
- 2025-01-21 09:37:28三轴等离子
- “三轴等离子”通常指的是一种高级的等离子处理技术,它采用三轴控制系统,能够实现更为精确和复杂的等离子处理操作。这种技术通过精确控制等离子体的位置和移动路径,可在材料表面进行微细加工、刻蚀、涂覆等多种处理。三轴等离子设备在半导体制造、微电子封装、材料科学等领域有广泛应用,能够提升处理效率、精度和均匀性,是现代高科技产业中不可或缺的关键设备之一。
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三轴等离子问答
- 2021-07-20 18:07:51三轴倾角加速度计的原理、特点及应用
- 三轴倾角加速度计又名三轴加速度传感器,市面上也叫无线倾角加速度计,产品名称很多,但是其结构原理都是一样的。倾角加速度计原理是通过测量给定直线轴向的弹簧上的力来检测直线加速度和重力矢量。加速度计是一种出现在大批量应用中的MEMS传感器。因为其对运动十分敏感的特性,现在在工程监测上用的较多。对于多数的传感器应用来看,两轴的倾角加速度计已经能满足多数应用,但是有些方面的应用还是集中在三轴加速度传感器中例如在数采设备,贵重资产监测,碰撞监测,测量建筑物振动,风机,风力涡轮机和其他敏感的大型结构振动。 目前的三轴倾角加速度计大多采用压电式、压阻式和电容式三种工作原理,产生的加速度于电阻、电压和电容的变化成正比,所以一定的技术上来讲三个单轴是可以变成一个三轴的。因为集成了三轴MEMS加速度传感器,磁偏角传感器、定位模块内部实时监测加速度和角度变化,可通过角度变化或加速度变化感知整体姿态变化。 在工程上应用最多的还是用于监测建筑物的振动和一些大型解结构物的振动。因为倾角加速度计对运动十分敏感,在监测应用上会更适合。工程上的监测需要高精度,所以对于一些微小的变化都要能捕捉记录。 无线倾角加速度计的特点是能够在预先不知道物体运动方向的场合下,准确且全面的测量出物体的空间加速度,并且体积小(100mm*100mm*60mm),质量轻。安装十分方便,并且一次可连续工作2年。铝合金的材质让其在野外安全性更好,不会轻易被恶劣天气所影响工作。
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- 2023-03-14 12:04:54等离子去胶机(Plasma Cleaner)
- 等离子去胶机(Plasma Cleaner) 为何要去除光刻胶?在现代半导体生产过程中,会大量使用光刻胶来将电路板图图形通过掩模版和光刻胶的感光与显影,转移到晶圆光刻胶上,从而在晶圆表面形成特定的光刻胶图形,然后在光刻胶的保护下,对下层薄膜或晶圆基底完成进行图形刻蚀或离子注入,最后再将原有的光刻胶彻底去除。去胶是光刻工艺中的最后一步。在刻蚀/离子注入等图形化工艺完成后,晶圆表面剩余光刻胶已完成图形转移和保护层的功能,通过去胶工艺进行完全清除。光刻胶去除是微加工工艺过程中非常重要的环节,光刻胶是否彻底去除干净、对样片是否有造成损伤,都会直接影响后续集成电路芯片制造工艺效果。 半导体光刻胶去除工艺有哪些?半导体光刻胶去除工艺,一般分成两种,湿式去光刻胶和干式去光刻胶。湿式去胶又根据去胶介质的差异,分为氧化去胶和溶剂去胶两种类别。干式去胶适合大部分去胶工艺,去胶彻底且速度快,是现有去胶工艺中zui好的方式。 一、等离子去胶机简述:氧等离子去胶是利用氧气在微波发生器的作用下产生氧等离子体,具有活性的氧等离子体与有机聚合物发生氧化反应,使有机聚合物被氧化成水蒸汽和二氧化碳等排除腔室,从而达到去除光刻胶的目的,这个过程我们有时候也称之为灰化或者剥离。氧等离子去胶相比于湿法去胶工艺更为简单、适应性更好,去胶过程纯干法工艺,无液体或者有机溶剂参与。当然我们需要注意的是,这里并不是说氧等离子去胶工艺100%好于湿法去胶,同时也不是所有的光刻胶都适用于氧等离子去胶,以下几种情形我们需要注意:① 部分稳定性极高的光刻胶如SU-8、PI(聚酰亚胺),往往胶厚也比较大,纯氧等离子体去胶速率也比较有限,为了保证快速去胶,往往还会在工艺气体中增加氟基气体增加去胶速率,因此不只是氧气是反应气体,有时候我们也需要其他气体参与;② 涂胶后形成类非晶态二氧化硅的HSQ光刻胶。由于其构成并不是单纯的碳氢氧,所以是无法使用氧等离子去胶机来实现去胶;③ 当我们的样品中有其他需要保留的结构层本身就是有机聚合物构成的,在等离子去胶的过程中,这些需要保留的层也可能会在氧等离子下发生损伤;④ 样品是由容易氧化的材料或者有易氧化的结构层,氧等离子去胶过程,这些材料也会被氧化,如金属AG、C、CR、Fe以及Al,非金属的石墨烯等二维材料; 市面上常见氧等离子去胶机按照频率可分为微波等离子去胶机和射频等离子去胶机两种,微波等离子去胶机的工作频率为2.45GHz,射频等离子去胶机的工作频率为13.5MHz,更高的频率决定了等离子体拥有更高的离子浓度、更小的自偏压,更高的离子浓度决定了去胶速度更快,效率更高;更低的自偏压决定了其对衬底的刻蚀效应更小,也意味着去胶过程中对衬底无损伤,而射频等离子去胶机其工作原理与刻蚀机相似,结构上更加简单。因此,在光电器件的加工中,去胶机的选择更推荐使用损伤更小的微波等离子去胶机。 