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硅光电二极管 S11141-10
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
高灵敏度,直接探测低能量(大于等于1 keV)的电子束产品特性● 直接探测低能量(大于等于1 keV)的电子束,灵敏度高● 高增益:300倍 ● 高探测效率:72%(入射电子能量:1.5 keV)● 大光敏面积:10×10 mm● 光敏面中间有直径为2.0 mm的小孔● 薄的陶瓷封装● 线路板由弱磁性材料制作
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硅光电二极管 S11142-10
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
高灵敏度,直接探测低能量(大于等于1 keV)的电子束产品特性● 直接探测低能量(大于等于1 keV)的电子束,灵敏度高● 高增益:300倍 ● 高探测效率:72%(入射电子能量:1.5 keV)● 大光敏面积:14×14 mm● 光敏面中间有直径为2.0 mm的小孔● 4象元光电二极管● 薄的陶瓷封装● 线路板由弱磁性材料制作
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带放大器的光电二极管阵列 S11865-128
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
带信号处理IC的光电二极管阵列S11865/S11866系列是带信号处理IC芯片的硅光电二极管阵列。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,X射线耐受性有所提高。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,通过将多个阵列排列起来,可配置出外部电路。滨松还为X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118系列(单独出售)是其专用驱动电路。产品特性● 据率:zuida1 MHz● 象元间距大:0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管,因此暗电流低● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型(S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02)
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带放大器的光电二极管阵列 S11865-128G
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来,可配置出长窄型传感器。还提供专用驱动电路C9118系列。产品特性● 数据率:1MHz max● 象元间距大:0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管,因此暗电流低● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作● 可探测能量范围:30 k to 100 keV
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带放大器的光电二极管阵列 S11865-256
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来,可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。产品特性● 数据率:zuida1 MHz● 象元间距大:0.2mm间距×256通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管,因此暗电流低● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型(S11865-265G)
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带放大器的光电二极管阵列 S11865-256G
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,X射线耐受性有所提高。X信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来,可配置出外部电路配置。产品特性● 数据率:1MHz max● 象元间距大:0.2mm间距×256通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管,因此暗电流低 ● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽 ● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作 ● 可探测能量范围:30 k to 100 keV
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带放大器的光电二极管阵列 S11865-64
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来,可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。产品特性● 数据率:zuida1 MHz● 象元间距大:0.4mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管,因此暗电流低● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型(S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02)
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带放大器的光电二极管阵列 S11865-64G
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,通过将多个阵列排列起来,可配置出外部电路配置。还提供专用驱动电路C9118(单独出售)系列。产品特性● 数据率:1MHz max● 象元间距大:0.4mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管,因此暗电流低● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作● 可探测能量范围:30 k to 100 keV
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带放大器的光电二极管阵列 S11866-128-02
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来,可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。产品特性● 数据率:zuida1 MHz● 象元间距大:0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管,因此暗电流低● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型(S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02)
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带放大器的光电二极管阵列 S11866-128G-02
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,通过将多个阵列排列起来,可配置出外部电路配置。还提供专用驱动电路C9118系列(单独出售)。产品特性● 数据率:1MHz max● 象元间距大:0.4mm间距×128通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管,因此暗电流低● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作● 可探测能量范围:30 k to 100 keV
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带放大器的光电二极管阵列 S11866-64-02
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来,可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。产品特性● 数据率:zuida1 MHz● 象元间距大:0.4mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 移位寄存器串行读出● 零偏置光电二极管,因此暗电流低● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型(S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02)
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带放大器的光电二极管阵列 S11866-64G-02
