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硅光电二极管阵列 S11212-421

面议 (具体成交价以合同协议为准)
日本滨松 S11212-421 亚洲 日本 2026-01-13 14:59:42
售全国 入驻:11年 等级:银牌 营业执照已审核
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产品详情:

详细参数
元素大小(每1列) 1.175 × 2.0 mm
像元个数 16
封装 Glass epoxy
封装类型 With scintillator
闪烁体类型 Phosphor sheet
冷却方式 Non-cooled
暗电流 (最大值) 30 pA
上升时间 (典型值.) 6.5 μs
结电容(典型值) 40 pF
测量条件 Ta=25 ℃, per element

外形尺寸(单位:mm)
相关下载

Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]

Si photodiode / Application circuit examples [129 KB/PDF]

技术资料

  • 硅光电二极管阵列 S11212-421产品样册
    用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-421 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用,更便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同,它可以替代S5668系列。产品特性● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)

    上传人:滨松光子学商贸(中国)有限公司

    大小:0 B

    270

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