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svs-1,svs-5,svs-7
品牌:日本三和电机
型号:SVS-1 Series
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SVS-5K 系列
品牌:日本三和电机
型号:SVS-5K 系列
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JULABO SL-14K 高精度温度校准槽
品牌:德国优莱博
型号:JULABO SL-14K
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胜利仪器 温度校验仪 VICTOR 14+
品牌:西安胜利
型号: VICTOR 14+
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VICTOR 07温度校验仪
品牌:西安胜利
型号:VICTOR 07
- 产品品牌
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Al2O3+ZnO薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Al2O3+ZnO薄膜
- 产地:美国
产品名称:AL2O3+ZnO晶体(进口料ZnO?epi?film?on?Sapphire)技术参数:晶向:<0001>薄膜厚度:500A(0.5micron)厚度公差:5%电阻率:10to10E3ohm-cm抛光:单抛常规尺寸:dia50.8x0.5mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装
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Mg薄片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Mg薄片
- 产地:
产品名称:Mg(镁)薄片常规尺寸:100x1000x0.1mm;可以按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净室及100级超净袋锡箔纸真空包装
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DOI(低阻金刚石薄膜)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: DOI(低阻金刚石薄膜
- 产地:美国
产品名称:DOI(低阻金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)产品参数:基底尺寸:dia4"x0.5mmSi晶向:<100>±0.5°绝缘层:SiO2薄膜厚度:2um氧化层:1um电阻率:<0.1ohm-cm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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A-Z金属多晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: A-Z金属多晶
- 产地:
产品名称:A-Z系列金属多晶基片产品简介:科晶集团提供各种尺寸A-Z多晶基片,真诚欢迎您的垂询!具体信息:Al铝片Au金片Cu铜片Cr铬片Co钴片Er锇片Fe铁片Mo钼片Hf铪片Ni镍片Nb铌片Ti钛片Ta钽片W钨片Y铱片Zr锆片3N5-5NB高纯铍片3N5-5N Ca高纯钙片3N5-5N Mg高纯镁片标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知:由于金属极易氧化,请放在真空储藏盒内。
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铱(Y)片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 铱(Y)片
- 产地:
产品名称:铱(Y)片产品参数:常规尺寸:10x10x1.0mm注:可按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏。
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锇(Er)片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 锇(Er)片
- 产地:
产品名称:锇(Er)片产品参数:常规尺寸:10x10x1.0mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏。
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V片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: V片
- 产地:
产品名称:钒(V)片产品参数:常规尺寸:10x10x1.0mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏。
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钽(Ta)片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 钽(Ta)片
- 产地:
产品名称:钽(Ta)片产品参数:常规尺寸:10x10x1.0mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏。
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Co片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Co片
- 产地:
产品名称:钴(Co)片产品参数:常规尺寸:10x10x1.0mm标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏。
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Cr片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Cr片
- 产地:
产品名称:铬(Cr)片产品简介:此款多晶Cr(Chromium)金属片是从2mm厚度的冷轧钢板中切割成的。科晶公司可提供多种金属基片,包括多晶和金属箔片,具体信息欢迎您来电咨询。产品参数:英文名:Chromium原子序数:24原子质量:58.9332amu密度:7.19g/cm3熔点:2180K(1907℃,3465°F)沸点:2944K(2671℃,4840°F)纯度:>99.99%平均粒径:10~50Microns(Noannea领)常规尺寸:10x10x1.0mm抛光情况:抛光情况:表面粗糙度
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YBCO超导薄膜+Au
- 品牌:合肥科晶
- 型号: YBCO超导薄膜+Au
- 产地:
产品名称:YBCO薄膜+Au产品简介:可用于超导谐振器、滤波器、限幅器、延迟线等微波器件、红外敏感器件、以及高温超导Josephson器件。YBCO参数:微波表面电阻Rs:<0.5mΩ(77K,10GHz)临界电流密度:>2MA/cm2(77K,0T)薄膜厚度:100-1000nm,双面镀膜,性能好,常规膜厚300nm微波厚度均匀性:±4%常规尺寸:dia2"&dia3"单抛或双抛标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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Mg金属
