2025-01-10 17:04:57视轴稳定技术
视轴稳定技术是一种用于确保成像系统或观测设备视线稳定的技术。它通过机械或电子方式补偿外部扰动,如震动、风力等,以保持观测方向或成像视轴的恒定。该技术广泛应用于军事瞄准系统、航空摄影、天文观测、医疗成像等领域,能显著提升目标跟踪、图像采集的精度和稳定性。

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2024-11-25 15:53:15 火焰光度计如何校准?确保运行稳定?
火焰光度计作为一种重要的实验室分析仪器,广泛应用于化学分析、生物医学研究、环境监测等领域。它通过火焰的燃烧过程检测元素的光谱特性,从而实现对钾、钠等金属元素的定量分析。长期使用或操作不当可能导致设备性能下降甚至故障,影响实验结果的准确性。因此,火焰光度计的维修与维护显得尤为重要。本文将全面解析火焰光度计常见故障的原因,提供高效的维修方法,并分享延长设备使用寿命的建议,帮助用户保持仪器的佳性能状态。火焰光度计常见故障分析点火失败 点火失败是火焰光度计常见问题之一,通常由燃气系统堵塞或电极老化引起。燃气管道中的残渣可能阻碍气体正常流动,导致火焰无法点燃。点火电极的磨损或积碳现象也会降低点火成功率。检测信号不稳定 当仪器输出信号波动较大时,可能是由于光电探测器老化、光路系统污染或者气流波动造成的。特别是在实验室环境中,空气中的灰尘或油污容易附着在光学部件表面,导致检测灵敏度降低。测量值偏差明显 如果火焰光度计测得的结果与实际值差距较大,需检查样品溶液的浓度、仪器校准状态以及燃气和助燃气比例是否合理。校准曲线的偏移或喷嘴的磨损也可能是造成误差的主要原因。高效维修方法清理和更换燃气管道 定期检查燃气管道,清除可能存在的堵塞物,并在必要时更换老化的管道配件。确保使用符合仪器要求的高纯气体,以减少杂质的堆积。维护光路系统 光路系统的清洁至关重要。使用无尘布和专业清洁剂擦拭光学部件,避免划伤镜面。定期检查光电探测器是否需要校准或更换。校准仪器与优化设置 对仪器进行定期校准是确保数据准确性的关键。用户需按照厂商提供的校准方法,选择合适的标准溶液并严格按照操作流程进行。调整火焰的高度和气体比例,确保燃烧稳定。延长火焰光度计使用寿命的建议规范操作 在日常使用中,严格按照仪器使用手册进行操作,避免长时间超负荷运行。定期检查电源和接地装置的连接状态,确保供电稳定。定期保养 制定详细的保养计划,包括清理燃烧室、校准光学系统以及更换易耗部件等。通过预防性维护,可以有效减少突发故障的发生。选择优质耗材 使用高质量的样品杯、喷嘴和燃气,可以降低因耗材问题导致的仪器损耗。
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2024-11-26 15:58:02原子荧光光度计如何维护?有哪些稳定仪器的重要措施?
