2025-04-25 14:14:21纳米异质结
纳米异质结是指由两种或多种不同材料在纳米尺度上形成的结构界面,这些材料在电学、光学、热学或力学等性质上存在差异。通过精确控制材料的组成、结构和尺寸,纳米异质结可以展现出独特的物理和化学性质,如增强的光电转换效率、高效的能量转移和转换等。在太阳能电池、光催化、传感器及纳米电子学等领域,纳米异质结具有广泛的应用前景。

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2023-06-14 16:49:45无掩膜直写光刻系统助力二维材料异质结构电输运性能研究,意大利
期刊:ACS NanoIF:18.027文章链接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131 【引言】      MoS2是一种典型的二维材料,也是电子器件的重要组成部分。研究者发现,当MoS2与石墨烯接触会产生van der Waals作用,使之具有良好的电学特性,可广泛应用于各类柔性电子器件、光电器件、传感器件的研究。然而,MoS2-石墨烯异质结构背后的电输运机理尚不明确。这主要是因为传统器件只有两个接触点,不能将MoS2-石墨烯异质结构产生的电学输运特性与二维材料自身的电学特性所区分。此外,电荷转移、应变、电荷在缺陷处被俘获等因素也会对器件的电输运性能产生影响,进一步提高了相关研究的难度。尽管已有很多文献报道MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能,但这些研究主要基于理论计算,缺乏对MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能在场效应器件中的实验研究。 【成果简介】     2021年,意大利比萨大学Ciampalini教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3 制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件,在场效应管器件中直接测量了MoS2-石墨烯异质结构的电输运特性。通过比较MoS2的跨导曲线和石墨烯的电流电压特性,发现在n通道的跨导输运被抑制,这一现象明显不同于传统对场效应的认知。借助第一性原理计算发现这一独特的输运抑制现象与硫空位相关。     本文中所使用的小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3无需掩膜版,可在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。设备采用集成化设计,全自动控制,可靠性高,操作简便,同时其还具备结构紧凑(70cm X 70cm X 70cm)、高直写速度,高分辨率(XY:
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2023-06-29 10:11:54无掩膜直写光刻系统助力二维材料异质结构电输运性能研究,意大利科学家揭秘其机理!
期刊:ACS NanoIF:18.027文章链接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131引言MoS2是一种典型的二维材料,也是电子器件的重要组成部分。研究者发现,当MoS2与石墨烯接触会产生van der Waals作用,使之具有良好的电学特性,可广泛应用于各类柔性电子器件、光电器件、传感器件的研究。然而,MoS2-石墨烯异质结构背后的电输运机理尚不明确。这主要是因为传统器件只有两个接触点,不能将MoS2-石墨烯异质结构产生的电学输运特性与二维材料自身的电学特性所区分。此外,电荷转移、应变、电荷在缺陷处被俘获等因素也会对器件的电输运性能产生影响,进一步提高了相关研究的难度。尽管已有很多文献报道MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能,但这些研究主要基于理论计算,缺乏对MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能在场效应器件中的实验研究。成果简介2021年,意大利比萨大学Ciampalini教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3 制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件,在场效应管器件中直接测量了MoS2-石墨烯异质结构的电输运特性。通过比较MoS2的跨导曲线和石墨烯的电流电压特性,发现在n通道的跨导输运被抑 制,这一现象明显不同于传统对场效应的认知。借助第 一性原理计算发现这一独特的输运抑 制现象与硫空位相关。本文中所使用的小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3无需掩膜版,可在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。设备采用集成化设计,全自动控制,可靠性高,操作简便,同时其还具备结构紧凑(70cm X 70cm X 70cm)、高直写速度,高分辨率(XY:
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2022-04-24 16:42:23纳米多孔氧化铝
本品为化学法合成的白色球形粉末,无重金属、 无放射性元素。物理指标①晶相 γ相②AI2O3含量 ≥99.9③ 介孔 0.38④ 原晶粒度 50-60纳米化学指标①本品用于喷墨打印纸的涂层, 为纸张提高光泽。②増加涂料的耐磨性,具有助流、 提高上粉率、防结块等特点应用范围①导热硅胶②电子灌封胶③粉末涂料公众号搜索粉体圈,联系报价。联系方式:400-869-9320转8990更多信息进入店铺查看:https://www.360powder.com/shop.html?shop_id=1727
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2023-04-20 09:37:22BeNano 180 Zeta Pro 纳米粒度及 Zeta
BeNano 180 Zeta Pro 纳米粒度及 Zeta 电位分析仪BeNano 180 Zeta Pro 纳米粒度及 Zeta 电位分析仪——背向 + 90°散射粒度 + Zeta 电位三合一型仪 器 简 介BeNano 180 Zeta Pro 纳米粒度及Zeta电位分析仪是BeNano 90+BeNano 180+BeNano Zeta 三合一的顶 级光学检测系统。该系统中集成了背向 +90°动态光散射 DLS、电泳光散射 ELS和静态光散射技术 SLS,可以准确的检测颗粒的粒径及粒径分布,Zeta 电位,高分子和蛋白体系的分子量信息等参数,可广泛的应用于化学、化工、生物、制药、食品、材料等领域的基础研究和质量分析与控制。指标与性能Index&performance粒径测试原理:动态光散射技术粒径范围:0.3 nm – 15 μm样品量:3 μL - 1 mL检测角度:173°+90°+12°分析算法:Cumulants、通用模式、CONTIN、NNLSZeta电位测试原理:相位分析光散射技术检测角度:12°Zeta范围:无实际限制电泳迁移率范围:> ±20 μ.cm/V.s电导率范围:0 - 260 mS/cmZeta测试粒径范围:2 nm – 110 μm分子量测试分子量范围:342 Da – 2 x 107 Da微流变测试频率范围:0.2 – 1.3 x 107 rad/s测试能力:均方位移、复数模量、弹性模量、粘性模量、蠕变柔量粘度和折光率测试粘度范围:0.01 cp – 100 cp折光率范围:1.3-1.6趋势测试模式:时间和温度系统参数温控范围:-15° C - 110° C+/- 0.1°C冷凝控制:干燥空气或者氮气标准激光光源:50 mW 高性能固体激光器, 671 nm相关器:最快25 ns采样,最多 4000 通道,1011 动态线性范围检测器:APD (高性能雪崩光电二极管)光强控制:0.0001% - 100%,手动或自动软件中文和英文符合21CFR Part 11原理图仪器检测检测参数颗粒体系的光强、体积、面积和数量分布颗粒体系的 Zeta 电位及其分布分子量分布系数 PD.I扩散系数 D流体力学直径 D H颗粒间相互作用力因子 k D溶液粘度检测技术动态光散射电泳光散射静态光散射
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