光电子器件 - 产品信息 - 相关知识

2025-01-21 09:30:33光电子器件: 光电子器件是指将光能和电能相互转换的器件，广泛应用于通信、显示、传感等领域。它利用光电效应或电光效应实现信号转换，如光电二极管可将光信号转换为电信号，用于光通信接收；发光二极管则将电信号转换为光信号，应用于显示和照明。光电子器件具有高速、低功耗、高灵敏度等特点，是现代信息技术的关键组件，推动了光纤通信、光电检测、光存储等技术的发展。随着技术进步，光电子器件正向着更高速度、更低功耗、更小尺寸的方向发展。

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首轮融资落地国产光电芯片自主创新再添新动能

国内光电芯片领域，新锐企业苏州腾微芯光科技有限公司。近日，宣布完成数千万元级首轮融资。据悉，资金将主要用于核心技术研发、产线扩建及市场拓展。

大川子 195
2025-05-16
芯片半导体光电子器件
华东师大团队攻克二维半导体难题：InSe 晶体管导电可自由切换

半导体犹如电子世界的 “智能开关”，既能精准调控电流，又能承载信息运算，是连接物理硬件与数字功能的核心桥梁。近日，全球二维层状半导体研究正朝着 “功能可调控、器件高集成” 深度推进

 大川子 237
2025-11-05
半导体仪器光电子器件智能
中国计量大学 ACS Nano: 镧系纳米片的光子发射调控与精细光谱结构解析 | 前沿用户报道

中国计量大学白功勋，徐时清教授团队与香港理工大学郝建华教授团队开展合作，在二维光电子材料与器件研究领域取得新进展。

HORIBA（中国） 1093
2022-07-16
原子级超薄光电子器件扫描电子显微镜
二维半导体发展的关键——纳米尺度信息多维度表征 | 光谱技术头条

等离激元增强光谱（TEPL和TERS）是基于拉曼激光聚焦在AFM贵金属涂层针尖下纳米区域的信号放大。

HORIBA（中国） 660
2022-07-11
光电子器件原子力显微镜 HORIBA纳米拉曼系统光谱技术
我国发展新型透射电子显微镜技术运用于纳米光电子器件研究