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Mg金属
- 产地:
?产品名称:Mg金属产品形态:Mg颗粒,Mg块产品规格:Mg块100x100x20;Mg颗粒815mm纯度:3N5-5N都可以标准包装:1000级超净室100级超净袋包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏。
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高纯Ca金属
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 高纯Ca金属
- 产地:
产品名称:高纯Ca金属产品形态:Ca颗粒,Ca块产品规格:Ca块100x100x20;Ca颗粒815mm ;纯度:3N5-5N都可以;标准包装:1000级超净室100级超净袋包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏。
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高纯B金属
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 高纯B金属
- 产地:
产品名称:高纯B金属产品形态:铍颗粒产品规格:3N5-4N,颗粒大小5-30mm标准包装:1000级超净室100级超净袋包装储存须知:由于金属极易氧化,请于真空储藏
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MgO+YBCO超导薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: MgO+YBCO超导薄膜
- 产地:
产品名称:MgO+YBCO超导薄膜产品简介:可用于超导谐振器、滤波器、限幅器、延迟线等微波器件、红外敏感器件、以及高温超导Josephson器件。YBCO参数:微波表面电阻Rs<0.5mΩ(77K,10GHz)临界电流密度:>2MA/cm2(77K,0T)薄膜厚度:100-1000nm,双面镀膜,性能好,常规膜厚300nm微波厚度均匀性:±4%常规尺寸:dia2"&dia3"单面抛光或双面抛光标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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Si+SiO2+Ti+Pt <111> (dia2"进口薄膜)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si+SiO2+Ti+Pt
- 产地:美国
产品名称:Si上镀SiO2+Ti+Pt<111>薄膜(进口料)薄膜参数:Si参数:P型,R;5-10ohm.cmSiO2参数:300nmTi参数:10nmPt<111>参数:150nmPt薄膜最大热预算:<700~750degreeC/1hr(Maximum Thermal Budget of Pt film)常规尺寸:dia2"±0.5mmx0.279mm、单抛;数据图:标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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Si 无衍射基板(打圆孔)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si 无衍射基板(打圆孔)
- 产地:
产品名称:Si无衍射基板(打圆孔)常规尺寸:dia24.6x1.0mm打孔dia10x0.2mm;单抛或双抛dia32x1.0mm打孔dia10x0.2mm;单抛或双抛注:可按照客户要求加工尺寸。标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装
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InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料
- 品牌:合肥科晶
- 型号: InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料
- 产地:美国
产品名称:?InP上镀InGaAs薄膜?半绝缘 进口料(InGaAs?EPI?on?InP,Semi-insulating)常规尺寸:dia2"InP晶向:<100>掺杂类型:掺Fe;半绝缘型电阻率:>1x10^7)ohm.cmInPEPD:<1x10^4/cm^2薄膜参数:LatticematchedIn/GaalloylayerofN-typeInGaAs(Si-doped)薄膜Nc:>2x10^18/cc 薄膜厚度:0.5um(± 20%)生长方法:MOCVDdepos
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Cu双晶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Cu双晶
- 产地:
产品名称:Cu双晶常规参数:<100>角度29°,另外个14.5°;10x10x1.5mm,或者10x5x1.5mm;注:可按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净室100级超净袋真空锡箔纸包装储存提示:由于金属极易氧化,请于真空储藏,1个月内使用。
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Si+SiO2+Si3N4薄膜(进口料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si+SiO2+Si3N4薄膜(进口料)
- 产地:美国
产品名称:Si+SiO2+Si3N4薄膜(进口料)常规尺寸:dia50.8±0.5mmx0.250 ±0.025mm备注:可按照客户要求镀膜50-1000nm;标准包装:技术参数:1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装薄膜厚度:双面镀300nmSiO250nmSi3N4研究级别:about80%useful area生长方法:在1000℃干氧法折射率:-1.455Si参数:<100>±0.5°;P型掺B;R:0.01-0.1ohm-cm,抛光:双面抛光
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钠钙玻璃上镀Au
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 钠钙玻璃上镀Au
- 产地:美国
产品名称:钠钙玻璃上镀Au?(Au(Gold)?Coated?Microscope?Slides,Gold?layer?thickness)技术参数:标准包装:玻璃尺寸:75x25mm,1mmthickness,sodalimeglass铬粘附层厚度:5nm金膜层厚:50nm(+/-5nm) 1000级超净室100级超净袋真空包装
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PbS
- 品牌:合肥科晶
- 型号: PbS
- 产地:美国
产品名称:PbS?单晶技术参数:材料名称:PbS晶体结构:立方(Cubic)密度:7.60g/cm^38.15g/cm^38.16g/cm^3产品规格:<100>10x10x0.5mm;5x5x0.5mm单抛;双抛标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
