膜去溶-ICPMS测定高纯CeO2中14种痕量

摘要：研究了不经基体分离，膜去溶一ICP MS法直接测定高纯CeO2中14种痕量稀土杂质的分析方法，讨论了ce基体产生的多原子离子对被测元素的质谱干扰，并且对影响多原子离子产率的因素进行了分析，同时建立了Pr，Gd，rrb和Yb数学校正方程通过使用膜去溶雾化器和优化ICP．MS参数，消除了Cel ，CeO2 和CeO2H 产生的质谱干扰，将CeO／Ce产率降为0．008％ ，同时结合数学校正方程彻底消除了CeO ，CeOH 和CeOH2 的质谱干扰Pr，Gd，，rb和Yb的方法测定下限分别为0．08，0．1，0．15和0．008 g·g～ ，l4种稀土杂质方法测定下限和为0．75 g·g一99．999％高纯CeO2实际样品测定加标回收率为96％ ～103％ ，RSD为1．2％ ～4．3％ 关键词：高纯CeO ；膜去溶；数学校正；ICP．MS；多原子离子干扰；稀土 莱伯泰科Aridus II膜去溶雾化系统