2025-01-10 17:03:33可控核聚变
可控核聚变是一种利用磁约束或惯性约束等手段,将轻核加热至极高温度形成等离子体,并在严格控制的条件下实现核聚变反应,从而释放出巨大能量的过程。这一过程不产生温室气体排放,原料几乎取之不尽,被视为未来理想的清洁能源解决方案。然而,可控核聚变技术难度极高,需要实现高温、高密度等离子体的长时间稳定约束,以及有效控制聚变反应产生的能量输出。目前,全球多个国家和科研机构正致力于可控核聚变的研究,以期实现这一清洁能源技术的突破。

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2021-07-07 17:27:27液相法可控制备OVC相的GXCIGS太阳能电池
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是I-III-VI组化合物半导体材料,具备黄铜矿晶体结构,以它为吸收层的太阳能电池为CIGS薄膜太阳能电池,具备光电转换效率高、电池稳定性好、抗辐照能力强、弱光性好等优势。液相法制备CIGS电池实现了17.3%转换效率,虽然与真空法的23.35%相比仍有一定的差距,但由于液相法制备薄膜具有成本低、原料利用率高、可以实现卷对卷制备等优点,仍具有巨大的潜在发展优势。研究表明,在GXCIGS电池的吸收层表面通常存在一层贫铜组分的有序缺陷化合物(2VCu+InCu,OVC),OVC相可以极大提高CIGS/CdS异质结质量,从而提升CIGS器件效率。在液相法制备薄膜中,由于无法实现元素在制备过程中的实时调控,很难实现CIGS表面OVC的可控形成。近期,河南大学武四新教授课题组通过分析OVC相的形成机理,设计了一种在吸收层表面沉积贫铜CIGS化合物的方式,利用在硒化成膜过程中Cu元素的扩散,实现CIGS表面OVC的制备。通过控制硒化温度以及顶层和体相前驱体薄膜的Cu/(In+Ga)化学计量,可以实现Cu(In,Ga)Se2表面OVC相的可控制备(图1)。    图1. OVC相制备过程示意图图2. CIGS器件的能带结构示意图通过测试分析,武四新教授课题组发现表面OVC相提升CIGS电池效率的原因主要来源于以下几点:(1)OVC相使CIGS表面的价带能级位置向下移动,形成空穴往缓冲层传输的势垒,YZ载流子在CIGS/CdS的复合。(2)OVC相的形成可以有效降低界面的缺陷浓度。(3)OVC相可以促进载流子的分离和收集。通过优化OVC相含量,制备出了16.39%效率的CIGS太阳能电池,本研究工作对进一步提升液相法CIGS太阳能电池的效率提供了新的研究思路和技术手段。图3  7种OVC结构的拉曼光谱、J-V曲线和FF数图4 有/无OVC结构CIGS器件的Cu元素TOF-SIMS剖面、EQE曲线、USP光谱图5 有/无OVC结构CIGS器件在不同温度下暗态J-V曲线文章信息这一成果以“Controllable Formation of Ordered Vacancy Compound for High Efficiency Solution Processed Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells”为题发表在Advanced functional materials上。河南大学赵云海为论文DY作者,武四新教授和袁胜杰博士为论文通讯作者文章链接https://dx.doi.org/10.1021/acs.analchem.0c04399本研究采用的是北京卓立汉光仪器有限公司SolarIV系列 太阳能电池伏安特性测量系统,如需了解该产品,欢迎咨询我司。河南大学武四新教授课题组简介河南大学武四新教授课题组名称:光电功能材料以及太阳能薄膜电池。课题组主要从事光电功能的设计、制备及光伏性能的研究,希望能改善薄膜太阳能电池的转换效率。课题组期望通过对铜基薄膜太阳能电池各部分组件先进工艺和关键技术的探索和突破(薄膜微结构设计、缺陷态调控、表/界面钝化、能带结构优化以及微观动力学研究等方面),ZZ开发出具有高结晶质量吸收层体相材料和优良电学性能接触界面的GXCZTSSe以及CIGS光伏器件并丰富其应用领域。截止目前,本课题组已承担了各类项目10余项,其中,包括,国家自然科学基金、教育部新世纪优秀人才支持计划、教育部科学技术ZD项目、人事部归国留学人员 择优支持计划项目、河南省科技厅基础与前沿ZD项目、河南省高校知识创新工程支持计划等,在国内外著名学术期刊Energy Environ. Sci.,Adv. Funct. Mater.,Chem. Mater.以及J. Mater. Chem. A等发表学术论文50余篇。免责说明北京卓立汉光仪器有限公司公众号所发布内容(含图片)来源于原作者提供或原文授权转载。文章版权、数据及所述观点归原作者原出处所有,北京卓立汉光仪器有限公司发布及转载目的在于传递更多信息及用于网络分享。如果您认为本文存在侵权之处,请与我们联系,会及时处理。我们力求数据严谨准确,如有任何疑问,敬请读者不吝赐教。我们也热忱欢迎您投稿并发表您的观点和见解。 
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2020-07-15 10:49:24NTT——费米能级可控势垒(FMB)二极管