原子荧光光度计(Atomic Fluorescence Spectrometer, AFS)是一种用于元素分析的高灵敏度仪器,广泛应用于环境监测、食品安全、化学分析等领域。由于其精密的工作原理与高度的灵敏度,定期的维护和保养对于延长仪器使用寿命和确保测试结果的准确性至关重要。一、定期清洁和校准原子荧光光度计的工作原理是通过激发样品中元素的荧光发射来检测其浓度。在实际使用过程中,样品的灰尘、化学物质以及使用环境中的杂质都可能对仪器造成污染。定期清洁仪器的各个部件,如灯源、光学系统、进样系统等,是保持仪器性能的基础。特别是进样系统,若长时间不清洁,样品残留物会影响其传输效率,导致分析结果偏差。光度计的校准也非常重要。每次更换光源或进行大范围测试时,都应进行标准样品校准,确保仪器的检测准确性。通常,可以通过使用标准溶液进行校准,并根据需要调整仪器参数,以保证结果的可重复性和准确性。二、定期检查光源和激发源光源是原子荧光光度计中的核心组件之一,不同的元素需要不同类型的光源。在使用过程中,光源的亮度和稳定性可能会出现衰减或不均匀,这会影响到荧光信号的强度。因此,定期检查和更换光源是确保仪器性能稳定的必要措施。三、保持良好的电气连接原子荧光光度计的电气系统是仪器稳定运行的基础。如果电气连接不良,可能会导致仪器无法正常启动或工作不稳定。定期检查电源线、接头和电路板的连接情况,确保所有电气组件的接触良好,避免因电气故障导致仪器停机或出现偏差。四、避免过载与样品污染原子荧光光度计的检测精度高度依赖于样品的纯净度和测量条件。在进行分析时,必须避免样品中存在过量的干扰元素或污染物。过高的浓度可能会导致仪器过载,影响仪器的灵敏度和线性响应。为了避免样品对仪器的污染,进样系统应定期清洗。使用合适的溶剂进行清洗,以去除残留的化学物质或分析样品中的杂质。定期检查进样管道和泵系统的工作状态,确保其正常运行。五、温湿度控制和环境管理原子荧光光度计的工作环境对仪器性能有着不可忽视的影响。温度和湿度的变化可能会导致仪器内部光学元件的膨胀或收缩,从而影响测试结果的准确性。六、及时记录和反馈问题在仪器使用过程中,应记录每次维护、清洁和故障的详细信息,并反馈给维护人员。这样不仅能及时发现潜在问题,还可以为未来的维护提供重要参考。通过建立完善的仪器管理档案,可以确保仪器长期处于良好的工作状态。
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2024-11-13 15:24:44柱后衍生系统功能核查如何进行?如何优化性能确保系统稳定?
柱后衍生系统是现代化建筑、工程项目中的关键技术之一,它涉及到建筑结构的后续处理及衍生功能的开发。该系统的作用是对已完成的基础设施进行功能延伸、提升与优化核查的主要内容结构完整性核查柱后衍生系统的核心功能之一是增强原有建筑结构的稳定性。因此,在核查过程中,首先需要评估柱后衍生系统对整体建筑结构的影响,包括承载力、抗震性等方面。检查衍生部分是否对原有结构造成过大负荷,确保系统不会因设计缺陷或施工问题导致建筑结构出现不稳定现象。功能适配性检查柱后衍生系统的设计往往是为了满足建筑物在后期使用过程中新增的功能需求。因此,功能适配性检查是核查的另一个重要内容。这一环节需要验证系统能否有效支持新增的使用需求,如空间利用率的提升、设施扩展以及建筑内外部功能的优化等。系统集成与协调性测试柱后衍生系统常常需要与建筑中的其他系统进行集成与协同工作,例如电气系统、给排水系统等。在功能核查过程中,必须确保衍生系统与原有系统之间的协同工作不会出现冲突或不兼容现象。此项检查的目的是确保各系统间的无缝对接,避免因接口问题引起的故障或效率下降。安全性评估与风险控制任何系统的应用都必须以安全为前提。柱后衍生系统的功能核查必须对可能存在的安全隐患进行详细评估,包括电气安全、结构安全、防火安全等方面。对于建筑设计中的突发风险,还需要制定应急预案,确保在极端情况发生时,衍生系统能保持稳定的运行。核查流程与标准进行柱后衍生系统功能核查时,首先要制定详细的核查方案,明确核查的目标、方法与标准。通常,核查流程包括以下几个步骤:数据收集与分析 收集与柱后衍生系统相关的设计文件、施工图纸和设备技术资料。通过对这些资料的分析,了解系统的设计初衷、施工工艺以及预期功能。现场检查与实地测试 核查团队需对实际现场进行实地检查,确保施工与设计符合要求。现场测试包括对衍生系统性能的模拟测试,检测其在不同环境下的稳定性与可靠性。问题诊断与整改建议如果在核查过程中发现问题,应进行问题诊断,分析问题原因,并提出切实可行的整改方案。这包括调整设计方案、优化施工工艺或更换不合格设备等。评估与报告 核查完成后,需要对整个核查过程进行总结,撰写详细的核查报告,明确提出存在的隐患与解决方案,确保系统达到设计要求。
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2024-12-12 15:49:27ph计维护保养记录有什么用?如何保障设备长期稳定运行?
