调；
真空腔体	1、U型真空室尺寸Ф500X600mm，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封； 2、真空腔体前开门铰链结构，方便取、放样品； 3、前开门设有两个观察窗接口，可以观察电子枪和基片； 4、设备预留膜厚仪接口，可选配膜厚仪； 5、高真空分子泵机组，闸板阀隔断（也可使用高真空挡板阀）；
产品规格	整机尺寸：1800mm×1200mm×2000mm；
标准配件	1电源控制系统1套 2真空获得机组1套 3真空测量1套 4电子枪1套

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