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,通过将多个阵列排列起来,可配置出外部电路配置。还提供专用驱动电路C9118系列(单独出售)。产品特性● 数据率:1MHz max● 象元间距大:1.6 mm间距×64通道● 5V电源供电● 用电荷积分阵列同步积分● 零偏置光电二极管,因此暗电流低● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作● 可探测能量范围:30 k to 100 keV
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带放大器的光电二极管阵列 S13885-128G
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC) S13885系列光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。通过改善信号处理IC,相较于公司之前的产品(S11865系列)有更高的灵敏度。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来,可配置出长窄型传感器。产品特性● 数据率:1MHz max ● 象元间距大:0.4mm间距×128通道 ● 3.3 V电源供电 ● 用电荷积分阵列同步积分 ● 零偏置光电二极管,因此暗电流低 ● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽 ● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作 ● 可探测能量范围:30 k to 100 keV
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带放大器的光电二极管阵列 S13885-256G
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC) S13885系列光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。通过改善信号处理IC,相较于公司之前的产品(S11865系列)有更高的灵敏度。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来,可配置出长窄型传感器。产品特性● 数据率:1MHz max ● 象元间距大:0.2 mm pitch × 256 ch ● 3.3V电源供电 ● 用电荷积分阵列同步积分 ● 零偏置光电二极管,因此暗电流低 ● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽 ● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作 ● 可探测能量范围:30 k to 100 keV
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带放大器的光电二极管阵列 S13886-128G
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
带信号处理IC的光电二极管阵列,用于X射线检测S13886-128G是带有放大器的光电二极管阵列系列,放大器具有附着到光敏区域的荧光片以进行X射线检测。 与以前的产品S11865系列相比,信号处理IC芯片的改进大幅度地提高了产品的灵敏度。 信号处理IC芯片由CMOS工艺构成,内含定时发生器,移位寄存器,电荷放大器阵列,钳位电路和保持电路等复杂设置,所以当客户在连接外部电路时十分简单方便。 该产品还可以通过在一行中排列多个阵列来配置长而窄的图像传感器。产品特性● 数据速率:zuida1 MHz● 元件间距:0.8 mm pitch×128 ch● 3.3 V电源供电● 使用电荷放大器阵列的同时积分方法● 零偏置光电二极管操作,暗电流低● 集成钳位电路,噪声低,动态范围宽。● 集成定时发生器可以在两个不同的脉冲定时下工作。● 可检测的能量范围:30 k至100 keV
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硅光电二极管阵列 S13620-02
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列,适合于平面结构S13620-02是一款8×8硅光电二极管阵列,具有背照式结构,用于X射线无损检测。背照式光电二极管阵列具有方便操作的特点,因为其在入射表面没有接合线或光敏区域。你可以在不用损坏任何导线的情况下贴上一个闪烁体。此外,它的设计优势还在于产品周围不可利用的区域减少,产品耦合空间增大,而且不会产生任何串扰。产品特性● 二维数组(8×8元素)● 光谱响应范围:400 ~ 1100 nm● 包装尺寸:24(W)×24(H)毫米● 元节距:3.0毫米×64元素● 易于与闪烁体耦合由于光敏区没有导线,且与闪烁体的光耦合效率可以zuida化,因此适合于无损x射线检测设备。
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硅光电二极管阵列 S11212-021
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-021 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用,更便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同,它可以替代S5668系列。产品特性● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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硅光电二极管阵列 S11212-121
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-121是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用,更便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同,它可以替代S5668系列。产品特性● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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硅光电二极管阵列 S11212-321
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-321是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用,更便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同,它可以替代S5668系列。产品特性● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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硅光电二极管阵列 S11212-421
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-421 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用,更便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同,它可以替代S5668系列。产品特性● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16象元硅光电二极管阵列 S11299-021
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
X射线无损检测背照式光电二极管阵列,细长板类型S11299-021是一款背照式16元件光电二极管阵列,专为X射线无损检测设计。与S5668系列相比,它具有更高的灵敏度、均匀性和光电二极管元件稳定性。背照式光电二极管阵列具有便捷操作的特点,而且易于耦合到闪烁体,因为其背面没有接合线和光敏区域,不用担心损坏电路。S11299系列兼容双能量成像,因为它可与S11212系列[尺寸:25.4(宽)×20.0(高)mm]结合使用,配置上下两层结构,同时检测高和低X射线。产品特征● 光谱响应范围:340至1100nm● 元件尺寸:1.175(宽)×2.0(高)mm /单个元件● 元件间距:1.575毫米(×16像素)● 安装在板上尺寸:25.4(宽)×10.2(高)mm● 多种组合形式,宽窄均能适用支持双能量成像(用于上下两层结构)
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硅光电二极管阵列 S11299-121
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 细长板类型 S11299-121是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用,更便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。 S11299 系列支持双能成像,因此可以与S11212系列结合使用(板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm),组成上两层的双层结构,同步检测高、低X射线。产品特性● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) × 10.2 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16单元硅光电二极管阵列 S11299-321
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