PH计作为实验室和工业应用中广泛使用的仪器,它主要用于检测液体的酸碱度。为了确保PH计能够长时间提供准确的测量结果,定期的维护和保养是不可或缺的。PH计维护的重要性PH计的工作原理虽然相对简单,但它所涉及的测量精度要求非常高。PH计的核心部件包括电极、传感器、显示装置等,这些部件会因为长时间使用或外部环境的影响而发生不同程度的损耗。特别是PH电极,它会随着使用的次数增多而出现污染、老化等问题,直接影响测量结果的准确性。因此,制定详细的PH计维护保养记录,并定期检查设备的工作状态,是保证设备长期稳定运行的基础。PH计维护的关键内容电极的保养与检查PH计关键的部件是电极。电极在使用过程中,容易受到污染或损坏。定期检查电极的外观和性能,清洗电极,避免沉积物积累,能够有效延长电极的使用寿命。在清洁电极时,通常使用PH标准溶液进行校准,避免使用过多的清洗剂或化学物质,以免损坏电极。定期校准校准是保证PH计测量准确性的基本步骤。每次使用之前和使用一段时间后,都应进行一次校准。常见的校准方法是使用已知PH值的标准溶液,调整PH计的读数。校准的频率与PH计的使用频率和精度要求有关。通常,实验室或工业场合应每个月或每季度进行一次校准。检查连接线和显示装置除了电极之外,PH计的连接线、显示屏等部件同样需要定期检查。连接线若出现断裂或老化,可能会导致PH计无法正常工作。显示装置如果出现异常显示,可能是内部电路或传感器出现了问题,这时需要及时进行维修或更换。环境因素的影响PH计的准确性还受到环境温度、湿度等因素的影响。在进行PH计使用前,应确保设备周围的环境适宜,避免极端温度或高湿度对设备产生不良影响。PH计使用后,应该及时清理,并妥善存放,避免设备长时间处于潮湿或高温环境中。制定PH计维护保养记录为了确保PH计能够得到及时和科学的保养,制定详细的维护保养记录是非常必要的。维护记录可以帮助工作人员追踪设备的使用情况、保养历史、校准情况等,避免因疏忽而导致设备故障。记录的存在也便于对设备进行故障分析和性能评估,为今后的维护工作提供数据支持。每一份PH计的维护记录应包括以下内容:设备使用时间和使用频率每次清洁、校准、电极更换的时间和方式检查过程中的问题及解决方案设备故障的排查记录及维修情况
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2022-11-18 16:15:48反应离子刻蚀技术
反应离子刻蚀概述:反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的,利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀,即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应,同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半导体材料、聚合物、金属的刻蚀以及光刻胶的去除等,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。 工作原理:通常情况下,反应离子刻蚀机的整个真空壁接地, 作为阳极, 阴极是功率电极, 阴极侧面的接地屏蔽罩可防止功率电极受到溅射。要腐蚀的基片放在功率电极上。腐蚀气体按照一定的工作压力和搭配比例充满整个反应室。对反应腔中的腐蚀气体, 加上大于气体击穿临界值的高频电场, 在强电场作用下, 被高频电场加速的杂散电子与气体分子或原子进行随机碰撞, 当电子能量大到一定程度时, 随机碰撞变为非弹性碰撞, 产生二次电子发射, 它们又进一步与气体分子碰撞, 不断激发或电离气体分子。这种激烈碰撞引起电离和复合。当电子的产生和消失过程达到平衡时, 放电能继续不断地维持下去。由非弹性碰撞产生的离子、电子及及游离基(游离态的原子、分子或原子团) 也称为等离子体, 具有很强的化学活性, 可与被刻蚀样品表面的原子起化学反应, 形成挥发性物质, 达到腐蚀样品表层的目的。