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仪器网>产品中心> 滨松光子学商贸(中国)有限公司>图像传感器>InGaAs图像传感器>铟镓砷面阵图像传感器 G12460-0606S

铟镓砷面阵图像传感器 G12460-0606S

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日本滨松 G12460-0606S 亚洲 日本 2026-01-13 20:05:00
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产品特点:


适用于二维红外成像的64 × 64像素图像传感器
G12460-0606S具有由一个CMOS读出电路(ROIC,读出集成电路)和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟突起电气连接组成的。ROIC内部的时序产生器使得仅仅通过外部数字输入主时钟和主开始信号,就可以获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有64×64个像素,间距为50um,信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号,再通过铟突起输入ROIC。 ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号,然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为TO-8密封封装,内含一级TE制冷,成本低,稳定性高。


产品特性
● 通过偏置补偿,获得出色线性度
● 光谱响应范围:1.12~1.9μm
● 灵敏度:1600 nV/e-
● 全像素同步积分(全局快门模式)
● 操作简单(内置时序产生器)
● 一级TE制冷
● 低成本


产品详情:

详细参数
图像尺寸 3.2 × 3.2 mm
像素尺寸 50 × 50 μm
像素间距 50 μm
总像素个数 4096
封装 Metal
帧频 (最大值) 1025 frames/s
制冷方式 Two-stage TE-cooled
光谱响应范围 1120 to 1900 nm
暗电流(典型) 8 pA
测试条件 Element temperature=0 ℃, Ta=25 ℃, Vdd=5 V, PD_bias=4.5 V

光谱响应

外形尺寸(单位:mm)

相关下载

Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]

InGaAs photodiode / Selection guide [3.35 MB/PDF]

Opto-semiconductors / Safety consideration [34 KB/PDF]

Image sensors / Selection guide [2.64 MB/PDF]

Image sensors / Precautions [621 KB/PDF]

技术资料

  • 铟镓砷面阵图像传感器 G12460-0606S产品样册

    适用于二维红外成像的64 × 64像素图像传感器 G12460-0606S具有由一个CMOS读出电路(ROIC,读出集成电路)和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟突起电气连接组成的。ROIC内部的时序产生器使得仅仅通过外部数字输入主时钟和主开始信号,就可以获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有64×64个像素,间距为50um,信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号,再通过铟突起输入ROIC。 ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号,然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为TO-8密封封装,内含一级TE制冷,成本低,稳定性高。

    产品特性● 通过偏置补偿,获得出色线性度● 光谱响应范围:1.12~1.9μm● 灵敏度:1600 nV/e-● 全像素同步积分(全局快门模式)● 操作简单(内置时序产生器)● 一级TE制冷● 低成本

    上传人:滨松光子学商贸(中国)有限公司

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