X射线无损检测背照式光电二极管阵列,细长板类型 S11299-321是一款背照式16像素光电二极管阵列,专为X射线无损检测设计。与S5668系列相比,它具有更高的灵敏度、均匀性和光电二极管元件稳定性。背照式光电二极管阵列具有便捷操作的特点,而且易于耦合到闪烁体,因为其背面没有接合线和光敏区域,不用担心损坏电路。S11299系列兼容双能量成像,因为它可与S11212系列[尺寸:25.4(宽)×20.0(高)mm]结合使用,配置上下两层结构,同时检测高和低X射线。 产品特性 ● 光谱响应范围:340至1100nm ● 元件尺寸:1.175(宽)×2.0(高)mm /单个元件 ● 元件间距:1.575毫米(×16像素) ● 安装在板上尺寸:25.4(宽)×10.2(高)mm ● 多种组合形式,宽窄均能适用 ● 支持双能量成像(用于上下两层结构)
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硅光电二极管阵列 S11299-421
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 细长板类型 S11299-021 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用,更便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。 S11299 系列支持双能成像,因此可以与S11212系列结合使用(板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm),组成上两层的双层结构,同步检测高、低X射线。产品特性● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) × 10.2 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16象元硅光电二极管阵列 S12362-021
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列(象元间距:2.5 mm)S12362-021是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。产品特性 ● 特殊响应范围:340 – 1100 nm ● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元● 象元间距:2.5 mm ( × 16 pixels)● 板上尺寸:40.4 (W) × 10.2 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16象元硅光电二极管阵列 S12362-121
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列(象元间距:2.5 mm)S12362-121是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。产品特性● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels)● 板上尺寸:40.4 (W) × 10.2 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16象元硅光电二极管阵列 S12362-321
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列S12362-321是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。产品特性● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels)● 板上尺寸:40.4 (W) × 10.2 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16象元硅光电二极管阵列 S12362-421
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列(象元间距:2.5 mm)S12362-421是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。产品特性● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels)● 板上尺寸:40.4 (W) × 10.2 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16象元硅光电二极管阵列 S12363-021
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列(象元间距:2.5 mm)S12363-021是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。产品特性● 特殊响应范围:340 – 1100 nm● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels)● 板上尺寸:40.4 (W) × 20.0 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16象元硅光电二极管阵列 S12363-121
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列(象元间距:2.5 mm)S12363-121是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。产品特性● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels)● 板上尺寸:40.4 (W) × 20.0 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16象元硅光电二极管阵列 S12363-321
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列S12362-321是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。产品特性● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels)● 板上尺寸:40.4 (W) × 20.0 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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16象元硅光电二极管阵列 S12858-021
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列(象元间距:1.17 mm)S12858-324是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它是由前序产品(S11212系列:像素间距1.575 mm)的改良版本,像素间距1.17 mm。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线路的损坏。 产品特性● 殊响应范围: 340 to 1100 nm● 象元尺寸:0.77 (W) × 2.5 (H) mm/象元● 象元间距:1.17 mm (× 16 pixels)● 板上尺寸:19.0 (W) × 10.2 (H) mm● 多阵列,长而窄的设计版式● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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Si光电二极管 S12497
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
可以直接贴在芯片上的闪烁体 S12497是一种Si光电二极管,适用于行李等无损检测和一般工业测量。由于它是背照式光电二极管,光敏区域没有导线,因此闪烁体可以直接贴在光电二极管上。产品特性 ● 光谱响应范围:400至1100 nm ● 光敏区:9.5×9.5 mm - 易于贴在芯片上的闪烁体
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Si光电二极管 S12498
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
可以直接贴在芯片上的闪烁体 S12498是一种Si光电二极管,适用于行李等无损检测和一般工业测量。由于它是背照式光电二极管,光敏区域没有导线,因此闪烁体可以直接贴在光电二极管上。 产品特性 ● 光谱响应范围:400至1100 nm ● 光敏区:6.0×6.0 mm ● 易于贴在芯片上的闪烁体
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硅光电二极管 S3204-08
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
大受光面积光电二极管 产品特性● 与 BGO和CsI闪烁体搭配,高灵敏度(TI)● 低电容● 高速响应● 高可靠性● 较好的能量分辨率
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硅光电二极管 S3584-08
- 品牌:日本滨松
- 货号:
- 产地:日本
大受光面积光电二极管 产品特性● 与 BGO和CsI闪烁体搭配,高灵敏度(TI)● 低电容● 高速响应● 高可靠性● 较好的能量分辨率
- 二极管
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