同时, 由于阴极附近的电场方向垂直于阴极表面, 高能离子在一定的工作压力下, 垂直地射向样品表面, 进行物理轰击, 使得反应离子刻蚀具有很好的各向异性。所以,反应离子刻蚀包括物理和化学刻蚀两者的结合。  刻蚀气体的选择对于多晶硅栅电极的刻蚀,腐蚀气体可用Cl2或SF6,要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2;刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2;刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2;刻蚀Al(或Al-Si-Cu合金)的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4;刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4;刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料, 可选择气体种类较多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为:CHF3 + e——CHF+2 + F (游离基) + 2e,SiO 2 + 4F SiF4 (气体) + O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF+2 基团反应, 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体。对于锗材料、选用含F 的气体是十分有效的。然而, 当气体成份中含有氢时, 刻蚀将受到严重阻碍, 这是因为氢可以和氟原子结合, 形成稳定的HF, 这种双原子HF 是不参与腐蚀的。实验证明, SF6 气体对Ge 有很好的腐蚀作用。反应过程可表示为:SF6 + e——SF+5 + F (游离基) + 2e,Ge + 4F——GeF4 (挥发性气体)   。 设备:典型的(平行板)RIE系统包括圆柱形真空室,晶片盘位于室的底部。晶片盘与腔室的其余部分电隔离。气体通过腔室顶部的小入口进入,并通过底部离开真空泵系统。所用气体的类型和数量取决于蚀刻工艺;例如,六氟化硫通常用于蚀刻硅。通过调节气体流速和/或调节排气孔,气体压力通常保持在几毫托和几百毫托之间的范围内。存在其他类型的RIE系统,包括电感耦合等离子体(ICP)RIE。在这种类型的系统中,利用RF供电的磁场产生等离子体。虽然蚀刻轮廓倾向于更加各向同性,但可以实现非常高的等离子体密度。平行板和电感耦合等离子体RIE的组合是可能的。在该系统中,ICP被用作高密度离子源,其增加了蚀刻速率,而单独的RF偏压被施加到衬底(硅晶片)以在衬底附近产生定向电场以实现更多的各向异性蚀刻轮廓。  操作方法:通过向晶片盘片施加强RF(射频)电磁场,在系统中启动等离子体。该场通常设定为13.56兆赫兹的频率,施加在几百瓦特。振荡电场通过剥离电子来电离气体分子,从而产生等离子体 。在场的每个循环中,电子在室中上下电加速,有时撞击室的上壁和晶片盘。同时,响应于RF电场,更大质量的离子移动相对较少。当电子被吸收到腔室壁中时,它们被简单地送到地面并且不会改变系统的电子状态。然而,沉积在晶片盘片上的电子由于其DC隔离而导致盘片积聚电荷。这种电荷积聚在盘片上产生大的负电压,通常约为几百伏。由于与自由电子相比较高的正离子浓度,等离子体本身产生略微正电荷。由于大的电压差,正离子倾向于朝向晶片盘漂移,在晶片盘中它们与待蚀刻的样品碰撞。离子与样品表面上的材料发生化学反应,但也可以通过转移一些动能来敲除(溅射)某些材料。由于反应离子的大部分垂直传递,反应离子蚀刻可以产生非常各向异性的蚀刻轮廓,这与湿化学蚀刻的典型各向同性轮廓形成对比。RIE系统中的蚀刻条件很大程度上取决于许多工艺参数,例如压力,气体流量和RF功率。 RIE的改进版本是深反应离子蚀刻,用于挖掘深部特征。
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