二、等离子清洗去胶机的工作原理:氧气是干式等离子体脱胶技术中的首要腐蚀气体。它在真空等离子体脱胶机反应室内高频和微波能的作用下,电离产生氧离子、自由氧原子O*、氧分子和电子混合的等离子体,其间氧化能力强的自由氧原子(约10-20%)在高频电压作用下与光刻胶膜发生反应:O2→O*+O*,CxHy+O*→CO2↑+H2O↑。反应后产生的CO2和H2O然后被抽走。 三、等离子去胶机的优势:1、等离子清洗机的加工过程易于控制、可重复且易于自动化;使用等离子扫胶机可以使得清洗效率获得更大的提高。整个清洗工艺流程几分钟内即可完成,因此具有产率高的特点2、等离子扫胶机清洗对象经等离子清洗之后是干燥的,不需要再经干燥处理即可送往下一道工序,可以提高整个工艺流水线的处理效率;3、等离子扫胶机使得用户可以远离有害溶剂对人体的伤害,同时也避免了湿法清洗中容易洗坏清洗对象的问题;4、避免使用ODS有害溶剂,这样清洗后不会产生有害污染物,因此这种清洗方法属于环保的绿色清洗方法;5、等离子去胶机采用无线电波范围的高频产生的等离子体与激光等直射光线不同,等离子体的方向性不强,这使得它可以深入到物体的微细孔眼和凹陷的内部完成清洗任务,因此不需要过多考虑被清洗物体的形状;6、等离子去胶机在完成清洗去污的同时,还可以改良材料本身的表面性能,如提高表面的润湿性能、改良膜的黏着力等,这在许多应用中都是非常重要的。 四、等离子去胶的主要影响因素:频率选择:频率越高,氧越易电离形成等离子体。频率太高,以至电子振幅比其平均自由程还短,则电子与气体分子碰撞几率反而减少,使电离率降低。一般常用频率为 13.56MHz及2.45GHZ 。功率影响:对于一定量的气体,功率大,等离子体中的的活性粒子密度也大,去胶速度也快;但当功率增大到一定值,反应所能消耗的活性离子达到饱和,功率再大,去胶速度则无明显增加。由于功率大,基片温度高,所以应根据工艺需要调节功率。真空度的选择:适当提高真空度,可使电子运动的平均自由程变大,因而从电场获得的能量就大,有利电离。另外当氧气流量一定时,真空度越高,则氧的相对比例就大,产生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高,活性粒子浓度反而会减小。氧气流量的影响:氧气流量大,活性粒子密度大,去胶速率加快;但流量太大,则离子的复合几率增大,电子运动的平均自由程缩短,电离强度反而下降。若反应室压力不变,流量增大,则被抽出的气体量也增加,其中尚没参加反应的活性粒子抽出量也随之增加, 因此流量增加对去胶速率的影响也就不甚明显。 五、等离子去胶机的应用:1、光刻胶的去除、剥离或灰化2、SU-8的去除/ 牺牲层的去除3、有机高分子聚合物的去除4、等离子去除残胶/去浮渣/打底膜5、失效分析中的扁平化处理6、表面沾污清除和内腐蚀(深腐蚀)应用7、清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架8、剥离金属化工艺前去除浮渣9、提高黏附性,消除键合问题10、塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能11、产生亲水或疏水表面
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- 2022-08-25 11:12:04揭秘远程微波等离子去胶机
- NPC-3500型微波等离子去胶机微波等离子去胶机工作原理:为了产生等离子,系统使用远程微波源。氧在真空环境下受高频及微波能量作用,电离产生具有强氧化能力的游离态氧原子,它在高频电压作用下与光刻胶薄膜反应,反应后生成的 CO2 和 H2O 通过真空系统被抽走。CF4 气体可以达到更快速的去胶速率,尤其对于难以去除的光刻胶也具备出色的去除能力。在微波等离子体氛围中,活性气体被等离子化,将跟光刻胶产生化学反应,反应生产的化合物通过真空泵被快速抽走,可以达到高效的去胶效果。该去胶机微波源为远程微波源,轰击性的离子将被过滤掉之后微波等离子进入到工艺腔室参与反应,因此可以实现无损的去胶。微波等离子去胶机主要用途:MEMS压力传感器加工工艺中光刻胶批量处理;去除有机或无机物,而无残留;去胶渣、深刻蚀应用;半导体晶圆制造中光刻胶及SU8工艺;平板显示生产中等离子体预处理;太阳能电池生产中边缘绝缘和制绒;先进晶片(芯片)封装中的衬底清洁和预处理;NANO-MASTER微波等离子去胶机系统优势:1)Downstream结构,等离子分布均匀;2)远程微波,无损伤;3)远程微波,支持金属材质;4)批处理,一次可支持1-25片;5)微波等离子,可以深入1um以内的孔隙进行清洗;6)光刻胶去除的方式为化学方式,而非物理轰击,可实现等离子360度全方位的分布;7)旋转样品台,进一步提高去胶的均匀性。8) 腔体内无电极,更高洁净度;9)微波波段无紫外排放,操作更安全;10)高电子密度,去胶效率高。
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- 2022-10-13 16:33:56NE-PE02纳恩科技真空等离子清洗设备
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