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Si上镀Al薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si上镀Al薄膜(Aluminum Film on Silicon Wafer)
- 产地:美国
产品名称:Si上镀Al薄膜(Aluminum?Film?on?Silicon?Wafer)常规尺寸:dia4" ±0.5mmx0.525 ±0.025mm技术参数:Al薄膜厚度:3um薄膜电阻率:2.65microohm-cm薄膜结晶:Weak(111)-orientedpoly-crystals薄膜表面粗糙度:4.87nmand<10nmSi导电类型:N型Si电阻率:<0.005?ohm-cm?;1-10ohm-cm?Si晶向:<100>±0.5°抛光情况:单抛标准包装:1000
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GGG上镀YIG外延薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: GGG上镀YIG外延薄膜
- 产地:
产品名称:YIG/GGG,La:YIG/GGG常规尺寸:dia3"x0.5mm技术参数:晶格常数:12.376?±0.01?;饱和磁化强度:1500-1750Gs;薄膜厚度:1-12um;铁磁共振线宽:0.5-2.0e;标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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VGF法生长GaAs
- 品牌:合肥科晶
- 型号: VGF法生长GaAs
- 产地:美国
产品名称:VGF生长法GaAs(进口料GaAssinglecrystalwafer,PRIMEGrade)常规尺寸:dia2"x0.5mm;单抛技术参数:生长方法:VGF法GaAs晶向:<100>2degreeOFFToward<101>±0.5deg产品尺寸:dia2"x0.5mm掺杂类型:N型掺Te载流子浓度:(0.15-2.6)E18/cm^3迁移率:2700~3600cm^2/V.S电阻率:9E-4~1.1E-2ohm-cmEPD:<8000/cm^2标准包装:100
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4H-SiC上镀4H-SiC薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型
- 产地:美国
产品名称:4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)常规尺寸:dia4"±0.5mmx0.525±0.025mm技术参数:4H-SiC薄膜晶向:<0001>4H-SiC薄膜厚度(filmtargetthickness):4.3um±10%4H-SiC薄膜厚度(filmtargetdopinglayer):1.4E17/cc+0%/-30%载流子浓度:(3~10)E16/cc导电类型:P型抛光情况:双面抛光4H-SiC基
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A-Z系列晶体列表
- 品牌:合肥科晶
- 型号: A-Z系列晶体列表
- 产地:
A-Z系列晶体列表A-F系列G-H系列L-N系列P-Z系列Al2O3GaTeLaAlO3PbWO4AlGaNLiTaO3PbF2AuGa2O3-?LiNbO3PbSAgGa:ZnOLiFPIN-PMN-PTAlN 单晶GdScO3LSATPMN-PTBaF2GaSbLaF3SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)BaTiO3GaAsLiAlO2SrLaAlO4BGOGraphite(普通;热解)LGS 硅酸镓镧SrLaGaO4BSOGaSeLiGaO2Si( 超薄Si片)Bi2Te3GGG (
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氮化铝(AlN)薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 氮化铝(AlN)薄膜
- 产地:
产品名称:氮化铝(AlN)薄膜产品简介:AllNEpitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法,用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询!技术参数:尺寸dia50.8mm±1mm蓝宝石衬底取向c轴(0001)±1.0deg衬底:Al2O3;SiC;GaN薄膜厚度:10-5000nm导电类型:半绝缘型位错密度:XRDFWHMof<0002><500arcsec;XRDFWHMof<10-12><1500arcs
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Al2O3陶瓷基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Al2O3陶瓷基片
- 产地:
产品名称:Al2O3陶瓷基片技术参数:纯度(Wt%)96%密度(g/cm3)>3.75热导率(w/m.k)24热膨胀(x10-6/oC)<7.7电介质强度 (Kv/mm)>14介电常数(at 1MHZ)9.8损耗正切 (x10-4 @1MHZ)4抗弯强度 (N/mm2)>330体积电阻率 (ohm-m)>1013 20oC>3x107 at 500oC表面粗糙度:Ra<80A注:现在产品供应纯度可达:99.6%产品规格:氧化铝陶瓷基片2"x2"x 0.5mm 2s
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Al2O3 晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Al2O3 晶体基片
- 产地:
产品名称:三氧化二铝(Al2O3)晶体基片 产品简介:Al2O3单晶(Sapphire,又称白宝石,蓝宝石)有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐蚀,它耐高温,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料,为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的需要,科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片,将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。 技术参数:晶体结构六方 a =4.758 ? c= 12
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碳酸钙(CaCO3)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 碳酸钙(CaCO3)晶体基片
- 产地:
产品名称:碳酸钙(CaCO3)晶体基片产品简介:碳酸钙(CaCo3)又称方解石是一种非单轴晶体,双折射大,光谱传播范围宽,呈一定大小的菱形状,适用于可见和近红外偏振材料。科晶公司严格挑选自然生长的碳酸钙原材料,提供高质量低价格的碳酸钙晶体。技术参数:晶体结构:三方a=4.989c=17.062熔点:1339oC密度:2.71g/cm3透过范围:350nm-2300nm硬度:3Mohs热膨胀系数:aa=24.39x10-6/K;ac=5.68x10-6/K非单轴no=na=nb,ne=nc折射率:no=1.