研发新型纳米光电子器件需要借助于泵浦-探测技术。

2309
2019-12-01
透射电子显微镜技术纳米光电子器件泵浦探测

光电子器件文章

北京工业大学翟天瑞/梁宁宁团队综述：纳米压印光刻赋能高性能有机光电子器件

点击蓝字关注我们Nanoimprint Lithography Enabling High-Perform

上海幂方电子科技有限公司 139
2026-03-09

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光电子器件问答

2020-12-28 09:49:04Nature Materials: 低温共聚焦显微镜助力设计光电子器件的范德瓦尔斯界面: 基于二维材料的范德瓦尔斯界面在光电子器件领域具有广泛的发展前景，不同材料组成的界面可以在很大程度上调控器件的发光光谱范围。然而，层间堆叠方式不同带来的晶格失配以及错位都会YZ电子与声子耦合作用，影响光电器件的工作效率。近期，瑞士日内瓦大学的的Alberto F. Morpurgo 教授课题组在《自然-材料》杂志上发表了低温光致发光光谱研究设计范德瓦尔斯界面的工作。通过组合导带底部与价带顶部都在Γ点（倒格矢空间）的二维晶体材料，形成范德瓦尔斯界面，避免了动量失配。这样的范德瓦尔斯界面将不受光学跃迁与晶格常数、两层材料之间旋转角或者晶格错位的影响，为基于二维原子晶体的光电子器件的发展打下了重要的基础。双层或者多层过渡金属硫化物（例如WS2，MoS2, MoSe2 ）的价带顶部在Γ点，可以与导带底部在Γ点的多层InSe材料形成范德瓦尔斯界面，该界面允许直接跃迁。通过分析光致发光光谱（PL光谱）对双层InSe与双层WS2范德瓦尔斯界面的测量结果（见图1），可以判定双层InSe与双层WS2范德瓦尔斯界面的直接跃迁存在且能量为1.55eV。图1. (a)双层InSe与双层WS2的结构示意图。 (b)双层InSe与双层WS2的能带图。(c）温度5K时双层InSe与双层WS2范德瓦尔斯界面的光致发光光谱，内置图：2L-InSe/2L-WS2光学照片。比例尺：10微米。通过分析发光光谱随温度变化的数据（图2a-b），研究者发现双层InSe与双层WS2范德瓦尔斯界面的直接跃迁发光光谱随温度降低强度增加。该界面发光光谱随激光强度增加的变化（图2c）也表明其发光机制是直接跃迁。图2d为6层InSe与双层WS2界面切面SEM电镜图。通过分析该6层InSe与双层WS2范德瓦尔斯界面的切面发光光谱的旋光数据（图2e）可直接证实该界面是直接跃迁的机制。图2. (a-b): 双层InSe与双层WS2范德瓦尔斯界面PL光谱随温度变化数据图。(c):光谱随激发激光强度的变化。(d):6层InSe与双层WS2界面切面的SEM电镜图。（e）6层InSe与双层WS2界面切面处发光光谱的旋光数据图。研究者也分析了多层InSe与双层WS2范德瓦尔斯界面PL光谱（图3a-b）以及四层InSe与多层WS2范德瓦尔斯界面PL光谱。综合分析以上不同层数二维材料组成的范德瓦尔斯界面PL光谱的能带图以及实验数据，表明该不同层数二维材料组成的范德瓦尔斯界面未受到两层材料之间旋转角或者晶格错位的影响而存在层间发光光谱。图3. (a) 多层InSe与双层WS2范德瓦尔斯界面PL光谱数据，温度为5K。(b): InSe与双层WS2范德瓦尔斯界面PL光谱能量与InSe层数关系图。(c): 四层InSe与多层WS2范德瓦尔斯界面PL光谱能量与WS2层数关系图。文章中，作者使用了德国attocube公司的attoDRY系列低温恒温器来实现器件在极低温条件下使用荧光光谱分析二维材料中的范德瓦尔斯界面。文章实验结果表明通过合理的选择二维材料组合成范德瓦尔斯界面，可以设计出具有很宽广发光范围的光电器件。图4：低振动无液氦磁体与恒温器—attoDRY系列，超低振动是提供高分辨率与长时间稳定光谱的关键因素。attoDRY2100+CFM I主要技术特点：+ 应用范围广泛: PL/EL/ Raman等光谱测量+ 变温范围：1.8K - 300K+ 空间分辨率：< 1 mm+ 无液氦闭环恒温器+ 工作磁场范围：0...9T (12T, 9T-3T，9T-1T-1T矢量磁体可选)+ 低温消色差物镜NA=0.82+ 精细定位范围： 5mm X 5mm X 5mm @ 4K+ 精细扫描范围：30 mm X 30 mm@4K+ 可进行电学测量，配备标准chip carrier+ 可升级到AFM/MFM、PFM、ct-AFM、KPFM、SHPM等功能参考文献：[1]. Nicolas Ubrig et al, Design of van der Waals interfaces for broad spectrum optoelectronics, Nature Materials,19,299–304 (2020)

2018-11-12 20:08:42半导体光电子器件的原理简介:

2018-06-29 07:47:07光纤，光电子器件，锂电子电池，太阳能电池属于什么类:

2023-02-01 14:56:12蔡司激光共聚焦显微镜-微纳器件的表征分析: 对微纳器件进行表征时，常关注的便是器件的表面形貌和三维尺寸信息，比如粗糙度、深度、体积等，这些都是评价微纳加工工艺的重要指标。然而，在进行表面三维的分析工作中，我们可能常遇到这样的苦恼：　　光学明场无法直接定位到亚微米级缺陷结构!　　样品结构太复杂，微弱信号无法捕获，难以准确测量尺度信息!　　三维接触式测量经常会损伤柔软样品，导致测试结果不准确!　　今天，友硕小编将从下面几个角度来看看蔡司激光共聚焦显微镜如何帮助你更好地解决这些问题。　　失效分析：多尺度多维度原位分析!　　器件表面往往存在一些特殊的结构或缺陷，比如亚微米尺度的划痕，这些特征难以在光学明场下被直接观察到。C-DIC(圆微分干涉)观察模式可以让样品表面亚微米尺度的微小起伏都可以呈现出浮雕效果，帮助我们快速定位并开展下一步的分析工作。　　▲ 不同观察方式下晶圆表面缺陷　　在定位到感兴趣区域后，可以直接切换到共聚焦模式，进行表面三维形貌扫描，并进行尺寸测量及分析，无需转移样品即可完成样品多尺度多维度的表征。　　▲共聚焦三维图像及深度测量　　对于某些样品，暗场和荧光模式也是一种很好定位方法，表面起伏的结构在暗场下尤其明显，如蓝宝石这类能发荧光的晶圆，利用荧光成像也能帮助我们快速地定位到失效结构。甚至，共聚焦还可以和电镜或者双束电镜(FIB)(点击查看)实现原位关联，在共聚焦显微镜下进行定位后转移样品到电镜下进行更高分辨的表征分析。　　深硅刻蚀：结构深，信号弱，蔡司激光共聚焦显微镜有办法!　　深硅刻蚀的样品通常为窄而深的沟壑结构。接触式测量(如台阶仪)无法接触到沟壑底部测得信息，而由于结构特殊造成了反射光信号损失，常规白光干涉或者显微明场无法捕获底面的微弱信号。因此，不得不对样品进行裂片分析，这不仅破坏了样品，而且还使分析流程复杂化。　　西湖大学张先锋老师用蔡司激光共聚焦显微镜对深163.905 μm，宽3.734μm的刻蚀坑进行成像，高灵敏探测器、大功率激光及Z Brightness Correction技术可以帮助成功检测到底部的微弱信号，完成大深宽比(近50：1)样品的三维形貌表征与测量，轻松实现无损检测分析。

2022-12-05 13:11:13TOF-SIMS在光电器件研究中的应用系列之三: 一、引言光伏发电新能源技术对于实现碳中和目标具有重要意义。近年来，基于有机-无机杂化钙钛矿的光电太阳能电池器件取得了飞速的发展，目前报道的最高光电转化效率已接近26%。卤化物钙钛矿材料具有无限的组分调整空间，因此表现出优异的可调控的光电性质。然而，由于多组分的引入，钙钛矿材料生长过程中会出现多相竞争问题，导致薄膜初始组分分布不均一，这严重降低了器件效率和寿命。图1. 钙钛矿晶体结构二、TOF-SIMS应用成果由于目前用于高性能太阳能电池的混合卤化物过氧化物中的阳离子和阴离子的混合物经常发生元素和相分离，这限制了器件的寿命。对此，北京理工大学材料学院陈棋教授等人研究了二元（阳离子）系统钙钛矿薄膜(FA1-xCsxPbI3，FA：甲酰胺)，揭示了钙钛矿薄膜材料初始均一性对薄膜及器件稳定性的影响。研究发现，薄膜在纳米尺度的不均一位点会在外界刺激下快速发展，导致更为严重的组分分布差异化（如图2所示），最终形成热力学稳定的物相分离，并贯穿整个钙钛矿薄膜，造成材料退化和器件失活。该研究成果以题为“Initializing Film Homogeneity to Retard Phase Segregation for Stable Perovskite Solar Cells”发表在Science期刊。[1]图2. 二元 FAC 钙钛矿的降解机制。（A-H）钙钛矿薄膜的组分初始分布和在外界刺激下的演变行为。（I-N）热力学驱动下，钙钛矿薄膜的物相分离现象的TOF-SIMS表征TOF-SIMS作为重要的表面分析方法，具有高检测灵敏度（ppm-ppb）、高质量分辨率(M/DM>16000)和高空间分辨率(16000)和高空间分辨率(