费米能级可控势垒(FMB)二极管是一种基于InP/InGaAs异质结构的超低噪声THz探测器。FMB二极管用InGaAs/ InP异质界面(InP势垒~ 100mev)代替肖特基势垒二极管(SBD)中的金属/半导体界面。这种低的势垒高度可提供低的二极管差分电阻(Rd),并在二极管和宽带蝴蝶结型天线之间提供良好的阻抗匹配。      产品特点• 超低噪声等效功率(NEP)•  高电压和电流灵敏度•  零偏置电压操作•  常温操作•  自互补蝴蝶结型天线•  集成准光学探测器       具体参数外形尺寸FMB二极管核心概念H.Ito et. al., Jpn. J. Appl. Phys., 56(1), pp. 014101-1-014101-7, 2017异质势垒结构由n-InGaAs,未掺杂的InP和n-InP层组成。根据载流子密度,高掺杂n-InGaAs中的费米能级可以位于导带边缘以上(称为“带填充效应”)。基于该特征现象,可以将InP / InGaAs异质界面处的势垒高度(ϕBn)降低至100meV以下。由于通过如此小的势垒高度实现了低差分电阻,因此集成了宽带扇形90°蝴蝶结型天线的FMB二极管可产生约5.0 pW / sqrt(Hz)的良好噪声等效功率。平方律检波H.Ito et.al.,Jpn.J.Appl.Phys.,56(1),pp.014101-1-014101-7,2017IOD-FMB-18001模块非常适合应用于超低噪声的平方律检波。所获得的电压灵敏度在300 GHz时高达2MV/W,在1THz时高达0.2MV/W。上图显示了IOD-FMB-18001的输入功率和输出电压之间的关系。300GHz的动态范围超过100dB(105)。噪声等效功率(NEP)估计在300GHz时低至3.0pW/sqrt(Hz),在1THz时低至33pW/sqrt(Hz)。光外差探测H.Ito et. al., Electron. Lett., 54(18), pp.1080-1082, 2018外差检测方案是实现低噪声测量最有用的技术。IOD-FMB-19001专为外差检测而设计,是带有宽带跨阻放大器(TIA)的准光学FMB二极管模块。该模块在平方律检波模式下在300GHz时表现出约21kV/W的差分电压灵敏度,在外差检测模式下显示出约11GHz的IF带宽。上图显示了300GHz附近NEP与LO功率之间的关系。此处获得的ZDNEP约为1.1×10-18W/Hz,LO功率仅为6μW。
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2018-11-30 17:51:18可控式单向阀
有没有可调式电磁阀的?就是我需要控制阀前压力大于某一个压力时阀门开启,降压到这个压力时,阀门关闭,并且可以用电控制阀门工作。
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2018-12-11 14:50:51磁约束核聚变的约束形态
 
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2019-08-19 17:22:51如何使用Elveflow的MUX阀执行可控的药物切换?
本应用介绍了如何使用Elveflow MUX流量开关阀在化学或生物环境(药物筛选或细胞培养)上轻松执行可控的药物切换,如下图所示。对于灌注室中的药物切换或一个入口的微流体芯片,请参阅我们的 微流控灌注套装(http://www.yiqi.com/zt10926/article_2462.html)。(1)Elveflow MUX流量开关阀(2)Elveflow压力和流量控制器OB1(3)样品池(小型、中型和大型微流体样品池),每个培养基样品使用一个样品池。(4)用于实验装置连接的微流体导管(5)微流体配件和连接器(6)微流体器件(三叉口型微流控芯片)本实验中使用的软件版本是Elveflow智能界面软件ESI V2版。下图是本应用实验的微流体装置图尽可能避免使用软性导管如Tygon管,因为软性导管会增加系统的响应时间。使用Elveflow智能界面软件ESI执行可控的药物切换。在开始实验之前进行泄露测试并去除任何气泡,以确保良好的流量调节。了解哪种配件Z适合您的需求是迈向成功的diyi步。Step1-把MUX和OB1压力控制器连接到电脑上,然后在电脑上打开Elveflow智能界面软件ESI。Step2-选择OB1(示例案例中的“OB1 MixO1”)并为每种药物和可控介质(control medium)设置以mbar为单位的初始所需压力值。在我们设置的示例案例中:Channel 2(control medium):100 mbar(通道的)通过单击“保存配置”菜单选项,可以保存此配置以供后续使用。可以通过直接编辑窗口左侧的通道名称显示来更改通道的名称。Step 4-单击“See Instruments”按钮并选择MUX(示例中的“MUX-P-00”),单击“advanced”按钮并双击一个group以便打开其配置面板。Step 5-在“Selected valves”上,选择将参与实验的三个阀门。Step 7-在MUX序列的diyi步,选择控制药物注射的阀门(示例中的阀门A1和A3)。在MUX序列的第二步,选择控制可控介质注入的阀门(示例中为阀门A2)。Z后,设置每个步骤的持续时间(在示例情况下为5秒)。Step 9-在project window中,单击“Add step to project”按钮并选择“Wait”按钮以便设置执行上面列出的仪器配置的时间长度(示例情况下为10秒)。Step 10-返回OB1主窗口,为每种药物和可控培养基设置下一个所需要的压力值,单位为mbar。在我们设置的示例案例中:Channel 2(control medium):100 mbar(通道的)Step 11-为了将这些参数添加到scheduler中,单击“Add step to scheduler”按钮。Step 13-一旦完成序列的配置,我们将配置一个循环,以便从1到无线重复所需的次数。在project window中,单击“add step to project”按钮,然后选择“Go to”操作。Step 14-选择环路开始的步骤(示例中的Step 1)和循环重复的次数(在示例情况下为5次)。Step 15-Z后,按“Start”按钮执行预设的序列及其重复步骤。恭喜您!您已使用Elveflow的OB1压力控制器和MUX流量开关阀实现了受控药物的切换操作。
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