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CdZnTe晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: CdZnTe晶体基片
- 产地:
产品名称:Cd1-xZnxTe晶体基片产品简介:CdZnTe晶体是一种闪烁矿结构的连续固溶体,改变Zn的组分,其晶格常数在0.6100 -0.6482urn之间连续可调,能与不同波段的HgCdTe晶格常数精确匹配。因此CdZnTe晶体是目前公认的**HgCdTe衬底。产品特点:良好的导电性能;广发可调和直接带隙较高的吸收系数;与HgCdTe外延膜的晶格匹配性好;温和的热膨胀性;技术参数:晶体名称Cd 1-x ZnxTe生长方法Bridgeman结构立方晶格常数(A)a=6.486密度 ( g/cm3)5.
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BaTiO3晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: BaTiO3晶体基片
- 产地:
产品名称:钛酸钡(BaTiO3)晶体基片产品简介:钛酸钡(BaTiO3, BTO)是发现的钙钛矿型铁电体,然而钛酸钡单晶仍然是当今铁电体和凝聚态物理领域内的研究热点,因为它不仅是基础研究的理想材料,具有适宜基础研究的完整结构和复杂相变过程,而且具有优良的电光与光折变性能,现今又发现能够实现可逆的大场致应变,在高应变驱动器上展现出了强烈的应用前景,同时,通过工程化畴结构的调整,其具有优良的压电性能,这使得钛酸钡单晶同时成为非线性光学器件、压电和高应变领域内的一种的无铅环保型单晶材料。技术参数:晶体结构:四方
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CdS晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: CdS晶体基片
- 产地:
产品名称:硫化镉(CdS)晶体基片产品简介:II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。技术参数:晶体名称CdS生长方法PVT结构六方晶系晶格常数(A)a=4.1367 c=6.7161密度 ( g/cm3)4.821熔点 (oC)1287热容 (J /g.k)0.3814热膨胀系数(10-6/K)4.6 // a 2.5 // c导热系数( W /m.k at 300K )2.7透明波长 ( um)2.5 ~
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Bi12SiO20晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Bi12SiO20晶体基片
- 产地:
产品名称:硅酸铋(Bi12SiO20)晶体基片产品简介:硅酸铋(Bi12SiO20)晶体基片简称(BSO)是声表面波器件、体声波器件、全息记忆以及电光器件的极好材料.技术参数:晶向:<100>,<110>晶体结构:立方晶格常数:a=10.146?生长方法:提拉法熔点:930℃密度:9.2g/cm3莫氏硬度:4.5Mohs介电常数:εS11/ε042.7、εT11/ε047.5弹性劲度系数(x1011N/m2):CE111.33、CE440.25压电应变常数(C/m2):e141.0
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氟化钙(CaF2)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 氟化钙(CaF2)
- 产地:
产品名称:氟化钙(CaF2)晶体基片产品简介:氟化钙广泛应用于红外窗口,棱镜和透镜技术参数:晶体结构:Cubic晶格常数:5.462熔点(oC):1418密度(g/cm3):3.18硬度:4热膨胀系数(oC-1x 10-6):18.85折射率:ho 1.43382透过波段 (microns):0.11 - 12.00透过率:> 94% @ 5 m> 85% @ 0.2 m色彩离差(hf-hc): 0.00455温度系数( dh / dt x 10-6 ):-10. 6 @ 0.8 m晶体生长方
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